【課題】フォトリソグラフィを用いたエッチング方法は、スパッタリングまたは蒸着などの方法により、クロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜し、レジストの塗布、硬化処理、露光、さらに現像およびレジスト膜の除去などの工程を必要とし、そして現像液や膜を除去するための溶液などを必要とし工程が複雑である。簡略なエッチング方法を実現する。
【解決手段】転写体１０は、基材１と、基材１上にパターン形成された剥離層２と、剥離層２上に形成された接合膜３とを備える。このような転写体１０を用いることで、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体２０の表面２５に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチングレジスト又はめっきレジスト等のレジスト材料として優れた解像度及び密着性を有する感光性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）バインダーポリマー：２０〜９０重量％、（Ｂ）光重合性化合物：５〜７５重量％、及び（Ｃ）光重合開始剤：０．０１〜３０重量％を含有する感光性樹脂組成物であって、前記（Ａ）バインダーポリマーは、カルボン酸又はカルボン酸無水物である第一単量体と重合性不飽和基を１個有し、かつ非酸性である第二単量体とを共重合することにより得られた重量平均分子量５，０００〜１００，０００の共重合体であり、前記（Ｂ）光重合性化合物は、付加重合性モノマーであり、かつ、前記感光性樹脂組成物に露光を行い、次いで現像を行った後に得られた感光性樹脂層の水接触角が６０°以上、かつ、ヤングモジュラスが１．５ＧＰａ以上４ＧＰａ未満である感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】イオン注入フォトレジストを剥離する際に有用である、少なくとも１つの酸性官能基を含有する水溶性ポリマーおよび少なくとも１つのランタニド金属含有酸化剤の水溶液を含むスピンオン配合物を提供する。
【解決手段】このスピンオン配合物をイオン注入フォトレジストに塗布し、ベークして、改質フォトレジストを形成する。改質フォトレジストは、水性、酸性、または有機溶剤に溶ける。このため、上述の溶剤の１つを用いて、イオン注入フォトレジストおよび存在し得るいずれかのフォトレジスト残留物を完全に剥離することができる。改質フォトレジストを剥離した後、水洗いステップを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストパターンが形成された基板からリンス液を除去する際にパターン倒れを防止でき、また、疎水化剤の使用量を低減し、基板処理を行う際の処理コストを低減できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが形成された基板にリンス液を供給するリンス液供給工程Ｓ１２と、レジストパターンを疎水化する第１の処理液の蒸気を含む雰囲気で、リンス液が供給された基板からリンス液を除去するリンス液除去工程Ｓ１４〜Ｓ１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた場合であっても十分な気密封止性を得ることができる感光性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】露光及び現像によってパターニングされた後に被着体に対する熱圧着性を有し且つアルカリ現像が可能な感光性接着剤組成物１ａであって、露光後、更に加熱硬化された後の１１０℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上である、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 従来の欠点及び制限を軽減する、パターン形成性誘電体材料を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成性誘電体材料は、シルセスキオキサン重合体であり、さらに、ネガ階調型光パターン形成性誘電体調合物中のシルセスキオキサン重合体、シルセスキオキサン重合体を含むネガ階調型光パターン形成性誘電体調合物を用いた構造体の形成方法、及びシルセスキオキサン重合体から作られる構造体を開示する。 （もっと読む）

本発明は、実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物に関する。特に、イオン注入工程の後にフォトレジストを剥離するのに有用な実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物であって、
（ａ）アミン
（ｂ）有機溶媒Ａ，及び
（ｃ）共溶媒、
を含み、組成物は実質的に水分を含まない（＜３質量％Ｈ₂Ｏ）。本発明は、同様に、本発明の組成物を用いてポストイオン注入フォトレジスト剥離のプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてより正確且つ精密に基板上で高分子合成することができる酸転写性樹脂組成物、バイオチップの製造方法及びバイオチップを提供する。
【解決手段】本組成物は、（Ａ）重合体と、（Ｂ）感放射線性酸発生剤と、を含有する酸転写性樹脂組成物であって、酸発生剤（Ｂ）は、放射線の照射により、スルホニルアニオンを構造中に有する酸を発生させ、スルホニルアニオンの化学構造式中の全原子数に対する炭素原子数の割合が３０％以上である。本方法は、酸解離性基を有する第１化合物を基板に結合して第１膜を形成する工程、第１膜上に、組成物を用いて第２膜を形成する工程、第２膜を露光して、露光された部分に対応する第１膜から保護基を除去する工程、第２膜を除去する工程、第１膜のうち保護基が除去された部位に第２化合物を結合する工程、を備える。 （もっと読む）

【課題】電気透析、又は電気分解を行わなくとも、効率よく水酸化テトラアルキルアンモニウム(ＴＡＡＨ）を製造することができ、特に、例えば、フォトレジスト現像廃液を原料として、簡易的な設備で容易に製造できる方法の提供。
【解決手段】安定な物質で、入手も容易である塩化テトラアルキルアンモニウム、特に、ＴＡＡＨを含む廃液から回収した該塩化テトラアルキルアンモニウムと、対イオンとして水酸化物イオンを有する陰イオン交換樹脂とを接触させることでＴＡＡＨを製造する。 （もっと読む）

【解決手段】１）酸の作用でアルカリ溶解性が増加する繰り返し単位とラクトン構造含有繰り返し単位とを有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を、基板上に塗布して第１レジスト膜を形成し、加熱処理後に露光し、加熱処理後にアルカリ現像して第１レジストパターンを形成する工程、
２）第１レジストパターン上にレジスト変性用組成物を塗布し、加熱して変性処理を行う工程、
３）その上に第２ポジ型レジスト材料を塗布し、加熱処理後に露光し、加熱処理後にアルカリ現像して第２レジストパターンを形成する工程
を含むパターン形成方法に使用されるレジスト変性用組成物で、特定構造のベース樹脂とアルコール系溶剤を含む。
【効果】第１パターンの十分な不活性化、第２パターニング後の保持が可能となり、２回の露光と１回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスが可能である。 （もっと読む）

【課題】露光量が少ない場合にも、基板上に多種類の高分子を形成できるバイオチップの製造に好適な酸転写樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記式（１）に示す構造単位を有する重合体と、（Ｂ）感放射線性酸発生剤とを含有する酸転写樹脂組成物。


（式（１）中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基を示し；Ｒ²は置換基を有していてもよいアリーレン基を示し；Ｒ³及びＲ⁴はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、アリル基又はフェニル基を示すか、あるいはＲ³及びＲ⁴が窒素原子と一緒になって環状アミノ基を形成してもよい。ｎは０〜８の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】微細なパターンを高精度で形成することのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板に第１パターンを形成する工程と、第１パターンの状態を計測する計測工程と、第１パターンを化学的に処理してリソグラフィーに対する耐性を付与するフリージング工程であって、計測工程の計測結果に基づいて処理条件を変更するフリージング工程と、基板に第２パターンを形成する工程とを具備し、フリージング工程は、処理液を塗布する工程と、第１加熱工程と、不要な処理液を除去するストリッピング工程と、第２加熱工程と、を具備し、変更する処理条件は、第１加熱工程の加熱温度、ストリッピング工程の処理時間、第２加熱工程の加熱温度のうちの少なくともいずれか１つである。 （もっと読む）

【課題】パターンレシオに依存することなく寸法均一性に優れたレジストパターンを形成できる方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板上に所望のレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法において：前記半導体基板上にレジスト層を形成し；前記所望のレジストパターンの周辺に余剰部分を形成するように、前記レジスト層が形成された半導体基板に対して第１の露光を行い；前記第１の露光工程の後、第１の現像処理を行い；前記第１の現像処理の後、第１の洗浄処理を行い、前記余剰部分を有する第１のレジストパターンを形成し；その後、前記第１のレジストパターンが形成された前記半導体基板に対して、前記所望のレジストパターンに対応する第２の露光を行い；前記第２の露光工程の後、第２の現像処理を行い；前記第２の現像処理の後、第２の洗浄処理を行い、前記余剰部分の除去された前記所望のレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 より微細なパターンを簡便かつ効率的に形成可能であり、半導体の製造プロセスに適用することのできる、実用性の高いパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、（１）基板上に有機下層膜を成膜し、有機下層膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、（２）フォトレジストパターンに、アルカリ性物質を含むアルカリ性溶液を保持させ、その後過剰なアルカリ性溶液を除去する工程と、（３）フォトレジストパターンに、アルカリ性物質の作用により架橋可能なシロキサンポリマー溶液を塗布して、フォトレジストパターン近傍で架橋させて架橋部を形成する工程と、（４）未架橋のシロキサンポリマー及びフォトレジストパターンを除去する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】支持体に設けられた樹脂基材に対して凸状となることなくパターンを簡便に形成するためのパターン形成方法を提供する。
【解決手段】パターン形成工程において、支持体１上にネガ型の感光性樹脂層１２を形成し、この感光性樹脂層１２上にパターン３を形成し、埋め込み・硬化工程において、感光性樹脂層１２のガラス転移温度以上の温度で熱処理を施してパターン３を感光性樹脂層１２に埋め込み、これと同時に感光性樹脂層１２を硬化させて樹脂基材２とし、これにより、支持体１上に設けられた樹脂基材２に凸状となることなくパターン３を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は着色されたシリコーンゴム層を有する水なし平版印刷版原版に対し、従来よりも高い版裏面洗浄性を有し、現像機の大型化やコスト増といった影響が少ない現像機を提供することを課題とする。
【解決手段】着色されたシリコーンゴム層を有する水なし平版印刷版原版を搬送ロールで搬送しながら、上記シリコーンゴム層をブラシロールで擦って現像する印刷版原版の現像方法において、ブラシロールを回転および／またはロール方向に往復させ、画像部におけるシリコーンゴム層を物理的に除去するとともに、印刷版原版裏面に接触する搬送ロールおよび／またはブラシ受けロールを洗浄する機構を備えることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のパターンの微細化が進展した場合においても、工程数を増加させること無く、容易にハードマスクを形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に、少なくとも、層間絶縁膜２と金属配線層３とをこの順で形成する方法であり、金属配線層３は、層間絶縁膜２上に形成された金属膜上にフォトレジスト膜のパターンを形成した後、このフォトレジスト膜の表面に、触媒反応を用いて絶縁体を選択的に堆積させて絶縁ハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、次いで、この絶縁ハードマスクを用いて金属膜をエッチング処理するエッチング工程の各工程によって形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としての、例えばフォトレジスト膜５３からなる有機膜を無機化する無機化ステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってフォトレジスト膜５３をＳｉ酸化膜に改質する酸化ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版の処理方法において、画像銀の親油性を損なうことなく非画像部の親水性を向上させ、特に非画像部のインキ汚れや、ブランケット汚れを改善する製版方法を提供すること及び上記製版方法において、使用される処理液が長期にわたる保存にも安定である処理液を提供すること。
【解決手段】ハロゲン化銀乳剤層の上層に物理現像核層を有する銀塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理方法において、現像処理後に下記一般式１で表される化合物の存在下で処理することを特徴とする平版印刷版の処理方法及びそれに用いる版面処理液。
【化１】
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