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Fターム[2H096HA30]の内容

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Fターム[2H096HA30]に分類される特許

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【課題】近年普及してきている高感度プレートから製版された平版印刷版において、画像層にダメージを与えずに版面に付いた汚れを充分に除去し、かつ耐刷性を向上させることができる版面処理手段を提供する。
【解決手段】平版印刷版の版面を版面洗浄剤で処理する版面処理方法であって、該平版印刷版が、支持体上に、赤外線吸収剤を含有する画像記録層と、無機質の層状化合物を含有する保護層とをこの順に有する平版印刷版原版を画像形成することによって得られた平版印刷版であり、該版面洗浄剤が大豆から抽出された皮膜形成性を有する多糖類を含有する乳化型版面洗浄剤である、平版印刷版の版面処理方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、自動処理装置をクリーニングするための方法に関する。
【解決手段】この装置は、レリーフ面を形成するために感光要素を熱処理する装置である。この装置の中の1つまたは複数の接触可能面は、熱処理中に感光要素から付着した残留物または他の材料、および/あるいは周囲環境からの異物によって汚染される。支持体上に接着剤層を有するクリーニング要素は、接触可能面上の汚染物質を除去しまたはそのレベルを低下させる。この方法は、接着剤層が接触可能面と接触し、それによって少なくとも1種の汚染物質を接着剤層上へ移動させるように、クリーニング要素を装置に通すステップを含む。 (もっと読む)


【課題】混色や白抜けがなく、且つ平坦な画素を形成することができ、表示装置化した際の高いコントラスト、良好な色ムラ抑制効果が得られる、高品位なカラーフィルターの製造方法提供すること。
【解決手段】基板上に複数の画素と隣接する画素間に隔壁とを有するカラーフィルターの製造方法であって、少なくとも下記a),b)およびc)の工程をこの順に有することを特徴とするカラーフィルターの製造方法。
a)基板上に樹脂組成物からなる隔壁を形成する工程
b)隔壁を形成した基板にプラズマ処理を施す工程
c)基板上に形成された前記隔壁の間隙に、少なくともC.I.ピグメント・レッド254と、溶剤と、界面活性剤と、重合性基を2つ以上有するモノマーと、を含有するインクジェット用インクをインクジェット法にて付与して画素を形成する工程 (もっと読む)


【課題】感光性転写材料によって形成された感光性樹脂層を露光後に現像する場合、現像後の現像残渣の低減が可能な現像液とそれを用いた画像形成方法の提供。
【解決手段】転写された感光性樹脂層を露光後に、アルカリ現像液により現像して画像形成する工程を設け、前記アルカリ現像液に炭酸塩と陰イオン界面活性剤とを含有せしめ、前記炭酸塩がナトリウムイオン及び/又はカリウムイオンを含有させ、かつ、該炭酸塩の濃度を0.04〜0.5モル/kgとし、前記陰イオン界面活性剤に、ナフタレンスルホン酸誘導体塩(A)とポリオキシエチレンナフチルエーテル硫酸塩(B)とを含有させ、かつ、(A)と(B)の合計質量に対する(B)の質量の割合を20質量%〜60質量%とする。 (もっと読む)


【課題】寸法制御が容易で特性の安定したLDD構造を有するFETなどの半導体装置の製造方法及びその製造方法によって得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】この発明におけるLDD構造を有する半導体装置の製造方法は、レジスト寸法の増大にパターンシュリンク剤を用いる。そして、レジスト3とパターンシュリンク剤6との架橋反応を制御することでLDD構造形成部分の寸法の制御を容易にし、特性の安定した半導体装置を得るものである。 (もっと読む)


【課題】多層感光性樹脂膜を用いた感光性樹脂膜パターン形成方法及びこの感光性樹脂膜パターンを使用する半導体装置のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の1態様による感光性樹脂膜パターン形成方法は、半導体基板の上方に被処理膜を形成する工程と、前記被処理膜上に第1の感光性樹脂膜からなる第1のパターンを形成する工程と、前記第1のパターンを形成した第1の感光性樹脂膜に注入するイオンの投影飛程と投影飛程の標準偏差の3倍との和が前記第1の感光性樹脂膜の膜厚より大きくなるようにイオン注入する工程と、前記イオン注入された第1の感光性樹脂膜上に第2の感光性樹脂膜からなる第2のパターンを形成する工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】対向配置される2つの基盤をネガ型感光性樹脂組成物から得られた構造体を介して接着させた機能素子において、優れたパターン解像性を有し、且つ構造体と基盤との接着性にも優れたネガ型感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】第1の基盤上にフォトリソグラフにより設けられたパターン化された構造体を介して、第2の基盤を圧着させて2個の基盤を接着させた機能素子において、前記構造体を形成する為の樹脂組成物が(A)アクリルモノマー、(B)不飽和カルボン酸とその他の不飽和化合物を共重合させて得られたアルカリ可溶性ポリマー又はアルカリ可溶性フェノール樹脂の水素添加物、(C)光重合開始剤及び(D)エポキシ化合物を成分として含有するネガ型感光性樹脂組成物である。このようなネガ型感光性樹脂組成物は優れたパターン解像性を有し、且つ対向基盤との接着性にも優れている。 (もっと読む)


【課題】 被処理体におけるパターンの精度の均一性を確保しながら、省レジスト化並びに工程数および総工程時間の削減を図ることが可能なマスクパターンの形成方法およびTFTの製造方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング膜101上に露出した1次マスクパターン110の露出領域103bに対し、精密吐出ノズル82によって局所的にレジストを吐出し、レジスト層102の凹部に被覆部105を形成することにより、基板G表面のレジストパターン形状を変化させ、2次マスクパターン111を形成する。 (もっと読む)


【課題】薄膜剥離における残渣の完全な除去と位置精度の高い薄膜の剥離を実現すること
が可能な剥離方法を備えた薄膜剥離装置を提供する。
【解決手段】接触部位7と除去部位8とを有したユニット4が、ステージ6或いはユニッ
ト可動部位5の移動によって基板1上に形成された薄膜の内の除去される薄膜2aに対応
する剥離位置に移動し、薄膜の内の除去される薄膜2aだけを剥離し、残渣受口9により
残渣を完全に除去する。 (もっと読む)


【課題】 レジストのリフロー処理において、軟化したレジストを速やかに流動させ、しかもその流動方向および流動面積を高精度に制御し、もってパターン形成や液晶表示装置用TFT素子の製造に利用できる技術を提供する。
【解決手段】 レジスト103からターゲット領域Sまでの下層膜101の流動促進領域104に界面活性剤によって表面処理を施し、レジストが流動しやすいようにその濡れ性を改善する。レジスト103を軟化させた場合、軟化したレジスト103は流動促進領域104の方に進行し、ターゲット領域Sに誘導されていく。表面処理を施していない禁止領域Sに向うレジスト103の進行は、ターゲット領域Sへ向かうレジスト103が多くなるほど、その反作用で逆に抑制される。 (もっと読む)


【課題】感度、解像度等に優れる感放射線性樹脂組成物、感放射線性樹脂膜及び転写フィルム並びにこれらを用いたメッキ造形物の製造方法。
【解決手段】本感放射線性樹脂組成物は、(A)一般式(1),(2)の構造単位を含む酸解離性基含有樹脂、(B)一般式(3)の構造単位を含む樹脂、及び(C)光酸発生剤を含有する。
(もっと読む)


【課題】 レジストのリフロー処理において、軟化したレジストの流動方向および流動面積を高い精度に制御可能で、もってパターン形成や液晶表示装置用TFT素子の製造に利用できる技術を提供する。
【解決手段】 リフロー処理されるレジスト103の表面には高低差が設けられ、厚膜部103aと、相対的に膜厚の薄い薄膜部103bを有している。厚膜部103aは、ターゲット領域Sの側に形成され、薄膜部103bは、禁止領域Sの側に形成される。厚膜部103aは、シンナー雰囲気に対する露出面積が大きいため、軟化が速く、段差Dを越えてターゲット領域Sへ向けて流動が進行する。薄膜部103bは、シンナー雰囲気に対する露出面積が厚膜部103aに比較して小さいので、軟化が進みにくく、厚膜部103aに比べて流動性が大きくならず、禁止領域Sへ到達することなく流動が停止する。 (もっと読む)


【課題】フォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、充分な膜厚均一性を有するレジストパターンを形成することができ、且つ、生産効率の低下を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Gが載置されると共に、基板載置面の温度を所定温度として基板温度を調整するための温調プレート11と、チャンバ10内にフォトレジストの溶剤雰囲気を供給する溶剤雰囲気供給手段14〜18と、チャンバ10内の雰囲気温度を検出する雰囲気温度検出手段23と、前記温調プレート11の設定温度を制御すると共に前記雰囲気温度検出手段23による検出温度が入力される制御手段24とを備え、前記制御手段24は、設定している前記温調プレート11の温度と、前記雰囲気温度検出手段23により検出された雰囲気温度とを比較し、該比較結果に基づいて温調プレート11の設定温度を制御する。 (もっと読む)


【課題】現像残渣等の汚れの洗浄除去性に優れ、環境問題が無く、空シャワー運転でも劣化しない洗浄処理液、該洗浄処理液を用いた着色画像の形成方法、カラーフィルターの製造方法、及び、カラーフィルター付きアレイ基板の製造方法を提供。
【解決手段】塩基性化合物と、少なくとも1つの水酸基を含むアセチレン界面活性剤、アルキルエーテル系界面活性剤、及びフェノキシオキシアルキレン界面活性剤から選択される少なくともいずれかの界面活性剤を少なくとも1種含有し、かつ、ナフタレン系界面活性剤含有することを特徴とする洗浄処理液。 (もっと読む)


【課題】本願発明は、従来のスクリーン印刷やめっき方法とは異なる方法によって、電子部品のバンプ等の導電部を簡易かつ効率的に形成可能とする技術を提供する。
【解決手段】 本願発明は、開口部を有するレジストで被覆された基材を、粒子を分散させた懸濁液に浸漬し、懸濁液中の粒子を開口部に堆積させる方法であって、懸濁液は、分散させた粒子が沈降して開口部に堆積するような粘性を有し、基材を該懸濁液に浸漬して、粒子を開口部に堆積させることを特徴とする粒子堆積方法に関する。よって、本願発明では、基板の開口部に比較的短時間で均一に粒子を堆積させることが可能となる。また、レジスト上に残留した余剰な粒子についても簡易的に取り除くことができるため、電子部品において所望の形状を備えたバンプ等の導電部を形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】溶解リフロー処理によりその面積が拡大した有機膜パターンを収縮することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、有機膜パターン加工処理では、有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理(ステップS3)と、溶解変形した変形有機膜パターンを第三の除去処理(ステップJ3)とをこの順に行う。第三の除去処理の少なくとも一部を有機膜パターンに対する第二の薬液処理(ステップS5)により行う。 (もっと読む)


【課題】 CSPと呼ばれる半導体装置において、柱状電極形成用メッキレジスト膜を剥離した際にレジスト残渣が発生しにくいようにする。
【解決手段】 まず、ノボラック系樹脂のポジ型の液状レジストからなる配線形成用メッキレジスト膜23をそのまま残存させた状態で、電解メッキを行うことにより、アクリル系樹脂のネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用メッキレジスト膜25の第1の開口部26内の配線8の接続パッド部上に柱状電極9を形成する。次に、両メッキレジスト膜23、25をモノエタノールアミン系のレジスト剥離液を用いて同時に剥離する。この場合、柱状電極形成用メッキレジスト膜25は、ダイシングライン22に対応する部分に形成された第2の開口部27の存在により、平面的な剥離面積が小さくなり、且つ、レジスト剥離液に浸される表面積が大きくなるので、剥離されやすくなる。 (もっと読む)


【課題】 凸部の傾斜角度の大きな感光性樹脂凸版を、短時間で形成する製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の製造方法は、図1(A)に示すように、基材100上の感光性樹脂層101に所定パターンの凸部102を形成するフォトリソ工程図と、図1(B)に示すように、凸部102の側面104の傾斜角度αを、レーザー彫刻によって修正するレーザー彫刻工程の2つの工程を含んでいる。ここで凸部102の側面104の傾斜角度αとは、基材100の上面100Aに対して側面104が起立する角度である。凸部102の側面104の傾斜角度αの調整はレーザー出力の調整で行うことができる。 (もっと読む)


【課題】少ない工程数で低欠陥な微粒子パターン、ドットアレイパターン、ホールアレイパターンを形成するための感光性シランカップリング剤、及び該感光性シランカップリング剤を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル基または1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニル基を含有する感光性シランカップリング剤。基板1の表面に感光性シランカップリング剤を積層し、前記感光性シランカップリング剤層2にパターン状に露光を行い、露光部3にカルボキシル基を発生させ、露光部3または未露光部4のみに選択的に微粒子5を配する。得られた微粒子パターンを用いて単一電子素子、パターンドメディア、化学センサ、量子ドットレーザー素子、フォトニック結晶光学デバイスを作製する。 (もっと読む)


【課題】反応性ガスの供給を必要とせず,プラズマの発生を必要とせずにフォトレジスト膜の除去を行うことができるフォトレジスト膜等の除去工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたフォトレジスト膜を除去する工程において,基板を室温以上,例えば30〜200℃,好ましくは100℃前後に加熱した状態で,所定の粒径のドライアイス粒子を所定の圧力でフォトレジスト膜に吹き付ける。イオン注入工程を経たフォトレジスト膜の表面は硬化されているので,ある程度の大きな粒径のドライアイス粒子をある程度の大きな圧力で吹き付ける(ブラスト)ことが必要である。その場合,基板を加熱することで,基板に吹き付けられるドライアイス粒子は蒸発して基板へのダメージが回避され,フォトレジスト膜はドライアイス粒子の吹き付け圧力による物理的作用により有効に除去される。 (もっと読む)


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