【解決手段】 対角長が５００ｍｍ以上の大型基板であって、基板上下面の面取り（Ｃ面取り）幅に対する寸法精度がそれぞれ±０．０５ｍｍ以下であることを特徴とする通常面取り加工部を有する大型基板。
【効果】 本発明によれば、大型基板の端面部（面取り）、特にＣ面取り寸法の精度が向上し、大型基板自身の歩留まりを向上できる。また、異形面取り（大面取り）の場合も同様に、面取り部の寸法精度向上により、露光装置に組み込み易くなり、露光装置セット時のトラブルを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ露光装置のマスクステージにマスク基板をチャックすることによりマスク基板の平坦度が悪化することに起因する、製品歩留まりの低下の問題を解決するために有効なマスク基板の平坦度シミュレーションシステムを実現すること。
【解決手段】マスク基板の平坦度シミュレーションシステムは、マスク基板の主面の平坦性に関する第１の情報を取得する基板の平坦性を測定する手段と、前記第１の情報と露光装置のマスクチャック構造に関する情報とから前記マスク基板を前記露光装置にセットした時のシミュレーションによる前記主面の平坦度に関する第２の情報を取得する手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ステージに装着したマスクの位置をレーザ干渉計にて測定する従来の手法は、マスクの大型化、パターンの微細化が進むに伴い、ステージとマスクの間の固定機構や熱ドリフトなどの影響により測定に誤差を生じるおそれがある。
【解決手段】 マスクの側面に反射面２を設けたマスクであり、レーザ干渉計４からのレーザ光を反射鏡ではなく直接マスク側面の反射面２に照射してその反射したレーザ光をもとにマスクの位置を測定すると共にマスクの歪や変形状態を検出するマスク測定方法である。 （もっと読む）

【課題】簡易に露光データを作成することができ、かつショット数を低減して、露光のスループットを向上させることができるマスクパターン作成方法、露光データ作成方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】１つのセルに含まれる格子点の数、１つの前記セルの前記格子点に配置されるホールの最大数、および格子間隔を設定する（ステップＳＴ１）。格子点にホールを配置した場合における異なるホール数および配置をもつ全てのセルを求める（ステップＳＴ３）。複数の前記セルの中から、セルの移動によりホール配置が同じとなるセルを削除して、セル数を削減する（ステップＳＴ４）。マスク中での各セルの配置を決定して、マスク中での各セルの配置情報と、各セル中のホール配置の情報を含むマスクデータおよび記憶テーブルを作成する。 （もっと読む）

【課題】通常の透明樹脂感光層を近接露光（プロキシミティー）法にてパターン露光して柱状スペーサーを形成する際に使用する段差付フォトマスク及び段差付フォトマスクを使って全領域にわたって柱状スペーサーの高さを均一に形成したカラーフィルタ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板１１上にブラックマトリクス２１ｂと、遮光額縁層２１ａと、複数の着色フィルタからなる着色フィルタ層３０と、透明電極層４１と、柱状スペーサー５１ａ及びダミー柱状スペーサー５１ｂとが形成されており、着色フィルタ層３０からなるメインパターン領域上に形成された柱状スペーサー５１ａの上部と、透明基板１１周辺部に形成されたダミー柱状スペーサー５１ｂの上部とが同じ高さになるようにしてある。 （もっと読む）

【課題】半導体フォトマスク処理システムにおける交互位相シフトフォトマスクのエッチング間のエッチング深度を測定する方法および機器を提供する。
【解決手段】エッチング処理システム内で基板のエッチング深度を測定する機器は、エッチング処理システムのメインフレームと結合した測定セルと、測定セルの底部と結合したエッチング深度測定器具とを備え、測定セルの底部における開口部により、エッチング深度測定器具と基板の間を光ビームが通過することが可能になる。本発明の実施形態は更に、石英基板を初期エッチング深度にまで部分的にエッチングし、次に、統合測定器具によってエッチング深度を測定することで交互位相シフトマスクを準備する方法に関する。その後、基板が対象のエッチング深度に達するまで、エッチングおよび測定が繰り返される。 （もっと読む）

ステッパーに装着して使用されるレチクルを形成するのに使用され、互いに対向する主表面、側面、及び、主表面と側面との間に設けられた面取面とを有するレチクル用基板において、主表面と面取面との境界から内側３ｍｍの領域を除いた平坦度測定領域における平坦度が０．５μｍ以下であって、且つ、主表面と面取面の境界における基準面からの最大高さが−１μｍ以上、０μｍ以下であるレチクル用基板を特徴とする。
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【課題】 密着露光において容易で安価、かつ安全に、解像不良を発生することなく微細線のレジストパターンを形成できるフォトマスクフィルムを提供する。
【解決手段】 印刷配線板の製造におけるレジストパターン形成を密着露光方式により行う際に使用するフォトマスクフィルム１において、膜面側に部分的に薄膜フィルム２を配置することで、フォトマスク中央にフォトマスク端部から端部まで連続した溝３を有し、露光の際の被露光体とフォトマスクフィルムを真空密着時に溝３により空気の通路を形成する。 （もっと読む）

【課題】マスクパターン形成領域に生じる内部応力を減少させ、マスクパターンを高精度にできる荷電粒子露光用マスクを提供する。
【解決手段】ステンシルマスク１２はシリコン１４、メンブレン２６、２６…、スリット２８、２８などから構成され、所定の接着箇所３２、３２…にてフレーム３０に接着される。接着後にはステンシルマスク１２に内部応力が発生するが、この内部応力はスリット２８、２８に集中するため、マスクパターン形成領域２３のメンブレン２６、２６…における内部応力は概ね４ＭＰａ以下、最大でも１０ＭＰａ以下に維持される。 （もっと読む）

機構や構造体を形成し、材料の表面に書き込むためのイオン又は電子源などの粒子ビーム源と共に使用するのに好適なマスクが提供される。このマスクは、複数の開口部を有する開口プレートと、この開口プレートの下側に配置された集束手段とを備えている。複数の開口部がアレイを形成して、これにより各プレートの開口部が開口プレートに入射する粒子ビームの一部を受け取るように適合される。そして、粒子ビームの各部分は集束手段を通過することにより、表面上に集束される。これによりマスクは、複数の高い分解能の同時に動作可能な集束された粒子ビームを形成する。
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【課題】 露光装置のマスクステージにチャックした後の平坦度が良好なマスクブランク用基板等を適切に得る。
【解決手段】露光装置のマスクステージにチャックされるマスクブランク用基板１０であって、マスクステージにチャックされる側の主表面１２における外周端面から内側２ｍｍの領域を除いた方形の平坦度測定領域１６の平坦度が０．６μｍ以下であり、平坦度測定領域１６の四隅のコーナー部のうち、少なくとも３箇所のコーナー部が、外周側に向かって盛り上がった形状をなしている。 （もっと読む）

【課題】ウェハ露光装置のマスクステージにマスク基板をチャックすることによりマスク基板の平坦度が悪化することに起因する、製品歩留まりの低下の問題を解決するために有効なマスク基板情報生成方法を実現すること。
【解決手段】複数のマスク基板の各主面には主なパターンが形成される第１の領域と、露光装置のマスクステージにチャックされる第２の領域とがあり、これらマスク基板の主面の前記第１の領域の表面形状に関する第１の情報を取得し、これらマスク基板の主面の前記第２の領域の表面形状に関する第２の情報とを取得し、前記第１の情報と第２の情報とを対応付けて記憶する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の微細なパターンを生産性よく、高精度に形成する方法を提供する。
【解決手段】スループットの高い光リソグラフィと、レチクルを用い比較的スループットが高く、解像性能も高い電子線リソグラフィとを、各品種・各層毎に必要な要求精度、要求解像度を満たしながら、最大限のスループットが得られるように選択して使用する。また、電子線リソグラフィを使用する場合、非相補レチクルと相補レチクルとを、必要な要求精度、要求解像度を満たしながら、最大限のスループットが得られるように選択して使用する。半導体集積回路装置の生産性を向上と集積度向上を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 僅かな透過率の変動を強調することで、ガラス基板の透過率を正確に測定してマスクブランク用ガラス基板を製造すること。
【解決手段】 合成石英ガラスインゴットから所定の板形状に切り出して加工した後、この合成石英ガラス板の対向する両端面２、３を、露光波長の光が導入できるように鏡面研磨して合成石英ガラス基板４を得る端面鏡面研磨工程と、鏡面研磨された一方の端面２から露光波長の光を入射して他方の端面３から光を出射させ、入射した光の入射光量と上記出射した光の出射光量との差を第１パワーメータ２５及び第２パワーメータ２６を用いて測定し、上記合成石英ガラス基板４の端面の面内方向各位置における露光波長に対する透過率を測定する測定工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 量産用のＥＵＶ露光機に必要なＥＵＶ光のパワーを減らすことができるようにする。
【解決手段】 ＥＵＶ光Ｘ１を反射型円筒マスク１の照射領域３に照射し、照射領域３のパターンを複数枚の反射鏡Ｍ１〜Ｍ６を介してウエハ２上に照射することにより、反射型円筒マスク１上の全体パターンをウエハ２上に縮小投影露光するＥＵＶ露光機１００であって、反射型円筒マスク１として円筒状のマスクを使用する。 （もっと読む）

【課題】 透明基板や薄膜の光学特性に起因し、仕様を逸脱したマスクブランクが製造されるという問題を解消する。
【解決手段】 所定の光学特性が要求されるマスクブランク用透明基板１であって、所定のコーナー部を斜断面状に切り落として形成され、その形状が前記光学特性に応じて定められた基板マークＭ１を有する。
また、マスクブランク用透明基板１の主表面上に、マスクパターンとなる薄膜３、４が形成されたマスクブランク２であって、透明基板１における所定のコーナー部を斜断面状に切り落として形成され、その形状が透明基板１の光学特性に応じて定められた基板マークＭ１と、薄膜３、４の周縁部に形成され、その形状が薄膜３、４の光学特性に応じて定められた膜マークＭ２、Ｍ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】孤立スペースパターンと孤立ラインパターン又は密集パターンとを同時に微細化できるようにする。
【解決手段】露光光に対して遮光性を有する半遮光部１０１と、半遮光部１０１により囲まれ且つ露光光に対して透光性を有する透光部１０２と、透光部１０２の周辺に位置する補助パターン（位相シフター）１０３とが透過性基板１００上に設けられている。半遮光部１０１と透光部１０２とは露光光を互いに同位相で透過させる。補助パターンである位相シフター１０３は、半遮光部１０１及び透光部１０２を基準として露光光を反対位相で透過させると共に、露光により転写されない。 （もっと読む）

【課題】 クロムレス位相反転マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 マスク基板と、このマスク基板をエッチングして設けられた複数の位相反転部と、を備えるクロムレス位相反転マスク。ここで、複数の位相反転部は相異なるエッチング深さを持つ。これにより、従来のクロムレス位相反転マスクでは具現できなかった現像後ＣＤを具現できる。 （もっと読む）

【課題】 投影型電子線リソグラフィに用いるマスクにおいて、マスク全体の質量を小さく抑えることとマスクの剛性を高めること同時に可能とするマスク形状を提供することを目的とする。
【解決手段】 マスク基板を補強するためにさらに基板を貼り付けるが、その基板に梁構造を持ったものを用いることで要求される強度、剛性を確保しつつ、マスクの質量を抑えることができる。また補強のための基板の梁構造をハニカム構造や荷重方向を考慮した格子構造とすることでマスクの質量あたりの強度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 最終的に所望のＬＡＴフィルムを備える適切な基板のオンディマンド供給及び次にそのような基板へにその場で（ｏｎ−ｓｉｔｅ）トナー処理を実施して、通常の実際の画像化の直前またはすぐ上流に所望の色または所望の厚さまたは密度での画像化機能性を有する単一の複合フィルムを提供すること
【解決手段】 支持基板と、この支持基板とほぼ同じ広がりを有するレーザ照射で除去可能な非連続フィルムのトップコートとを有する複合ＬＡＴ画像化フィルムにおいて、非連続フィルムの除去可能なトップコートがコントラスト画像を得るのに必要な量のトナー粒子で構成されることを特徴とする複合ＬＡＴ画像化フィルム （もっと読む）