【課題】ブラックマトリックスに最適な撥インキ性を具備させる事により高品質なカラーフィルターをより効率的に製造する事が出来るカラーフィルタの製造方法及び装置を得る。
【解決手段】透明基板上に撥インキ性を付与できる撥インキ剤が含有されているブラックマトリックス用の感光性樹脂組成物を塗工する第１の工程と、前記透明基板を室温の大気中で所定時間待機させ予備乾燥を行う第２の工程と、減圧乾燥作業を行なう第３の工程と、前記透明基板にブラックマトリックスのパターンを露光し現像し焼成する第４の工程と、前記ブラックマトリックスの開口部にインキジェット方式により所望の色のインキを吐出して着色層を形成する第５の工程によりカラーフィルターを製造する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの膜減りが低減された新規なレジストパターン形成方法、および当該レジストパターン形成方法に用いられるネガ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】支持体１上に、第一のレジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成する工程と、前記第一のレジスト膜２を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターン３を形成する工程と、前記第一のレジストパターン３が形成された前記支持体１上に、水酸基を有さないエーテル系有機溶剤（Ｓ”）を含有するネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成する工程と、前記第二のレジスト膜６を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像してレジストパターン３、７を形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】現像後のパターン表面の欠陥を改良するための現像後レジスト基板処理液およびそれを用いたレジスト基板の処理方法の提供。
【解決手段】窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマー、例えばポリアミン、ポリオールまたはポリエーテルと、溶媒とを含んでなることを特徴とするレジスト基板処理液、ならびに現像処理後のレジストパターンを、そのレジスト基板処理液により処理し、純水により洗浄をさらに行うことを特徴とするレジスト基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】支持体上に高精細かつ高アスペクト比のパターンを形成できるパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に下層膜を形成する工程、該下層膜上にシリコン系ハードマスクを形成する工程、該ハードマスク上に化学増幅型ネガ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程、第一のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第一のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、ハードマスクをエッチングして第一のパターンを形成する工程と、前記第一のパターン上に化学増幅型ポジ型シリコン系レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程、第二のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第二のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、下層膜をエッチングして第二のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法、及び該パターン形成方法に好適に用いられる被覆膜形成用材料を提供する。
【解決手段】支持体１上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、第一のレジスト膜２を選択的に露光し、現像して複数の第一のレジストパターン３を形成し、第一のレジストパターン３の表面にそれぞれ水溶性樹脂膜からなる被覆膜４を形成して複数の被覆パターン５を形成し、該被覆パターン５が形成された支持体１上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成し、第二のレジスト膜６を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン５と、第二のレジスト膜６に形成された第二のレジストパターン７とからなるパターンを支持体１上に形成する。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜にダメージを与えることなく、砒素がドープされたレジストが除去可能であり、酸化剤を含有しないレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】 硫酸及びポリリン酸を含む組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】種々の機能性材料を付着させうる高解像度のグラフトパターンの形成が可能であり、基板とグラフトポリマーとの密着性に優れたグラフトポリマーパターン形成方法及びそれを用いた基板との密着性に優れ、基板との界面における凹凸が小さい金属膜を形成しうる導電性パターン形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上に感光性レジストパターンを形成する工程、（ｂ）該基板上の感光性レジストパターンの非形成領域に光重合開始剤を付与する工程、（ｃ）感光性レジストパターンを剥離する工程、及び、（ｄ）基板表面に、全面にわたり二重結合を有する化合物を接触させ、全面にエネルギーを付与して、光重合開始剤を付与した領域にグラフトポリマーを形成させる工程、を含む、グラフトポリマーパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 有機膜パターンへの２回目以降の現像処理をスムーズに行うことなどを可能とする基板処理方法及びそれに用いる薬液を提供する。
【解決手段】 基板１上の有機膜パターン４の表面には、有機膜パターン４の表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている。この場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理に用いられる薬液であって、ヒドロキシルアミン誘導体とヒドラジン誘導体とのうちの少なくとも一方からなる第１の成分と、現像機能液成分と、を含む水溶液である。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー限界以上のピッチを有する微細パターンを形成する製造方法を提供する。
【解決手段】被食刻層１３を有する半導体基板１１上に化学増幅型フォトレジストパターン１５を形成し、この上にシリコン含有ポリマーをスピンコーティングする。露光、ベークしフォトレジストパターンとシリコン含有ポリマーの界面に架橋結合層１９を形成する。これを現像し架橋結合がなされていないシリコン含有ポリマーを除去し、フォトレジストパターンの周辺のみに架橋結合層を形成する。フォトレジストパターンの上部が露出するまで架橋結合層をエッチバックし、フォトレジストパターンの側壁に架橋結合層を残す。フォトレジストパターンを除去して架橋結合層からなる微細パターンとする。これを食刻マスクにして被食刻層をパターニングする。 （もっと読む）

【課題】分離された２つのリソグラフィ工程を用いて、微細パターンを提供する一つのマスクを製造する。
【解決方法】本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関し、特に被エッチング層を含む半導体基板を提供する段階と、被エッチング層の上部に第１フォトレジストパターンを形成する段階と、第１フォトレジストパターンを露光して第１フォトレジストパターンに酸を発生させる段階と、第１フォトレジストパターンをブリーチングして第1フォトレジストパターンを光に鈍感にさせる段階と、被エッチング層と光に鈍感になった第1フォトレジストパターンなどの上部に第２フォトレジストを形成する段階と、第２フォトレジストを露光して第２フォトレジストパターンを形成する段階とを含むものの、被エッチング層の上部に第１及び第２フォトレジストパターンを提供して素子の高集積化と歩留まりを改善できる技術である。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関する。
【解決手段】被食刻層が形成された半導体基板上に第１フォトレジストパターンを形成し、前記第１フォトレジストパターンの側壁にシリコン含有ポリマー層を形成し、前記第１フォトレジストパターンを除去してシリコン含有ポリマー層からなる微細パターンを形成した後、前記微細パターンに部分的に連結される第２フォトレジストパターンを形成し、前記微細パターンと第２フォトレジストパターンを食刻マスクに利用して被食刻層を食刻することにより、現在露光装備で得ることができる最小線幅より小さいサイズの線幅を有する微細パターンを形成することができる方法に関する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ限界以上のピッチを有する微細パターンを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】被食刻層が形成された半導体基板上に第１ピッチを有する厚さｔ_１のハードマスクパターンを形成する段階と、結果物上に光透過性薄膜をコンフォーマルな形でｔ_２の厚さに形成する段階と、結果物上に光吸収性薄膜をプラナー形に形成する段階と、光が被食刻層の表面からＴの高さまで到達するよう調整しながら、結果物にブランク露光工程を行う段階（ｔ_２＜Ｔ≦ｔ_１＋ｔ_２）と、結果物に対して現像工程を行いハードマスクパターンの間に光透過性薄膜及び光吸収性薄膜が積層された有機マスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターン及び有機マスクパターンを食刻マスクに被食刻層を食刻し、第１ピッチより小さい第２ピッチを有する被食刻層パターンを形成する段階と、を含むことにより４０ｎｍ以下の微細パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】レジスト間あるいはレジストとリフトオフ材料間が混ざり合って寸法精度やパターン精度が劣化することを防止すると共に、リフトオフ時に容易に有機溶剤に溶解し、安定した製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に非水溶性フォトレジスト材料１１を塗布形成する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料１１の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成する工程と、上記中間層２０上に非水溶性フォトレジスト材料１２を塗布形成する工程とを有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法、該パターン形成方法に好適に用いられる金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法を提供する。
【解決手段】支持体１上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、第一のレジスト膜２を選択的に露光し、現像して複数のレジストパターン３を形成し、レジストパターン３の表面にそれぞれ金属酸化物膜からなる被覆膜４を形成して複数の被覆パターン５を形成し、該被覆パターン５が形成された支持体１上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成し、第二のレジスト膜６を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン５と、第二のレジスト膜６に形成されたレジストパターン７とからなるパターンを支持体上に形成する。 （もっと読む）

【課題】 より細い溝を基板上に安定して精度良く形成するための溝形成方法を提供することである。
【解決手段】 基板上に電子線レジストを塗布してレジスト層を形成することと、レジスト層に電子ビームを照射してレジスト層を露光することと、レジスト層を現像してレジスト層に所定の幅を有する線状の開口部を形成することと、開口部内に高分子膜を形成することと、開口部内に開口部の幅より狭い幅を有する高分子の凝集体を開口部の長手方向に沿って連続して形成することと、凝集体をマスクにして開口部内の基板に開口部の幅より狭い幅の溝を形成することと、レジスト層及び凝集体を除去することとを含む溝形成方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】所定の間隔で配置された、所定のサイズの微細開口部を有するプレートを、低いコストで製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明による、所定の間隔で配置された、所定のサイズの微細開口部を有するプレートの製造方法は、基板上に紫外線硬化樹脂層を形成するステップと、紫外線硬化樹脂層に、微細開口部に対応したパターンの、紫外線露光を行うステップと、現像を行うステップと、紫外線硬化樹脂層を基板から剥離させてプレートを得るステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、耐水性に優れ、フォトレジスト樹脂層に均一な塗膜形成が可能であり、さらにアルカリ現像液で溶解処理が可能であるレジスト保護膜用樹脂の製造方法及びその保護膜を使用した半導体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、下記式（１）
【化１】


（上記式（１）において、Ｒ^１は水素原子、メチル基またはフッ素化メチル基を示し、Ｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基を示す。）
で表される重合単位を少なくとも含む半導体レジスト樹脂の保護膜用樹脂の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いパターンを安定して形成することのできる、パターンの形成方法、及び液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】機能液を基板Ｐ上に配置することによりパターンを形成する方法である。基板Ｐ上にバンク膜Ｂ_０を形成し、バンク膜Ｂ_０の表面に撥液処理Ｆを施す。そして、撥液処理Ｆが施されたバンク膜Ｂ_０をパターニングし、バンクを形成する。バンクに区画されたパターン形成領域の表面の水酸基を、アルキル化する表面改質処理を施す。表面改質処理を行った後、パターン形成領域に機能液を配置し、機能液を焼成して、パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を用いた処理により、表面に硬化層が形成されたレジストパターンを完全に除去することが可能なレジストパターンの除去方法を提供する。
【解決手段】表面が硬化層Ａで覆われたレジストパターン１０１を基板１００上から除去する方法である。先ず第１工程では、硬化層Ａで覆われたレジスト成分１０１ａを溶出させずに硬化層Ａと基板１００とが接する部分において硬化層Ａと基板１００との密着性を弱める作用を有する転化剤を含む超臨界流体を用いた処理を行う。次の第２工程では、レジスト成分１０１ａを溶解する有機溶剤を含む超臨界流体を用いた処理を行うことにより、硬化層Ａを基板１００上からリフトオフ除去する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造における基板工程（Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ ｏｆ Ｌｉｎｅ）におけるレジスト、反射防止膜の剥離は、従来は硫酸と過酸化水素水からなる混合溶液（ＳＰＭ洗浄液）により行われてきたが、生産性が低く、コスト的にも不利であり、なおかつ濃厚で高温処理が必要であった。特にイオン注入されたレジストは、イオン注入していないレジストよりもレジスト除去が困難であり、ＳＰＭ洗浄液でも剥離性が不十分であった。
【解決手段】 水酸化テトラメチルアンモニウム、アンモニア、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド及び水を含んでなるレジスト剥離用組成物では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。 （もっと読む）