アモルファス炭素材料を堆積するための方法が提供される。一態様では、本発明は、処理チャンバに基板を位置決めするステップと、該処理チャンバに処理ガスを導入するステップであって、該処理ガスがキャリアガス、水素および１つ以上の前駆体化合物を含むステップと、二重周波数ＲＦ源から電力を印加することによって該処理ガスのプラズマを生成するステップと、該基板上にアモルファス炭素層を堆積するステップとを含む基板処理方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、露光工程、現像工程および後露光工程を含む凸版印刷用水現像感光性樹脂版の製造方法であって、露光工程以降に変性シリコーン化合物および／またはフッ素化合物を含有する液と感光性樹脂版を接触させることを含む、上記方法を提供する。 （もっと読む）

ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。
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パターニングされたセラミック薄膜（１０）は、イオン伝導性セラミック、電極、ハードセラミックコーティング、透明導電性酸化物、透明半導電性酸化物、強誘電性酸化物、及び誘電性酸化物として有用である。そのセラミック薄膜（１０）は液体前駆体溶液から形成することができる。 （もっと読む）

【課題】レイヤにおいて微小形状をエッチングする方法が提供される。
【解決手段】レイヤ上にポリマー材料のアンダーレイヤが形成される。アンダーレイヤ上にトップイメージレイヤが形成される。トップイメージレイヤがパターン付けされた照射に曝露される。トップイメージレイヤにおいてパターンが現像される。パターンがトップイメージレイヤからアンダーレイヤへ還元性ドライエッチングで転写される。レイヤがアンダーレイヤを通してエッチングされ、トップイメージレイヤは完全に除去され、アンダーレイヤは、レイヤをエッチングするあいだ、パターンをアンダーレイヤからレイヤへ転写するためのパターンマスクとして用いられる。 （もっと読む）

電子装置を製造する方法であって、１９３ｎｍリソグラフィを用いて相互接続を構成する方法。低分子イオン中で解離するプラズマガスを使用する間、所望の線幅の変形が生じない。電子装置は、特には集積回路である。
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【課題】電気光学装置に設けられる半透過反射基板の製造時に、その下地層の部分的な剥離を防止する。
【解決手段】半透過反射基板の製造工程においては、まず、図５（ａ）に示すように第２基板１２０上に感光性樹脂１３２を塗布し、続いて、図５（ｂ）に示すようにフォトマスク１４５にて露光した後、現像して下地層１３０を形成する。このうち、露光処理においては、開口部１２５と凹凸面１３２ｂとが離間するように露光し、それらの間隙が平坦となるような処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の表面にさらに微細なパターンを形成することができる微細レジストパターン、微細パターンの形成方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板６上に、特定の元素を含む特定のガスに接触して特定の元素と結合し所定のエッチングガスに対する耐性が強化される性質を有するレジスト層９を形成する工程と、レジスト層９に第一の露光１０を行い、第一の露光領域９ｂと第一の非露光領域９ａとを形成する工程と、第一の露光領域９ｂに対して第二の露光１１を行い、第二の露光領域９ｃと第三の露光領域９ｄとを形成する工程と、レジスト層９を特定のガスにさらして第三の露光領域９ｄのみを特定の元素と結合させる工程と、第二の露光領域９ｃと第一の非露光領域９ａとをエッチングにより除去し第三の露光領域９ｅからなるレジストパターンを形成する工程とを備えた。 （もっと読む）