【課題】ＰＡＧ（光酸発生物質）二重層を用い、残留物が無くＬＥＲも僅かな犠牲ポリマー層、及び犠牲ポリマー層の分解方法と、これを使用して改良されたエアキャビティー、又はエアギャップを作製するための方法を提供する。
【解決手段】ＰＡＧ二重層はその中に光酸発生物質を組込み、上部のＰＡＧ濃度は構造物の低部より高い。ＰＡＧが非存在の犠牲層１５が基板１０上に形成される。犠牲層が乾燥された後、ＰＡＧ単層２０が形成され、層１５と層２０はＰＡＧ二重層２５を形成する。次いで二重層２５の像様暴露（光線照射３５）遮蔽物３０を使用して行われる。暴露部分は熱分解法によって除去されて、基板上に残った非暴露部分４０を残す。次いで保護被覆層５０が構造体上に配置され、部分４５の分解及び保護被覆５０を通る分解生成物の浸透のために適当な温度に加熱した後、エアギャップ５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】直描露光方式を用いて透過型用着色層と反射型用着色層とを形成する際の工程簡略化を図る。
【解決手段】基板上に着色フォトレジスト層を形成し、着色フォトレジスト層の上方からレーザー光を所定の露光領域に照射することでこの着色フォトレジスト層を露光し、次いで現像による未露光部の除去を行い、現像が終了した着色フォトレジスト層を加熱・焼成することでこの着色フォトレジストからなる透過型用着色層と前記反射型用着色層とを形成する。この際、透過型用着色層と反射型用着色層とに対応する露光領域を細分化し、これら透過型用着色層と反射型用着色層とが加熱後において所定の膜厚となるように、細分化された露光領域の個々についてレーザー光の照射を選択的に行う。 （もっと読む）

【課題】現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。
【解決手段】被処理基板Ｇに形成された感光膜を複数の大ブロックＢ１に分割し、前記大ブロックを複数の小ブロックＢ２に分割するステップと、前記大ブロック内の小ブロック毎に、段階的に異なる照射照度を設定するステップと、複数の発光素子Ｌに対し相対的に移動する前記基板の感光膜に対し、前記小ブロック毎に設定された照射照度に基づき、前記発光素子を発光制御するステップと、前記感光膜を現像処理するステップと、前記小ブロック毎に、前記感光膜の残膜厚を測定し、前記小ブロックに設定された照度と残膜厚との相関データを得るステップと、前記相関データに基づき前記大ブロック毎に設定された感光膜の目標残膜厚から、各大ブロックに照射する必要照度を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ブロック共重合体自己組織化方法、パターン化基板およびパターン化テンプレートを提供する。
【解決手段】リソグラフィを行ない、基板上に第１のパターンを形成する工程と、ブロック共重合体自己組織化を行ない、基板上に第２のパターンを形成する工程とを含む方法、パターン化基板テンプレート、およびリソグラフィ技術と自己組織化技術との組合せを含む方法が提供される。パターン化基板は、第１および第２のパターンを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】周期的パターンを露光又は形成する際にスペース部の幅の均一性を高める。
【解決手段】ウエハＷにパターンを形成するパターン形成方法において、ウエハＷの表面に複数のラインパターン４０Ａを含むＬ＆Ｓパターン５４Ａを形成することと、ウエハＷの表面の複数のラインパターン４０Ａの間に配置される複数のライン状のレジストパターン４２ＮＡを含むＬ＆Ｓパターン５６Ａを、ラインパターン４０Ａの線幅とレジストパターン４２ＮＡの線幅とが負の相関を持つように形成することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】精度よく動作することが可能な圧電アクチュエータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体１０の中央部１０３の上面には、第一電極１１と、第一電極１１とは異なる極性の電圧が印加される第二電極１２とが、左右方向に交互に並んで設けられている。中央部１０３の底面には、第三電極１３と、第三電極１３とは異なる極性の電圧が印加される第四電極１４とが、左右方向に交互に並んで設けられている。第一、第二電極１１，１２は、誘電体１０の底面に設けられた第三、第四電極１３，１４に対向しない。第一間隔部１０４における分極方向は、第一電極１１から第二電極１２に向かう方向である。第二間隔部１０５における分極方向は、第三電極１３から第四電極１４に向かう方向である。第一〜第四電極１１，１２，１３，１４に電圧を印加して、圧電アクチュエータ１を振動させる。 （もっと読む）

【課題】高解像度有機薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】高解像度有機薄膜パターンの形成方法に係り、（ａ）基板上に第１有機層を形成する段階と、（ｂ）第１有機層に選択的に光エネルギーを照射し、第１有機層を選択的に除去し、第１有機層の残っている部分に犠牲層を形成する段階と、（ｃ）基板及び犠牲層上の全面に、第２有機層を形成する段階と、（ｄ）ソルベントを使用し、犠牲層を除去し、犠牲層上に形成された第２有機層をリフトオフすることによって、残っている第２有機層に第２有機層パターンを形成する段階と、を含む有機薄膜パターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】非常に高い印刷精度・膜厚精度が必要とされる有機パターン層を形成することができる樹脂版を作成する上で有利な樹脂版の製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基材１０１上に感光性樹脂からなる感光性樹脂層１０２を成膜し、基材１０１と感光性樹脂層とを有するパターン転移媒体を作成する。次いで感光性樹脂層１０２が架橋反応する波長のレーザ光を予め入力された情報に基づいて光変調手段により変調することにより露光光のパターンを形成して感光性樹脂層１０２に照射し、パターン転移媒体と露光光とを相対移動させることで感光性樹脂層１０２をパターン露光する。次いで感光性樹脂層１０２のうち未露光部分の感光性樹脂を除去し、レーザ光のスポット径に対応する線幅の樹脂パターンが形成された感光性樹脂凸版を得る。 （もっと読む）

【課題】アブレーション速度に優れ、薄膜でありかつ容易に剥離できるアブレーション用組成物を提供する。
【解決手段】アルカリ可溶性基がアルキルビニルエーテルを用いてブロックされているモノマー単位を有するビニル系重合体（Ａ）、及び、ニグロシン（Ｂ）を含有することを特徴とするレーザーアブレーション用組成物。このビニル系重合体（Ａ）のアルカリ可溶性基はカルボキシル基が好ましく、ニグロシン（Ｂ）の含有量はビニル系重合体（Ａ）１００質量部に対して０.５〜３０質量部が好ましい。 （もっと読む）

【課題】アブレーション速度に優れ、薄膜でありかつ容易に剥離できるレジスト被膜を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板の上にレジスト被膜を形成する工程と、前記レジスト被膜にレーザー光線を照射してレーザーアブレーションにより前記レジスト被膜の所定部分を除去する工程を含むレジストパターン形成方法であって、前記レジスト被膜を、アルカリ可溶性基がアルキルビニルエーテルを用いてブロックされているモノマー単位を有するビニル系重合体（Ａ）、及び、ニグロシン（Ｂ）を含有するレジスト組成物から形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】描画時間を短縮することが可能な描画方法を提供する。
【解決手段】第１照射条件を用いて、第１エネルギから計算される第１照射量で基板上のレジスト膜に荷電粒子線を照射して、第１描画データのパターンを描画するステップと、第１照射条件より高速に同一面積を描画できる第２照射条件を用いて、レジスト膜の現像による残膜率が変化を開始するエネルギより小さな第２エネルギから計算される第２照射量でレジスト膜に荷電粒子線を照射して、第１描画データのパターンを含む第２描画データのパターンを描画し、レジスト膜の第１描画データのパターン部を選択的に溶解可能とするステップとを含む。第１エネルギと第２エネルギの和は、残膜率の変化が完了するエネルギよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ポジ型フォトレジストを用い近接露光を行っても、３〜５μｍの微細な幅の十字形状の配向制御用開口部を形成できるフォトマスク、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタを提供する。
【解決手段】フォトマスク上のパターンは、市松模様開口部Ｋ１４と４個の平行線開口部Ｋ１５とで構成され、他の部分は遮光部Ｓであり、市松模様開口部の中心は、直交する第１軸と第２軸の交点Ｏに位置し、その長手方向ｄは、第３軸又は第４軸と平行に設けられ、４個の平行線開口部は、第１軸のプラス方向とマイナス方向、及び第２軸のプラス方向とマイナス方向の、市松模様開口部に隣接した各位置に、長手方向ｆを当該軸と平行に設けられている。上記フォトマスクを用い透明導電膜４３に十字形状の配向制御用開口部４５Ｄを形成する。 （もっと読む）

本発明は、膜状の物質（２）をナノ構造化する方法に関する。本方法は、該物質（２）を水溶液（３）に浸漬させている間に、照明領域（６ｂ）および暗領域（６ａ）を有する干渉模様（６）を該物質（２）の少なくとも１つの面につけるステップを含む。本発明の方法によれば、上記物質は、光吸収作用によって水溶液に溶解可能になる無機半導体物質または無機酸化物である。上記物質（２）のナノ構造化を、水溶液（３）に接触する該物質（２）の表面で、該照明領域（６ａ）での光分解によって、および／または、該干渉模様（６）の暗領域（６ｂ）での成長によって行う。本発明は、このような形成方法によって得られる、ナノ構造化された被覆膜（５）、さらに、ナノ構造化された３Ｄ膜にも関する。
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改良された凸版印刷プレート及び当該凸版印刷プレートの製造方法が開示されている。実質的に全てのサイズの起伏部が一定のパターンとなることで、印刷品質が改善される。前記パターンは、イメージマスクを生成するのに用いられるハーフトーンデータのイメージ領域に適用され、前記イメージマスクは続いて、プレート前駆体を凸版プレートに変換するのに用いられる。前記パターンを有する起伏部に対応するプリントイメージの精度、インク濃度、及び色調応答は、前記パターンを用いることなく生成された起伏部のプリントイメージの精度、インク濃度、及び色調応答と同程度又はそれよりも良好である。
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【課題】寸法の変動を低減し、コストの増大を抑制するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜が形成された基板上に定義されるパターン領域に複数の第１露光区画を互いに隣接させて配列し、パターン領域の全面にわたり第１露光量で、マスクパターンを第１露光区画それぞれのレジスト膜に対して逐次露光する。第１露光区画と同一の大きさの第２露光区画を複数配列し、マスクパターンが有する繰り返し図形のピッチに対応する幅の任意の整数倍で第１露光区画に対して行方向及び列方向にずらして互いに部分的に重畳するように設定して、パターン領域よりも広い領域にわたり第２露光量で、マスクパターンを第２露光区画それぞれのレジスト膜に対して逐次露光する。第１及び第２露光量の合計が、パターン領域内ではレジスト膜の描画像が所望の寸法範囲の寸法で形成され、パターン領域外では描画像が形成されないようにする。 （もっと読む）

【課題】反射膜厚変動が生じても信号特性の劣化の少ない光ディスクの実現。
【解決手段】原盤形成基板上に、記録レーザ波長の１７％未満の厚さの蓄熱層を形成し、さらに無機レジスト層を形成して露光前のディスク原盤を生成する。次にディスク原盤の無機レジスト層に対して、記録レーザ光照射によりピット及びスペースから成る記録信号パターンの露光を行い、露光後に現像処理を行ってピット及びスペースによるピット列形状が形成されたディスク原盤を生成する。そしてピット列形状が形成されたディスク原盤を用いて、ピット列形状が転写されたスタンパを製造する。そしてスタンパのピット列形状が転写され、かつピット列形状に対して銀もしくは銀合金による反射膜が形成された記録層を含む所定の層構造を有する光ディスクを製造する。この光ディスク（図２（ｂ））は、長ピットの深さが侵入光波長（λ／ｎ）の２０％以下とされ、また最短ピットとの深さの差は、侵入光波長の１／３０以下とされている。 （もっと読む）

【課題】自由度を損なうことなく高解像度を実現する微細構造の作製方法を提供すること。
【解決手段】まず、図１（ｂ）のように、ネガ型レジスト１０２を基板１０１に塗布する。次に、図１（ｃ）のように、ネガ型レジスト１０２に、電子ビーム（エネルギービームに対応）１０３を第１のパターンで照射する（第１の露光ステップ）。ついで、図１（ｄ）のように、ネガ型レジスト１０２を現像して、ブロック状（第１の構造に対応）のレジスト１０２Ａを形成する（第１の現像ステップ）。そして、図１（ｅ）のように、ブロック状のレジスト１０２Ａに、電子ビーム１０３を第１のパターンとは異なる第２のパターンで照射する（第２の露光ステップ）。最後に、図１（ｆ）のように、ブロック状のレジスト１０２Ａを現像して、３本の直交ナノワイヤ状（第２の構造に対応）のレジスト１０２Ｂを形成する（第２の現像ステップ）。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加することなく、N型及びP型TFTのチャネルの不純物濃度を個別に制御でき、またチャネル長を安定して形成できるTFT基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上にN型及びP型のTFTが形成されているとともに、TFTと同層の半導体膜にN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間にゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、第１及び第２のマスクをハーフトーンマスクとして、第１及び第２のマスクを用いて前記N型及びP型TFTのゲート及び上部容量電極を加工し、N型TFTのチャネルと、N型TFTのソース及びドレインと、P型TFTのチャネルと、P型TFTのソース及びドレインと、下部容量電極となる領域の半導体膜の不純物濃度を前記第１のマスクと第２のマスクのパターンにより作り分ける工程を含む。 （もっと読む）

【課題】プロキシミティ露光により、細かいパターンを形成することが可能なプロキシミティ露光用フォトマスク、およびそのプロキシミティ露光用フォトマスクを用いたカラーフィルタの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板、上記透明基板上に形成された略正多角形または略円形の遮光部、および上記透明基板上の上記遮光部の外周に形成された解像限界以下の大きさの補助遮光部を有することを特徴とするプロキシミティ露光用フォトマスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】密着露光時の密着圧力を下げることなくレジスト剥がれが生じにくく、かつフォトマスクを頻繁に洗浄することなく、作業効率を向上させることを可能とする。
【解決手段】パターンを形成したマスク面全体に、ガラス膜を被膜させたフォトマスク４を使用し、このフォトマスク４と、表面にレジスト膜３を設けた半導体ウエハ１とを密着させ、前記フォトマスク４のパターンを前記半導体ウエハ１のレジスト膜３上に露光する。 （もっと読む）