【課題】高い生産性を確保したまま、酸化インジウムを保護層の材料として用いた場合よりも更に優れた保存信頼性を得ることができる追記型光記録媒体を提供する。
【解決手段】光記録媒体は、無機記録層と、無機記録層の少なくとも一方の面に設けられた、酸化インジウムを含む第１の保護層と、第１の保護層に隣接した、酸化チタン、酸化ジルコニウム、または酸化スズを含む第２の保護層とを備える。 （もっと読む）

【課題】高線速度記録が可能で、広い線速度範囲で高品質の信号が得られ、かつ信号保存性に優れた情報記録媒体を提供する。
【解決手段】本発明の情報記録媒体は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層１５を有する情報記録媒体１である。前記記録層１５は、第１構成層〜第Ｘ構成層（Ｘは２以上の整数）を、前記記録層１５の厚み方向に順に配置することによって形成されている。前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）が、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含む。 （もっと読む）

【課題】異常放電や割れのない、金属酸化物および金属を含む光情報記録媒体用記録層などの形成に有用な、金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、金属酸化物Ａと、金属Ｂとを含む複合スパッタリングターゲットであって、金属酸化物の円相当直径の最大値が低く粒度調整された原料粉末の焼結により、前記金属酸化物Ａの円相当直径の最大値が２００μｍ以下に制御されている。前記金属酸化物Ａは凝集していても良い。 （もっと読む）

【課題】記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物と、酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものであり、かつ、記録層に含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４〜８５原子％であることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。 （もっと読む）

【課題】多層型の光記録媒体において、レーザー光の入射側から最も遠い記録再生機能層以外の記録再生機能層における反射率均一性、耐久性、信号強度等に優れた光記録媒体を提供する。
【解決手段】レーザー光の入射側から少なくとも、第１保護層、第２保護層、記録層、第３保護層、反射層、及び第４保護層をこの順に有する半透明な記録再生機能層を有する光記録媒体において、前記第２保護層と前記第４保護層とが同一の構成元素を有する材料からなり、前記第２保護層の屈折率が、前記第１保護層の屈折率よりも０．３以上大きく、前記第２保護層の膜厚をＤ２、前記第４保護層の膜厚をＤ４、前記記録層に該レーザー光をフォーカスした場合の記録前反射率をＲとしたとき、Ｒの膜厚に対する増加率ｄ（Ｒ）／ｄ（Ｄ２）とｄ（Ｒ）／ｄ（Ｄ４）との正負を逆とする。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を招くことなく、優れた繰り返し記録耐久性を得ることができる光記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光記録媒体は、第１の主面および第２の主面を有する基板と、光の照射により情報信号の記録または再生が行われる、基板の第１の主面上に形成された１または複数の情報記録層と、基板の第２の主面からのガス放出を抑制する、基板の第２の主面上に形成されたバリア層とを備える。基板の第２の主面のうち、バリア層から露出する領域の露出面積が、６８８ｍｍ²以下である。 （もっと読む）

【課題】記録再生信号特性を犠牲にすることなく、経時変化による欠陥増殖を抑えることが可能な金属層光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】支持基板１１と、記録再生レーザ光の入射側の層となる光透過保護層１３と、支持基板１１と光透過保護層１３との間に介在する複数の情報記録層１４，１６，１８とを有する。そして、レーザ光入射側の前記情報記録層１６，１８が、レーザ光の入射側から順に、相変化材料層２２と、誘電体層と、金属層２４とを備える。誘電体層は、（Ｉｎ_２Ｏ_３）_ｘ（ＳｎＯ_２）_１−ｘ、（但し、０．４＜ｘ≦０．７）、又は、（Ｉｎ_２Ｏ_３）_ｘ（ＺｒＯ_２）_１−ｘ、（但し、０．１＜ｘ≦０．５）を主成分として構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより目標の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する。 （もっと読む）

相変化記憶材料およびより詳しくは、相変化記憶用途、例えば、光学データおよび電子データの記憶のために有用なテルル化ＧｅＡｓ材料が記載されている。
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【課題】 高速記録消去が可能な書き換え型情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及び前記相変化記録材料を用いた書き換え型情報記録媒体を提供する。
【解決手段】 結晶状態を未記録状態とし、非晶質状態を記録状態とする情報記録媒体に用いる相変化記録材料であって、所定のＳｂＳｎＧｅＴｅＭ１組成（Ｍ１はＩｎ等）を主成分とすることを特徴とする相変化記録材料。 （もっと読む）

【課題】記録層の膜質（吸収率、屈折率、消衰係数など）が径方向に変化している場合であっても、均一なディスク特性（記録感度、反射率など）を有する光記録媒体、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ディスク状の光記録媒体であって、記録光が入射する側から順に、第一誘電体層、記録層および第二誘電体層を備え、前記記録層は、前記記録光に対する吸収率が径方向で変化し、前記第一誘電体層および前記第二誘電体層の少なくとも一つは、前記記録光に対する記録感度が径方向で均一化されるように前記吸収率の変化に対応して径方向において膜厚が変化していることを特徴とする光記録媒体など。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％でＧｅ：２０．２〜２４．２％、Ｓｂ：２０．２〜２４．２％含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する相変化膜形成用スパッタリングターゲットであって、その曲げ強度が１１０ＭＰａ以上あるパーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法であって、このターゲットは合金インゴットを粉砕することにより得れられた合金粉砕粉末を不活性ガスのプラズマ中に曝して合金粉末の表面を活性化し、この表面を活性化した合金粉末を使用して加圧焼結することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反射率（初期反射率）が高く、高Ｃ／Ｎ比を有し、さらには低ジッター値を有するレーザー光の照射によって記録マークが形成される孔開け方式による記録層を備えた光情報記録媒体を提供すること。
【解決手段】レーザー光の照射によって記録マークが形成される孔開け方式による記録層を備えてなる光情報記録媒体であって、該記録層は、Ｎｉを２０〜６５原子％含有し、さらにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉから選ばれる１種以上の元素を１９原子％以下（０原子％を含まない）含有するＩｎ合金からなることを特徴とする光情報録媒体、及び上記Ｉｎ合金からなる光情報記録媒体の孔開け方式による記録層形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】反射率（初期反射率）が高く、高Ｃ／Ｎ比を有し、さらには低ジッター値を有するレーザー光の照射によって記録マークが形成される孔開け方式による記録層を備えた光情報記録媒体を提供すること
【解決手段】レーザー光の照射によって記録マークが形成される孔開け方式による記録層を備えてなる光情報記録媒体であって、該記録層は、ＣｏとＮｉを含有し、Ｃｏ及びＮｉを合計で２０〜６５原子％含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体、及び光情報記録媒体の孔開け方式による記録層形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】原子％でＧｅ：１５．０〜３０．０％、Ｓｂ：５．０〜３０％を含有し、さらにＦｅ：１〜２０ｐｐｍを含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】記録層と接する界面層に結晶化能を促進する材料を提供し、高線速度での書換えと高信号信頼性を両立した情報記録媒体を提供する。
【解決手段】酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 情報記録時に再結晶化リングが発生しにくく、かつ良好な高速記録消去が可能な情報記録媒体を得る。
【解決手段】 基板と、基板上に形成された相変化記録層と、相変化記録層上に形成された反射層とを有する情報記録媒体であって、相変化記録層は、テルルとアンチモン、またはテルルとビスマスを主成分として含有し、その結晶化速度が２ないし１０ナノ秒であり、２００ピコ秒ないし１ナノ秒の半値幅を有する光パルスの照射により、その結晶状態を変化させて記録マークを形成する。 （もっと読む）

【課題】プロセス安定性を確保しながら、高密度記録においても記録特性の優れた相変化記録層を有する光記録媒体の提供。
【解決手段】（１）相変化記録層が、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｍｎ及びＸ（Ｘ：Ｃａ、Ｂ）を含む光記録媒体。（２）Ｘが、相変化記録層中に２〜９原子％含まれている（１）に記載の光記録媒体。（３）基板上に、光照射側から、第一保護層、前記相変化記録層、第二保護層、及び反射層がこの順に積層されており、第二保護層が、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２の何れかを主成分とする材料からなる（１）又は（２）に記載の光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】高転送レートおよび１００ＧＢ以上の大容量な記録条件でも、記録特性、消去特性、記録マーク保存性、密着性を同時に満足する情報記録媒体を提供する。
【解決手段】光の照射または電気的エネルギーの印加によって情報を記録し得る情報記録媒体１００が、相変化を生じ得る記録層１１５を少なくとも備え、記録層１１５が、アンチモン（Ｓｂ）と、ケイ素（Ｓｉ）とを含み、好ましくは、Ｓｂ_{１００−ｘ}Ｓｉ_ｘ（式中、ｘは、原子％で表される組成比を示し、ｘ≦５０を満たす）材料を含み、記録層１１５と接する界面層１１４および１１６の少なくとも一つが、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓ−Ｓｉ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｚｎ−Ｓ、Ｓｉ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｃｅ−Ｆ、Ｂ−Ｎ、Ｍｇ−Ｏ、Ｃｒ−ＯおよびＡｌ−Ｎより選ばれる少なくとも一つの組み合わせを含む界面層Ａである。 （もっと読む）

【課題】プロセス安定性を確保しながら、ブルーレイディスク高速記録においても記録特性の優れた光記録媒体の提供。
【解決手段】（１）相変化記録層の主成分として、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ及びＳを含むことを特徴とする光記録媒体。
（２）Ｓは、記録層中に２原子％以上、９原子％以下の範囲で含まれていることを特徴とする（１）に記載の光記録媒体。 （もっと読む）