【課題】低消費電力化を実現しつつ基板の処理効率の低下を抑制可能な光照射装置、基板処理装置および光照射装置の制御方法を提供する。
【解決手段】エッジ露光部においては、エッジ露光処理として基板の周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光部は、基板の周縁部を露光する露光用光の露光用光源を備える。露光用光源には、ランプ駆動部から電力が供給される。ランプ駆動部は制御部により制御される。制御部は、基板にエッジ露光処理を行うエッジ露光処理期間に通常モードを設定する。通常モードにおいては、露光用光源に第１の電力ＰＷ１が供給される。制御部は、エッジ露光処理期間を除く非処理期間に省電力モードを設定する。省電力モードにおいては、露光用光源に第１の電力ＰＷ１よりも小さい第２の電力ＰＷ２が供給される。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ダストを低減できる半導体装置の製造方法、及び周辺露光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法では、基板１における被加工材の上に感光剤３を塗布する。半導体装置の製造方法では、周辺露光用マスクＭＫ１を介して、光源ＬＳからの光を基板１の周辺部１ａに照射することにより、基板１の周辺露光を行う。周辺露光用マスクＭＫ１は、基板１のエッジ１ｅに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるパターンを有している。半導体装置の製造方法では、感光剤３における周辺露光された部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と半導体装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料を塗布し、周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】周辺露光幅の不均一を簡便に把握することを可能とする周辺露光装置及び周辺露光方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜が形成された基板を基板保持回転部により保持するステップと、前記フォトレジスト膜を露光可能な露光光が、前記基板の周辺部に照射されるとともに前記基板の周縁の外側を通過するように、前記基板保持回転部により前記基板を回転しながら前記基板に向けて前記露光光を放射するステップと、前記基板の周縁の外側を通過した前記露光光に基づいて前記周辺部に照射される前記露光光の幅を検出するステップとを含む周辺露光方法により上記課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜３ｂが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜４ｂを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたレジスト膜の周縁部を短時間にて除去可能にすることができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】冷却プレート８１に保持された基板Ｗの表面の全面にはほぼ均一な厚さにてレジスト膜ＲＦが形成されている。フラッシュ照射部６０は、投光光学系６１を備えており、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を集光してレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥのみに一括照射する。フラッシュ光照射により周縁部ＲＦＥはガラス転移点Ｔｇ以上に加熱され、脱保護反応によって現像液に溶解可能となる。フラッシュ光照射によるレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの加熱処理は処理時間が１秒以下の極めて短時間の処理であり、しかも周縁部ＲＦＥの全体に一括してフラッシュ光が照射されるため、その周縁部ＲＦＥを短時間にて除去可能とすることができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の除去断面の傾斜がなだらかになるダレ現象の発生を防止して、周辺露光精度を向上させることができる周辺露光装置及びその方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されるレジスト膜のパターン領域Ｐの周辺に形成される周辺領域Ｅを露光する周辺露光装置であって、光束を照射するための光源と、光源により照射された光束のうち少なくとも一部を遮光可能であって、透光領域のウエハの周方向の幅及び周方向と直交する方向の幅を可変可能に形成する液晶シャッタ５０と、制御部と、を具備し、制御部からの信号に基づいて、液晶シャッタを制御して、透光領域Ｂ１を形成して、周辺領域内のパターン領域側に近接する位置に設定される開始位置Ｓに、周方向と直交する方向の幅Ｌ１が最も広い光束を照射し、透光領域Ｂ１の外周側に透光領域Ｂ２を形成して露光処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 効率良く欠けショット領域にパターンを形成し、スループットの向上及び精度良くパターンを形成可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された被加工膜上の第１の領域に第１の膜を形成してパターニングすることにより第１のパターンを形成する。その後、前記第１のパターンを形成した後、前記第１のパターンの寸法が変動しないように前記被加工膜上に密着膜を形成する。次に、前記第１の領域とは異なる前記被加工膜上の第２の領域の前記密着層上に、インプリント法を用いて第２のパターンを形成する。次いで、前記第１のパターン及び第２のパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】周辺露光処理後の基板の検査を行う基板処理において、当該基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】ウェハ処理装置４２は、周辺露光処理を行う周辺露光室１１１、１１２と、周辺露光処理後のウェハＷの欠陥を検査する検査室１１３と、ウェハＷを鉛直方向に搬送する搬送アーム１３０を備えた搬送室１１４とを有している。周辺露光室１１１、１１２は、ウェハＷを保持する第１の保持部１４０と、搬送室１１４との間で第１の保持部１４０を移動させる駆動部１４２と、ウェハＷの周縁部を露光する露光部１５０と、ウェハＷの周縁部の位置を検出する位置検出センサ１５２とを有している。検査室１１３は、ウェハＷを保持する第２の保持部１６０と、搬送室１１４との間で第２の保持部１６０を移動させる駆動部１６２と、ウェハＷを撮像する撮像部１７０とを有している。 （もっと読む）

【課題】良品質の露光像を短いタクト時間且つ低コストな装置構成で実現することのできる露光装置及び露光方法を提供すること。
【解決手段】光源装置５と、基板Ｋを載置するステージ３と、ステージに対し等速度で相対移動可能に設けられ且つステージの上部に平面視が相対移動の方向Ｘについて段違いに斜め列となる様に配置され各々ＤＭＤ７２により形成されるマーキング表示７２Ｍをレーザ光により基板上に照射するように構成された複数の露光ユニット７と、隣合う露光ユニットにおける一方の露光ユニットの露光終了位置Ｐ０から他方の露光ユニットの露光開始位置Ｐ１までの距離Ｄ１をステージと露光ユニットとが相対移動する毎に、基板上を最初に通過する露光ユニット７Ａから基板上を最後に通過する露光ユニット７Ｃへ向かう順序で、各露光ユニットが基板上に照射するレーザ光を切り替える切替手段６５，７５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 分解能の高い識別記号を描画しながら周辺領域のフォトレジストを感光させることができる周辺露光装置を提供する。
【解決手段】 周辺露光装置（１００）は、第１の方向に移動するとともに、一端側で被露光基板（ＳＷ）を載置し他端側で被露光基板（ＳＷ）を第１の方向から第１の方向と交差する第２の方向へ回転させるステージ（１２）と、ステージの上方に配置され第２の方向に配置された躯体（１３）と、躯体の一端又は他端側の一方の側面に第２の方向に移動可能に設けられ周辺領域を露光する周辺露光手段（２０）と、躯体の一端又は他端側の周辺露光手段が設けられている側面とは反対側の側面に第２の方向に移動可能に設けられ周辺露光領域にパターンに関する識別記号を描画する記号描画手段（４２）と、を備える。そして、被露光基板（ＳＷ）が１往復のみ移動することで、パターンの周辺領域を露光するとともに識別記号を描画する。 （もっと読む）

【課題】識別マークが変形することなく、また、複数のレーザ照射ユニットにおいて光路長が異なることがなくレーザビーム露光装置およびその方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム露光装置（５）は、レーザビーム光源（５ａ）から基板までのレーザビームの光路長を調整する光路長調整ユニット（６）と、基板の移動経路上で基板の上方に設けられ、光路長調整ユニットで光路長を調整したレーザビームを基板に照射する複数のレーザ照射ユニット（７）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 アライメント工程の簡略化と、基準辺に平行な周辺露光領域を正確に確保することのできる周辺露光方法を提供する。
【解決手段】 紫外光を照射する紫外線照射ユニット（３１）を有し、矩形基板（ＳＷ）に形成される回路パターン領域の周囲に形成される周辺領域(ＥＡ)を紫外光で露光する周辺露光方法である。この方法は、矩形基板をステージに保持する保持工程（Ｓ１１）と、紫外線照射ユニットに設けられた検出部（５１）で矩形基板（ＳＷ）の一辺のエッジ（ＳＮ１）を検出して第１方向からの基板の傾きを算出する傾き検出工程（Ｓ１３）と、傾き検出結果に基づいて矩形基板又は紫外線照射ユニットを回転させる回転工程（Ｓ１４）と、紫外線照射ユニットとステージとを相対的に第１方向に駆動する駆動工程（Ｓ１７）と、傾き検出部（５１）でエッジを検出して周辺領域（ＥＡ）を特定しながら、紫外線照射ユニットから紫外光を照射する照射工程（Ｓ１８）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】大型基板への適用が可能で、装置構成が簡単で小さく、かつ、装置コストが低減でき、さらに、パーティクル起因の不良ロスを低減できる周辺露光装置および周辺露光方法を提供する。
【解決手段】露光装置により矩形の基板上に形成される所定のマスクパターンの露光領域外の周辺を露光する周辺露光装置において、基板の受け入れ・払い出しを行う受け入れ・払い出し機構と、基板を水平にタテ・ヨコ９０度回転させる基板方向転換機構と、前記受け入れ・払い出し機構と前記基板方向転換機構との間に設置され基板を往復動作で水平搬送する搬送機構と、前記搬送機構の搬送路の両側で基板幅に調整可能に設置された一対の露光ヘッドからなる露光機構とを具備し、且つ、受け入れ・払い出し機構と基板方向転換機構と搬送機構とはそれぞれ基板を往復水平搬送できる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周縁部の所定の範囲を精度良く処理し、ミストとして残った処理液が次回以降に処理する被処理体に悪影響を及ぼすことを防止し、さらに、被処理体を処理するための処理空間を小さくする液処理装置を提供すること。
【解決手段】液処理装置は、第二筐体２０と、第二筐体２０に当接可能な第一筐体１０と、被処理体Ｗを保持する保持部１と、を備えている。第一筐体１０は、保持部１によって保持された被処理体Ｗの表面の周縁部に対向する位置に、被処理体Ｗの周縁方向に向かうにつれて被処理体Ｗから離れるように傾斜した表面側傾斜部１１を有している。表面側傾斜部１１には、被処理体Ｗの表面の周縁部に処理液を供給する表面側処理液供給ノズル５１ａ，５２ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ露光のスループットを容易に向上できるウェーハ露光方法およびＥＵＶ露光装置を得ること。
【解決手段】ウェーハ５上で製品チップとなる製品領域をＥＵＶ露光処理部１でＥＵＶ露光するＥＵＶ露光ステップと、ウェーハ５上の周辺領域をＥＢ露光部２０ＣでＥＢ露光するＥＢ露光ステップと、を含み、ＥＢ露光部２０Ｃは、ＥＵＶ露光処理部１がウェーハ５のＥＵＶ露光を行なっている間に、ＥＵＶ露光されているウェーハ５とは異なるウェーハ５のＥＢ露光を行なう。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの外周部をレジスト膜で保護しつつ、解像度の高いパターニングを行う。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ上に形成された被処理膜上に、半導体ウェハの外周部をマスクする円環状のパターンを有するネガ型レジスト膜を形成する工程（Ｓ２２０〜Ｓ２２６）と、ネガ型レジスト膜上に、所定パターンを有するポジ型レジスト膜を形成する工程（Ｓ２２８〜Ｓ２３４）と、ネガ型レジスト膜とポジ型レジスト膜とをマスクとして、被処理膜のエッチングを行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】露光装置内の真空度の低下および汚染を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００のインターフェースブロック５には、脱ガスユニットＤＧが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷによるエッジ露光処理後であって露光装置６による露光処理前に、脱ガスユニットＤＧにより基板の脱ガス処理が行われる。脱ガスユニットＤＧにおいては、チャンバ内に基板が収納された状態で、真空ポンプによりチャンバ内が減圧される。チャンバ内の圧力が十分に低くなることにより、エッジ露光処理時に生成された反応生成物が基板上のレジスト膜およびその下地膜（例えば反射防止膜）から気化して放出され、確実に除去される。 （もっと読む）

【課題】基板上の複数の領域にそれぞれ対応するパターンを効率的に露光する。
【解決手段】第１ウエハステージＷＳＴ１と、第２ウエハステージＷＳＴ２と、ウエハステージＷＳＴ１，ＷＳＴ２上のウエハのマークを検出するアライメントセンサ２６と、ウエハ上の第１領域に露光光ＩＬを照射する投影光学系ＰＬと、その第１領域とは異なるウエハ上の第２領域に露光光ＩＬＡを照射する欠けショット露光系４０Ａとを備える。欠けショット露光系４０Ａは、アライメントセンサ２６によるマークの検出動作中に、ウエハステージＷＳＴ２に保持されるウエハＷ２上の第２領域に露光光ＩＬＡを照射する。 （もっと読む）

【課題】ステージの構造をあまり複雑にすることなく、かつ露光工程のスループットを低下させることなく、基板の周辺部の不要なパターンを消すための露光を効率的に行う。
【解決手段】レチクルＲのパターンをウエハＷ上に露光する露光装置において、パターンを介することなくウエハＷ上に露光光が照射される露光領域３５Ｐを設定する照明光学系ＩＬＳ及び開口３１ｃを有するレチクルステージ３１と、露光領域３５ＰでウエハＷを露光した状態で、ウエハＷをＹ方向及びＸ方向に移動させるウエハステージ３９とを備える。 （もっと読む）