【課題】版品質の均等化と向上、作業員の労力負荷の低減化、生産効率の向上、人的コストと製版コストとの低減化を図る。
【解決手段】液状版感光性樹脂凸版２を吊り下げた状態で未硬化樹脂を除去する樹脂回収装置３であって、液状版感光性樹脂凸版２に沿って昇降する未硬化樹脂回収部材３０５と未硬化樹脂回収部材支持部３０６とを具備している樹脂回収装置３を提供する。 （もっと読む）

【課題】高密度に金属粒子が存在し、且つ、支持体に対する密着性に優れた画像様の金属膜を備えた薄層金属膜材料を提供すること。
【解決手段】本発明の薄層金属膜材料は、支持体と、該支持体上に重合性基を有するカップリング剤を用いて形成された中間層と、該中間層に対し、架橋性基を有する化合物を含む組成物を接触させた後、該組成物に画像様にエネルギーを付与して生成した、該中間層表面に直接結合してなるポリマーからなる画像様のポリマー層と、該画像様のポリマー層中に含有される金属粒子と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第一のレジスト組成物としてポジ型レジスト組成物を用い、第二のレジスト組成物としてネガ型レジスト組成物を用いるダブルパターニングプロセスにおいて、ネガ型レジスト組成物を塗布した際の影響の少ないレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に第一のレジスト膜を形成し、露光、現像して第一のレジストパターンを形成し、該レジストパターン上にネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、露光、現像するレジストパターン形成方法において第一のレジスト膜を形成するために用いられ、酸解離性溶解抑制基を含む（α−置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）と、ラクトン含有単環式基を含む（α−置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）とを有する樹脂成分（Ａ）および酸発生剤成分（Ｂ）を含むポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ホールパターンを高密度に形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１上に複数の柱状の構造物を形成する工程と、複数の構造物に包囲された領域に窪み部が形成されるように、複数の構造物の側壁に側壁膜を形成する工程と、複数の構造物の上、及び窪み部の底部の側壁膜をエッチングして除去する工程と、側壁膜を残し、複数の構造物を選択的にエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の微細パターン形成方法に関する。
【解決手段】より具体的には被食刻層が備えられた基板上に第１〜第３のマスクパターンからなる積層パターンを形成する段階と、前記第３のマスク膜を食刻バリアに利用して第２のマスクパターンを側面食刻する段階と、前記第３のマスクパターンを除去する段階と、前記第２のマスクパターンの上部を露出するスピンオンカーボン層を形成する段階と、前記スピンオンカーボン層を食刻バリアに利用して被食刻層を露出させる段階と、前記スピンオンカーボン層を除去する段階とを含む半導体素子の微細パターン形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】露光量を厳密に制御せずとも、フォトレジストの層厚精度を高く維持することのできるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】露光装置からの露光光を遮断する遮光領域６１と、露光光を完全に透過させる透過領域６２と、露光光を部分的に透過させる半透過領域６３とを有するハーフトーンマスク６０を通して、露光光の吸収係数が高いフォトレジストＰ１に露光光を照射し、現像処理する。露光光はフォトレジストＰ１で吸収されるため、ハーフトーンマスク６０を通過した露光光は多結晶半導体層１２まで届かず、多結晶半導体層１２近傍では未露光の状態で残る。そのため、現像条件が過剰となった場合は、未露光部分の現像速度は遅く、過小となった場合は既露光部分の現像速度は速いため、現像条件のばらつきに対してレジストパターンの層厚は安定する。 （もっと読む）

【課題】感光性樹脂組成物を用いたフォトリソグラフィーにより、工程が簡便で、工程歩留まりが高く、高精度な中空構造を有する成形体を安価に作成する方法を確立すること。
【解決手段】基板上に、波長が４００ｎｍ以上の光に感光しない第１の感光性樹脂層を形成し、第１のマスクを介して波長が４００ｎｍ未満の光を照射する工程、現像処理を施すこと無く、前記工程により感光処理された第１の感光性樹脂層の上に、波長が４００ｎｍ以上の光に感光する固形分９０重量％以上の固形又は半固形の第２の感光性樹脂層を形成し、第２のマスクを介して波長が４００ｎｍ以上の光を照射する工程、前記第１及び第２の感光性樹脂層に一括で加熱処理を施す工程、及び前記第１及び第２の感光性樹脂層の未感光部を一括で現像する工程を有する、中空構造を有する成形体の製造法。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法において有用である、除去可能な撥液性層を容易に形成することができる感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】パーフルオロアルキル基含有重合性不飽和モノマーと、ターシャリーブチル基で保護されたカルボキシル基を有する重合性不飽和モノマーおよび／またはターシャリーブチルオキシカルボニル基で保護されたフェノール基を有する重合性不飽和モノマーと、を少なくとも共重合することにより得られる、パーフルオロアルキル基含有樹脂（Ａ）；および、露光により酸を生じる光活性剤（Ｂ）；を含む、感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】インクの残渣が発生しにくい隔壁と、インクの濡れ性に優れたドットを形成しうる含ケイ素重合体を含む感光性組成物の提供。
【解決手段】エチレン性二重結合を有する単量体の２種以上の共重合体であって、ケイ素原子含有基を有する側鎖と、側鎖１つにエチレン性二重結合を２つ以上有する側鎖とを有する含ケイ素重合体（Ａ）と、１分子内に酸性基とエチレン性二重結合とを有する感光性樹脂（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）とを含有する組成物であって、組成物の全固形分における含ケイ素重合体（Ａ）の割合が０．１〜２５質量％である感光性組成物。 （もっと読む）

【課題】レジストをエッチングマスクとして用いず、またリフトオフ法を用いることなくパターン形成が可能となるパターンの形成方法等を提供する。
【解決手段】パターンの形成方法であって、
母材上の薄膜の表面に、レジストによるパターンを形成する工程と、
レジストによるパターンの上に、反転層を形成する工程と、
反転層を前記レジストの表面が露出するまで除去した後に、レジストを除去することにより、レジストによるパターンと相補的な前記反転層による反転パターン形成する工程と、
反転層による反転パターンをマスクとして前記薄膜をエッチングし、該薄膜上に反転層を有する該薄膜によるハードマスク層を形成し、該ハードマスク層をマスクとして、または薄膜上の前記反転層を除去したハードマスク層をマスクとして、母材をエッチングする工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたレジストパターンとミキシングすることがなく、且つこのパターン間に良好に埋め込むことができると共に、酸素アッシング耐性及び保存安定性に優れるパターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法を提供する。
【解決手段】本反転パターン形成方法は、基板上にレジストパターンを形成する工程と、パターン間にパターン反転用樹脂組成物を埋め込む工程と、レジストパターンを除去し、反転パターンを形成する工程と、を備えるものであって、パターン反転用樹脂組成物は、ポリシロキサン及び有機溶剤を含有し、且つポリシロキサンは、［Ｒ^１_ａＳｉＸ_４−ａ］（Ｒ^１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｘは塩素原子又は−ＯＲ^２、Ｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基、ａは１〜３の整数である）で表される１種又は２種以上の化合物を加水分解及び／又は縮合させて得られたものである。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体１上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、第一のレジスト膜２を選択的に露光し、現像して複数のレジストパターン３を形成し、レジストパターン３の表面にそれぞれ金属酸化物膜からなる被覆膜４を形成して複数の被覆パターン５を形成し、該被覆パターン５が形成された支持体１表面をアルカリ処理し、該被覆パターン５が形成された支持体１上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成し、第二のレジスト膜６を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン５と、第二のレジスト膜６に形成されたレジストパターン７とからなるパターンを支持体上に形成する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体１上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、第一のレジスト膜２を選択的に露光し、現像して複数のレジストパターン３を形成し、レジストパターン３の表面にそれぞれ金属酸化物膜からなる被覆膜４を形成して複数の被覆パターン５を形成し、該被覆パターン５に対して２００℃以上の温度でベーク処理を施し、該被覆パターン５が形成された支持体１上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成し、第二のレジスト膜６を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン５と、第二のレジスト膜６に形成されたレジストパターン７とからなるパターンを支持体上に形成する。 （もっと読む）

【課題】第一のレジスト膜上に第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成するために、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行って第二のレジスト液に溶解しないように性状を変化させるフリージングプロセスにおいて、第一のレジストパターンが第二のレジスト液に溶解せず、第一のレジストパターンの寸法が変化しない、更には、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのドライエッチング耐性が同じであるという要件を満たすように、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行う為のフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ヘテロ原子を骨格に有する環状構造を有する特定の化合物を含有するパターン形成用表面処理剤、及び、当該表面処理剤を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】第一のレジスト膜上に第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成するために、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行って第二のレジスト液に溶解しないように性状を変化させるフリージングプロセスにおいて、第一のレジストパターンが第二のレジスト液に溶解せず、第一のレジストパターンの寸法が変化しない、更には、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのドライエッチング耐性が同じであるという要件を満たすように、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行う為のフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】アミノ基および芳香族環を有する特定の化合物を含有するパターン形成用表面処理剤、及び、当該表面処理剤を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】認識マークの脱落を確実に防止することができるとともに、箔物に対しても容易に認識マークを形成することができるメタルマスクを得る。
【解決手段】半田ペースト等をプリント配線板に塗布形成するための開口パターンが形成されたメタルマスク１の一面上に、薄膜状のレジスト２を形成する第１の工程と、メタルマスク１の一面上から、認識マークを形成する部分のレジスト２を除去する第２の工程と、メタルマスク１の認識マークを形成する部分と電極４とを電解液５に浸して、メタルマスク１と電極４とを交流電源６に接続することにより、メタルマスク１の一面の所定位置に、電解処理によって、他の部分よりも濃い色の皮膜１ｂを形成する第３の工程と、皮膜を形成した後、メタルマスク１の一面上からレジスト２を除去する第４の工程とによって、メタルマスク１を製造する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングの解像度を最大限に発揮し得るパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板１０１上に下層膜１０２、中間層膜１０３、及び第１のレジスト膜１０４を形成した後、１回目の露光を行い、第１のレジストパターン１０４ａを形成する。その後、第１のレジストパターン１０４ａを中間層膜１０３に転写して、第１の中間層パターン１０３ａを形成した後、その上に第２のレジスト膜１０７を形成し、２回目の露光を行い、第２のレジストパターン１０７ａを形成する。その後、第２のレジストパターン１０７ａを中間層膜１０３に転写して、第２の中間層パターン１０３ｂを形成する。第２のレジスト膜１０７を除去後、第２の中間層パターン１０３ｂをマスクに下層膜１０２をエッチングして、下層膜パターン１０２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】
カラーフィルタの特性低下を防止したカラーフィルタの製造方法を提供すること。
【解決手段】
第１の着色層塗布工程と、所望の大きさよりも大きく第１の着色層２０を形成する第１の着色層形成工程と、第２の着色層塗布工程と、フォトレジスト層形成工程と、フォトレジスト層２２を第３の着色層２３を形成するパターン様に除去する画像形成工程と、エッチング工程と、フォトレジスト層除去工程と、３の着色層塗布工程と、第１の着色層２０が露出するまで平坦化する平坦化工程とによりカラーフィルタを製造する。 （もっと読む）

【課題】 凹部の均一な形状、凹部エッジの真直性、凹部深さの精度が得やすく、さらに、耐久性に優れる凹版とその製造法を提供する。
【解決手段】 少なくとも表面にダイヤモンドライクカーボン又は無機材料を有し、その表面に転写物を保持するための凹部が形成されており、しかも、その凹部が開口方向に向かって幅広に形成されている凹版であり、（Ａ）凹版用基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている凹版用基材の表面に、ダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなる膜を形成する工程及び（Ｃ）凸状のパターンを除去する工程を含む方法により製造することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な形状を有する微細なパターンを得ることのできるダブルパターニングを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板１０１上に下層膜１０２、中間層膜１０３を形成した後、第１のレジスト膜１０４を用いた１回目のパターン露光、及び第２のレジスト膜１０７を用いた２回目のパターン露光で形成されたレジストパターンを中間層膜１０３に転写し、さらに中間層パターン１０３ｂをマスクに下層膜１０２下層膜１０２をエッチングして下層膜パターン１０２ｂを形成する。ここで、第１及び第２のレジスト膜１０４、１０７は、化学増幅型のレジスト膜であり、第２のレジスト膜１０７は、第１のレジスト膜１０４よりも、レジストの感度を向上させる添加物、若しくはレジスト露光部のアルカリ溶解性を向上させる添加物を多く含んでいる。 （もっと読む）