【課題】微細粒子及びゴミ等を極力低減させ、パターンにおける欠陥数を大幅に低減することができる樹脂溶解液の精製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂溶解液に、活性炭並びに（Ａ）金属塩化物、（Ｂ）金属酸化物及び（Ｃ）イオン交換樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の添加物質を接触させる工程を含む樹脂溶解液の精製方法、樹脂溶解液の取得方法、及び化学増幅型フォトレジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を使用したレジストパターニング工程におけるパターニング性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハ１０上に第１の反射防止膜１１を形成する工程と、第１の反射防止膜１１上に第２の反射防止膜１２を形成する工程と、第２の反射防止膜１２上にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜１３を選択的に露光する工程と、この露光後にレジスト膜１３及び反射防止膜１１、１２を現像する工程と、この現像により得られたレジスト膜１３のパターンをマスクに半導体ウェーハ１０に対する処理を行う工程とを備え、第１の反射防止膜１１の感光剤濃度は第２の反射防止膜１２の感光剤濃度よりも高い。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に酸不安定基を有する繰り返し単位を有し、酸不安定基の脱離によりアルカリ性現像液に可溶になる樹脂、光酸発生剤又は熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物でレジスト膜を形成する工程、該膜に高エネルギー線の繰り返し密集パターンを露光し、未露光部を露光、加熱し、発生酸を樹脂の酸不安定基に作用させ、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応させた後、現像してポジ型パターンを得る工程、ポジ型パターンを露光又は加熱して、樹脂の酸不安定基を脱離させ、架橋を形成させてポジ型パターンに有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜形成工程、上記架橋形成ポジ型パターンを溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたレジストパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ポジ型パターン上に反転用膜を成膜し、パターンにダメージを与えずにポジ型パターンの間隙に反転用膜形成用材料を埋め込められ、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行える。 （もっと読む）

【課題】優れた形状及びラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができる化学増幅型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】２３℃における水への溶解度が０．１％以下である酸発生剤と、樹脂とを含有する液浸露光用化学増幅型フォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィーに有用な新規のフォトレジスト組成物が提供される
【解決手段】好ましい態様において、提供されるフォトレジスト組成物は、（ｉ）光酸不安定基を含む１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）前記１種以上の樹脂とは異なっていて、光酸不安定基を含む１種以上の物質を含み；前記１種以上の物質の光酸不安定基の脱保護活性化エネルギーが、前記１種以上の樹脂の光酸不安定基の脱保護活性化エネルギーより低いかまたはこれとほぼ同じである。別の好ましい態様において、提供されるフォトレジスト組成物は、（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）少なくとも１オングストローム／秒のダークフィールド溶解速度を提供するのに充分な量の酸性基を含む１種以上の物質を含む。 （もっと読む）

【課題】優れた形状及びラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される構造単位を有する樹脂を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。


［Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^０は、２価のＣ_１-17飽和炭化水素基を表す。Ｙ^１は、炭素数３〜３６の飽和環状炭化水素基を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｘ^２は、単結合又は−［ＣＨ_２］_ｋ−を表す。ｋは、１〜８の整数を表す。Ｙ^２は、炭素数４〜３６の飽和環状炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】現像後のレジストパターンのディフェクトの発生を抑制できるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。また、異物経時特性（保存安定性）に優れるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。そして、さらに好ましくは、処理前後で感度やレジストパターンサイズの変化が起こりにくいホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。
【解決手段】樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、有機溶剤（Ｃ）とを含むホトレジスト組成物を、孔径が０．０４μｍ以下のナイロン膜からなる第１の膜を備えた第１のフィルタを通過させる工程を有し、且つ前記第１のフィルタを通過させる工程の前後の一方又は両方に、さらに、該ホトレジスト組成物を、ポリオレフィン樹脂またはフッ素樹脂製の第２の膜を備えた第２のフィルタを通過させる工程を有することを特徴とするホトレジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大してネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、１個または２個のフッ素原子を有する酸を発生する光酸発生剤と、（Ｃ）溶剤とを含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】液浸露光法において用いられる上層膜形成組成物であって、焦点深度を向上させることができ、且つ、良好なパターンを得ることができる上層膜形成組成物および該上層膜形成組成物から得られる上層膜並びに該上層膜を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜の表面上に上層膜を形成するために用いられる上層膜形成組成物であって、該組成物は、前記フォトレジスト膜を現像する現像液に溶解する樹脂成分（Ａ）とアミド基含有化合物（Ｂ）とを含有する上層膜形成組成物である。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ｐ１）を含むレジスト保護膜材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^2a及びＲ^2bは水素原子、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ^2aとＲ^2bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成することもできる。Ｒ³は単結合、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。Ｒ⁴は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基であり、−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−を含んでもよい。）
【効果】上記レジスト保護膜材料はヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護された構造を含み、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有する。 （もっと読む）

【解決手段】(Ａ)一般式(１)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、(Ｂ)ラクトン環及び／又は水酸基及び／又は無水マレイン酸由来の骨格を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、(Ｃ)高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、(Ｄ)有機溶剤を含有するレジスト材料。


【効果】本発明のレジスト材料は、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂構造の選択により液浸リソグラフィーにおける各種性能の調整が可能で、入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】吐出エネルギー発生素子とインク流路および吐出口との位置関係を高精度かつ再現性良く制御でき、印字特性の良好なインクジェットヘッドを安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】液体を吐出する吐出口２と連通する流路１７を形成するための流路形成部材を基板１上に有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、基板１上に感光性樹脂からなる層を設け、その層上の流路１７に対応した部位にマスク層を設け、感光性樹脂からなる層に対して露光を行い流路１７の形状を有するパターンとし、このパターンを被覆するように流路形成部材となる層を設け、流路形成部材となる層の一部に吐出口２を形成し、そのパターンを除去して流路１７を形成することを含む液体吐出ヘッドの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光学特性及びエッチング耐性に優れる新規なフォトレジスト下層膜を形成するための組成物、及びそれから形成されたｎ値が高く、ｋ値が低く透明でかつエッチング耐性が高く、更に昇華性成分が極めて少ない下層膜、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される繰り返し単位を有するポリイミド、および有機溶媒を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。


（式（１）中、Ｒは環状構造、非環状構造、または環状構造と非環状構造を有する炭化水素から誘導される４価の芳香族基または脂肪族基である。Φは炭素数２〜３９の構成単位であり、脂肪族構成単位、脂環族構成単位、芳香族構成単位、オルガノシロキサン構成単位、またはこれらの組み合わせあるいは繰り返しからなる構成単位である。） （もっと読む）

【課題】反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜３の形成方法であって、少なくとも、ビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板１上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）式（１）の繰り返し単位を有する高分子化合物、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる高分子化合物、（Ｃ）高エネルギー線の露光により酸を発生する化合物、（Ｄ）有機溶剤を含有するレジスト材料。


【効果】本発明により、環状アセタール構造を有する新規高分子添加剤を用いたレジスト材料が提供される。この高分子材料は撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能である。 （もっと読む）

【課題】液浸露光フォトレジスト膜において、アルカリ可溶性樹脂と併用するＳｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物の働きを、更に高めたフォトレジスト膜用トップコート組成物、及び該レジスト膜用トップコート組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】成分（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、成分（Ｂ）Ｓｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物、成分（Ｃ）沸点１７５℃未満の溶剤、及び、成分（Ｄ）下記式（１）で表される添加剤を含有することを特徴とするレジスト膜用トップコート組成物、及びパターン形成方法。


（前記式（１）において、Ｒ₁及びＲ₂はそれぞれ独立に炭素数４〜６のアルキル基を表し、Ｘは炭素数１〜４のアルキレン基又は−（Ｃ＝Ｏ）−Ｙ−（Ｃ＝Ｏ）−基を表し、Ｙは炭素数１〜４のアルキレン基を表す。） （もっと読む）

【解決手段】式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、Ｘは一般式（Ｘ−１）〜（Ｘ−３）で表されるいずれかの構造を表す。（Ｘ−１）の中でＲ^2a、Ｒ^2b、Ｒ^3a、Ｒ^3bは一価の有機基、Ｒ⁴はアルキル基、（Ｘ−２）の中でＲ^5a、Ｒ^5b、Ｒ^6a、Ｒ^6b、Ｒ^7a、Ｒ^7bは一価の有機基、（Ｘ−３）の中でＲ^8a、Ｒ^8b、Ｒ^9a、Ｒ^9bは一価の有機基で、繰り返し単位（１）の−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−結合にＲ^2a〜Ｒ^3b、Ｒ^5a〜Ｒ^7b、Ｒ^8a〜Ｒ^9bのいずれかが連結する。）
【効果】この高分子材料は波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、樹脂の構造の選択により撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能であり、かつ入手及び取り扱いが容易な原料からの製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】液浸露光フォトレジスト膜において、アルカリ可溶性樹脂と併用するＳｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物の働きを、さらに高めたフォトレジスト膜の保護層用トップコート組成物、並びに該レジスト膜の保護層用トップコート組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】成分（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、成分（Ｂ）Ｓｉ原子及び／又はＦ原子を有する化合物、及び成分（Ｃ）下記式（１）で表される溶剤を含有することを特徴とするレジスト膜の保護層用トップコート組成物、並びにパターン形成方法。


（前記式（１）において、Ｒ₁は炭素数２〜３のアルキレン基、Ｒ₂は炭素数３〜４のアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用されるポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものであり、現像欠陥性能とスカム性能に優れたポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】極性基を有する特定の繰り返し単位及びラクトン構造を有する特定の繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物及び溶剤を含有するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】より微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（１）第一パターン部及び第一スペース部をそれぞれ複数有する第一のレジストパターン群を、所定のポジ型感放射線性樹脂組成物に対して不溶な不溶化レジストパターン群とする工程と、（２）ポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて、第一パターン部の上及び第一スペース部にレジスト層を形成し、形成したレジスト層を、マスクを介して選択的に露光する工程と、（３）現像して、少なくとも一の第一パターン部の上面の一部を露出させた状態で、少なくともその一部が第一パターン部上に重畳的に配置された第二パターン部を形成し、第一パターン部と第二パターン部とが組み合わされた複数の複合パターン部を有する第二のレジストパターン群を形成する工程と、を有するレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）