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Fターム[2H096HA30]の内容

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Fターム[2H096HA30]に分類される特許

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【課題】従来技術では困難であった一方の開口部から他方の開口部まで同一径で、径が50μm以下の微細径貫通孔を形成することを可能とする。また、孔の内部を外部から視認できるようにする。
【解決手段】本発明の一実施形態によれば、第1の樹脂基材13の一平面に所望の微細径の金属線19を所望のピッチで配設し、前記金属線19が配設された第1の樹脂基材13の一平面と、前記第1の樹脂基材と同じ材質からなる第2の樹脂基材14の一平面とを、前記第1および第2の樹脂基材の材質を主成分とする接着剤を介して接着して一体化し、一体化された前記第1および第2の樹脂基材15を所望の厚さに切断し、一体化された前記第1および第2の樹脂基材17をエッチング液に浸漬して前記金属線19を溶解すること、を備えることを特徴とする微細径貫通孔を有する樹脂基材18の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】側壁加工プロセス用のパターンを高い精度で効率良く作成する。
【解決手段】設計パターンを形成するためのマスクパターンである第1のパターンに任意のプロセス条件下でのシミュレーションを実行してウェーハ上でのレジストの仕上がり形状を表す第2のパターンを形成し、前記第2のパターンにリサイズ処理を実行することにより前記第2のパターンよりも太い第3のパターンを形成し、図形データ上での演算処理により前記第3のパターンから前記第2のパターンに相当する部分を除去して中抜きパターンである第4のパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】良好な撥インク性を有し、高さバラツキの小さい離画壁が得て、表示ムラを抑えた高品位な画像表示を可能とする。
【解決手段】撥インク剤を含有する感光性樹脂組成物を用いて塗布形成された塗布膜を、膜面からの高さ0.5cmでの気体の流速が0.5m/s以下となる範囲で乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】光反応性樹脂からなる構造体を破損せずに簡単に製造する製造方法を提供する。
【解決手段】光反応性樹脂20からなる構造体1を製造する方法であって、液体状の光反応性樹脂20が塗布された温水溶融シート10の光反応性樹脂20にマスク30のパターン32を露光し、露光後の光反応性樹脂20と温水溶融シート10を現像し、現像後の光反応性樹脂20と温水溶融シート10を50℃以上の温水で処理して温水溶融シート10を溶解することを特徴とする方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】第1のドライフィルムレジストを利用して第1の金属膜メッキを形成した後、第1のドライフィルムレジストを積極的に除去することにより、第2のドライフィルムレジストを第1金属膜上に形成する場合の追従性を著しく改善して、極微細でかつ高精細なパターンの要求に答えられるスクリーン印刷用メタルマスクの製造方法を得る。
【解決手段】基板上の印刷パターンを与えるメッシュ部分のメッシュ開口となる位置に第1のドライフィルムレジストを形成する工程と、基材の第1のドライフィルムレジストが形成されていない部分の表面に、第1の金属膜5をメッキにより形成する工程と、第1のドライフィルムレジストを除去する工程と、第1の金属膜5上に感光剤として第2のドライフィルム6を追従性良く塗布する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】二重露光によるパターンニングにおいて、第一層目に形成されるパターンを不活性化させ、第二層目のパターン形成時における露光の際に、第一層目のパターンが感光してアルカリ可溶性とならず、第一層目のパターンを保持したまま第二層目のパターンを形成可能なパターン形成方法等を提供する。
【解決手段】本パターン形成方法は、第一レジスト層形成用の樹脂組成物を用いて、基板上に第一レジスト層を形成し、第一レジスト層の所用領域に放射線を照射して露光した後、現像により第一レジストパターンを形成する工程と、第一レジストパターンを光に対して不活性化させる工程と、第二レジスト層形成用の樹脂組成物を用いて、第一レジストパターンが形成された基板上に第二レジスト層を形成し、第二レジスト層の所用領域に放射線を照射して露光する工程と、現像により第一レジストパターンのスペース部分に、第二レジストパターンを形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】密着性、現像凝集性に優れ、かつリブ頂部欠損を低減し、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂積層体、及びそれを用いたサンドブラスト表面加工方法を提供する。
【解決手段】特定のポリウレタンプレポリマーと、光重合開始剤と、特定のエチレン性不飽和付加重合性モノマーより成る感光性樹脂組成物、またはそれを支持体上に積層した感光性樹脂積層体を用いて、サンドブラスト表面加工を行う。 (もっと読む)


【課題】第1のパターニングの後の、および第2のパターニングの前のエッチングプロセスの悪影響が緩和される、密ラインを印刷するためのダブルパターニングプロセスを実現する。
【解決手段】第1の処理では、ラインの第1の半密パターンが、下層反射防止コーティングを施された基板の上に重なる第1のレジスト層内に印刷される。第2の処理では、ラインの第2の半密パターンが、クリアされた領域上に設けられた第2のレジスト層内に印刷される。第1および第2の半密ラインパターンは、交互位置に配置され、ラインアンドスペースの所望の密パターンをもたらす。第1のレジストを現像した後、第2のレジストを基板に設ける前に、下層反射防止コーティングの表面調整が、第1のレジスト材料のライン間のクリアされた領域に対し行われる。表面調整ステップは、クリアされた領域の表面への第2のレジストのフィーチャの接着を改善する。 (もっと読む)


【課題】本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関する。
【解決手段】被食刻層が形成された半導体基板上に第1のフォトレジストパターンを形成する段階と、前記第1のフォトレジストパターン上にパターンハードニングコーティング剤をコーティングしてパターンハードニング膜を形成する段階と、前記結果物上に第2のフォトレジスト膜を形成する段階と、前記第2のフォトレジスト膜に露光及び現像工程を選択的に行なって前記第1のフォトレジストパターンの間に第2のフォトレジストパターンを形成する段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】レーザー彫刻印刷版表面の粘着性の高い液状カスを、簡便な方法で短時間に洗浄除去できる方法の提供。
【解決手段】本発明は、感光性樹脂硬化物層を少なくとも1層有するレーザー彫刻印刷原版表面にレーザー光を照射し、照射された部分の感光性樹脂硬化物を除去させて形成される凹凸パターンを有するレーザー彫刻印刷版の表面に残存する彫刻カスの洗浄方法であって、(i)レーザー彫刻印刷版表面又は表面近傍の温度を40℃以上150℃以下に加熱する工程と、(ii)レーザー彫刻印刷版表面と多孔質有機体とを接触させる工程と、を含むことを特徴とするレーザー彫刻印刷版表面の洗浄方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィ工程の解像限界を越える微細な半導体パターンの形成。
【解決手段】ベース樹脂、ポリ[(メト)アクリル酸/3,3−ジメトキシプロペン]、光酸発生剤、有機塩基及び有機溶媒を含む感光剤組成物、及び前記感光剤組成物を利用して行なわれる二重パターニング工程により形成される半導体素子の微細パターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】絶縁層上に金属薄膜を高い強度で密着させることができる金属薄膜形成方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の金属薄膜形成方法は、〔i〕架橋微粒子(例えば、ブタジエン/アクリロニトリル/ヒドロキシブチルメタクリレート/メタクリル酸/ジビニルベンゼンからなる共重合物等)及び樹脂(例えば、m−クレゾール/p−クレゾールからなるクレゾールノボラック樹脂等のアルカリ可溶性樹脂)を含有する絶縁樹脂組成物により形成されている、架橋微粒子を含有する絶縁層の表面を、プラズマ処理する工程と、〔ii〕表面が粗化された絶縁層上に、金属薄膜を形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】2重露光を用いた超微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板110の上部に第1のハードマスク層120、第2のハードマスク層130.第3のハードマスク層140、第4のハードマスク層150を形成し、ライン/スペースマスクで第4のハードマスク層150と第3のハードマスク層140とを選択食刻して上部水平幅が下部より狭い第4のハードマスク層パターンと第3のハードマスク層パターンとを形成し、第4のハードマスク層パターン及び第3のハードマスク層パターンを埋め込む絶縁膜を形成し、絶縁膜を食刻マスクに第4のハードマスク層パターン及び下部の第3のハードマスク層パターンを選択食刻して第3のハードマスク層パターンと該下部に第4のハードマスク層パターンとを形成し、絶縁膜と第4のハードマスク層パターンとを除去し、第3のハードマスク層パターンを食刻マスクに半導体基板をパターニングしてパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】エッチング耐性、反射防止機能に優れるとともに、画像形成するための上層においてスカムが低減された下層レジスト層を形成可能な組成物および該組成物に添加する新規化合物、該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)芳香環式炭化水素構造及び脂環式炭化水素構造の少なくともいずれかを有する樹脂、(B)少なくとも1つ以上のアダマンタン構造を有し、酸により活性化され、(A)成分と反応して架橋構造を形成するメチロール化したフェノール類化合物またはメチロール化したメラミン類化合物、及び、(C)熱により分解して酸を発生する化合物を含有する下層レジスト組成物、該組成物に有用な少なくとも1つ以上のアダマンタン構造を有し、酸により活性化され、(A)成分と反応して架橋構造を形成するメチロール化した新規なフェノール類化合物、及び、該組成物を用いたパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、感光性平版印刷版の現像処理において発生する洗浄廃水の凝集処理において、凝集効果を高め、凝集処理された洗浄廃水の濾過特性を高める、洗浄廃水を処理する簡便な方法を提供することである。
【解決手段】感光性平版印刷版の現像処理装置において発生する洗浄廃水を処理する方法であって、(1)当該洗浄廃水にカチオン系高分子凝集剤を添加し、その後(2)アニオン系高分子凝集剤を添加し、そして(3)濾過することを含む処理方法。 (もっと読む)


【課題】デバイスの微細化におけるパターニング寸法精度の向上を図れるようにすること。
【解決手段】半導体ウエハWにレジスト塗布処理,露光処理及び現像処理等のリソグラフィ処理を施して所定のパターンを形成するリソグラフィ工程と、上記現像処理後のパターンをマスクとするエッチング工程と、を繰り返し行うパターン形成方法において、1回目のエッチング処理後のウエハの表面に、該ウエハに形成されたエッチングパターン2の空間を残して犠牲膜4を皮膜し、その後、2回目以降のリソグラフィ工程及びエッチング工程を行ってパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】微粒子の付着部分に酸を発生させることがなく、付着の均一性を向上させ、低欠陥なパターンを形成することが可能となるパターン形成方法、デバイス作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に、複数の微粒子を配して構成されるパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記基板上に、アミノ基を含有するシランカップリング剤を含有する層を形成する工程と、
前記シランカップリング剤を含有する層上に、ネガ型レジスト層、あるいは溶解阻害ポジ型レジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を選択的に除去し、前記シランカップリング剤を含有する層を表出させる工程と、
前記表出したシランカップリング剤を含有する層上に、前記複数の微粒子を配する工程と、を有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】 パターン形成を簡略化した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被加工膜100上に第一のパターン105を形成し、第一のパターン105が形成された領域を含む被加工膜100上に反射防止膜106及びレジスト膜107を順に形成し、レジスト膜107を加工してレジストパターン103を形成し、レジストパターン108下に露出した反射防止膜106をレジスト膜107の加工に使用した現像液と同一の現像液により加工して、被加工膜100の一部及び第一のパターン105の少なくとも一部を露出し、第一のパターン105及びレジストパターン108をマスクに被加工膜100を加工することにより、被加工膜100に配線パターン110等を形成する。 (もっと読む)


【課題】第1層が形成されてできた凹凸の影響によるリンス不足に起因する現像残渣の発生を防止し、各色パターンが良好な矩形状に構成され、平坦性の高いカラーフィルタを作製する。
【解決手段】(a)第1の着色層形成工程と(b)第1の着色層上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と(c)第1の着色層上の領域のうち第1の着色層とは異なる第2の着色層を形成する領域のみにおけるフォトレジスト層を除去することにより、第1の着色層上に画像を形成する画像形成工程と(d)画像形成工程によって形成された画像様に、第2の着色層を形成する領域における第1の着色層をドライエッチング法により除去するエッチング工程と(e)フォトレジスト層除去工程と(f)着色光硬化性組成物を前記第1の着色層が除去された前記領域に露光、現像により付与して第2の着色層を形成する第2の着色層形成工程と、を設けて構成されている。 (もっと読む)


【課題】 被処理体におけるパターンの精度の均一性を確保しながら、省レジスト化並びに工程数、総工程時間およびフォトリソグラフィー関連装置の台数の削減を図る。
【解決手段】 ステップS7のリフロー処理に先立ち、ステップS6で表面改質処理を行なう。表面改質処理により、nSi膜205の露出表面が表面改質され、表面改質処理面205aが形成される。次に、リフロー処理ユニット(REFLW)60にてリフロー処理が行なわれる。このリフロー処理によって、軟化したレジストが変形するが、nSi膜205の表面改質処理面205aでは軟化したレジストの流動が抑えられ、リフロー後の変形レジスト212が下層のソース電極206aとドレイン電極206bの面積を超えて周囲にはみ出す現象が大幅に抑制される。 (もっと読む)


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