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Fターム[2H147AB03]の内容

光集積回路 (45,729) | 光集積回路中の光学的機能 (4,741) | 光強度 (2,633) | 光増幅器、SOA (113)

Fターム[2H147AB03]に分類される特許

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【課題】 良好な光結合を達成でき,光ファイバ型のモジュール又は導波路型のモジュールを有するカートリッジ型光機能モジュールを提供する。
【解決手段】 本発明は,第1及び第2の光ファイバコリメータ2,3と,光ファイバ型のモジュール又は導波路型のモジュールを有する光機能オブジェクト5と,ベース部7とを有する,カートリッジ型光機能モジュール10に関する。そして,光機能オブジェクト5は,第3のコリメータ13と,第3のコリメータ13の光機能オブジェクト5内の位置を調整するための第1の位置調整機構17と,を有する。 (もっと読む)


【課題】 光干渉素子のクロスポイントチューニングを行うことなく、光デバイスの位置決めを行うことができる、光デバイスの位置決め方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスの位置決め方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子において、前記複数の半導体アームのうち、1つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第1ステップと、前記第1ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光を測定しつつ、前記光干渉素子と光結合する光デバイスの位置決めを行う第2ステップと、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】材料を無駄にすることなく、希土類化合物を用いた光素子が製造できるようにする。
【解決手段】エルビウムの酸化物よりなる希土類含有層105をスパッタ法などの物理蒸着法により、基板を加熱することなく形成し、例えば1000℃に加熱することで、希土類含有層105を溝部104に凝集させ、酸化エルビウムの結晶からなる希土類コア部106を形成する。希土類の酸化物は、加熱することで、下地に形成されている凹部に凝集する。また、この加熱により、アモルファス状態の酸化エルビウムが結晶化するので、希土類コア部106は、酸化エルビウムの結晶から構成されたものとなる。 (もっと読む)


【課題】焦点位置の位置合わせの不要な光学情報伝達素子を提供する。
【解決手段】光学情報伝達素子101は光学情報を入力面から出力面に伝達する。光学情報伝達素子101は光学異方性を有する部材により形成される。入力面と出力面とを結ぶ少なくとも一つの直線が、光学異方性を有する部材の等周波曲面の原点を通る任意の断面による曲線において位相速度が最大となる方向に揃えられる。 (もっと読む)


【課題】熱分布の発生を抑制して、ビーム品質を高めることができるようにする。
【解決手段】入射面2aから励起光6を導入して、その励起光6を伝搬させる平板状の励起光導入部2と、励起光導入部2より高い屈折率を有しており、その励起光導入部2により伝搬された励起光6を導入する入射面が、その励起光導入部2の下面2cに接合され、その入射面から導入した励起光6を吸収して利得を発生する平板状のレーザ媒質1とを備え、その励起光導入部2における励起光6の入射方向の長さがレーザ媒質1より長く、その励起光導入部2の入射面2a付近にはレーザ媒質1が接合されていないように構成する。 (もっと読む)


【課題】光導波路にTO効果を低消費電力で発現できるとともに、光導波路の偏波保持特性の低下を抑制できること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる光導波回路は、基板上に形成されたクラッド層と、クラッド層内に形成された光導波路と、クラッド層の上部であって光導波路の上方に形成され、光導波路を加熱するヒータとを備える。クラッド層は、光導波路の両側方に、この光導波路の延伸方向に沿って形成された溝領域を有する。この溝領域には、クラッド層の上面に平行であって光導波路の延伸方向に垂直な方向に向けて、少なくとも光導波路の側面に至る深さの溝部と中実部とが交互に形成される。この中実部は、この垂直な方向に溝領域の両端をつなぐように連続する。 (もっと読む)


【課題】一方の光回路要素から他方の光回路要素への位置合わせを容易にする。
【解決手段】第1主光導波路18に設けられた第1光回路要素20と、第1主光導波路の一端に接続され、第1主光導波路を伝搬する光を第1副光導波路24及び第2副光導波路26に等分配する第1光カプラ22と、第1副光導波路及び第2副光導波路の間に設けられた第1戻し構造部とを含む第1サブ光回路16、及び、第2主光導波路32に設けられた第2光回路要素34と、第2主光導波路の一端に接続され、第3副光導波路38及び第4副光導波路40を伝搬する光を合成して第2主光導波路に送る第2光カプラ36と、第3副光導波路及び第4副光導波路の間に設けられた第2戻し構造部とを含む第2サブ光回路30、を備え、第1戻し構造部及び第2戻し構造部が近接配置されて、光結合部Cとして機能する。 (もっと読む)


【課題】小型で低光損失な光導波路の折り返し回路を提供し、素子の小型化・低損失化を実現すると共に、機械的信頼性を高めた光変調器を提供する。
【解決手段】ニオブ酸リチウム材料からなるLN変調器と、ガラス材料からなり、前記LN変調器への光信号の入出力のために前記LN変調器と突き合わせ接続された第1及び第2のPLCとを含む光変調器であって、前記第1のPLCの光導波回路は、一方の端面にファイバブロックを介して接続された少なくとも2本のファイバと、他方の端面に突き合わせ接続された前記LN変調器の光導波路とを接続し、前記第2のPLCの光導波回路は、一方の端面に突き合わせ接続された前記LN変調器の光導波路どうしを接続する折り返し光導波路であり、該折り返し光導波路は、前記第2のPLC上に実装された半導体光導波回路に形成されている。 (もっと読む)


【課題】逆メサ方向で直線状に形成された直線導波路部と、逆メサ方向に対して傾く方向に形成された傾斜導波路部とを具備する光半導体装置であって、埋め込み導波路作製時の異常成長を抑制し、装置自体を小型化して伝搬損失を低減できる光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体レーザ11が、活性層102を具備するものであり、導波路部12が、活性層102と同じ高さで形成され、光を導波する導波路層115を具有するものであり、半導体レーザ11がメサ構造で形成され、導波路部12がメサ構造で形成されると共に、導波路部12のメサ構造が半導体レーザ11のメサ構造よりも低く形成され、半導体レーザ12のメサ構造の側部に半導体層122が積層される一方、導波路部12のメサ構造が半導体層122で埋め込まれるようにした。 (もっと読む)


【課題】導波路を伝搬した後に出射端面で反射されてこの反射光の光パワーが該導波路に結合することを低減できる半導体光素子を提供する。
【解決手段】第1の埋め込み層15は、半導体ストライプメサ13の第1の部分13aの第1のコア層27bにおける一方の側面28aを覆い、一端面23から延在する。第1の埋め込み領域17は、第1の部分13aの第1のコア層27bにおける一方の側面28a上に設けられ、一端面23から延在する。第2の埋め込み領域19は、第1の部分13aの第1のコア層27bにおける他方の側面28bを覆い、一端面23から延在する。第1の埋め込み層15は第1のコア層27bと第1の埋め込み領域17との間に設けられる。第1の埋め込み層15の屈折率は第1の埋め込み領域17の屈折率より大きく、第2の埋め込み領域19の屈折率より大きい。第1のコア層27bにおける側面28a、28bを埋め込む埋込構造は半導体ストライプメサ13に関して非対称である。 (もっと読む)


【課題】半導体光装置において温度が変化しても出力光の変動を抑制する。
【解決手段】半導体光装置1は、半導体光増幅器2と光波長選択素子3とを有し、光波長選択素子3は第1の光導波路21と、第1の光導波路21の結合導波路32に光学的に結合されるリング共振器22を有する。さらに、リング共振器22と光学的に結合される結合導波路41を含む第2の光導波路23が設けられており、第2の光導波路23には、波長選択反射鏡24が形成されている。波長選択反射鏡24は、垂直回折格子25からなり、リング共振器22で選択された共振モードのピークのうち、1つの共振モードのピークの波長を有する光を反射する。 (もっと読む)


【課題】製造誤差が少なく、温度変化の影響を受けにくい狭帯域フィルタを提供する。
【解決手段】光を分岐、結合する第1の側と第2の側に各々2つの入出力ポートを有する第1のカプラ、第2のカプラ、第3のカプラを有し、第1のカプラの第2の側の一方の入出力ポートと第2のカプラの第1の側の一方の入出力ポートとは第1の導波路により接続され、第1のカプラの第2の側の他方の入出力ポートと第3のカプラの第1の側の一方の入出力ポートとは第2の導波路により接続され、第2のカプラの第2の側の2つの入出力ポートは第3の導波路により接続され、第3のカプラの第2の側の2つの入出力ポートは第4の導波路により接続されている。第3の導波路には所定の波長を180°シフトさせる共振器が近接して配置されており、第4の導波路には所定の波長を180°シフトさせる共振器が近接して配置されていない狭帯域反射フィルタにより解決する。 (もっと読む)


【課題】結合損失が低いとともに値のばらつきが少なく、かつ結晶品質が良好な半導体光導波路素子および半導体光導波路アレイ素子、ならびにその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された埋込型の半導体光導波路素子であって、第1端部から第2端部に向かって幅と厚さとがテーパー状に減少するコア層を有するテーパー導波路を備え、前記コア層は、前記第1端部における層厚と前記第2端部における層厚との層厚比が1.5〜2.5であり、前記第2端部における幅が0.5μm以上1.0μm以下である。 (もっと読む)


【課題】小型でありかつ製造性が高い半導体光増幅器モジュールを提供すること。
【解決手段】半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器への入力光または該半導体光増幅器からの出力光の一部をモニタするための第1半導体光検出器とを同一基板上に集積した半導体装置部と、前記半導体装置部に接続し、前記半導体光増幅器に対して前記入力光の入力または前記出力光の出力を行なう第1受動導波路と、前記第1受動導波路から分岐し前記入力光または前記出力光の一部を前記第1半導体光検出器に入力させる第2受動導波路とを同一基板上に形成した受動導波路部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ロール・トゥ・ロール方式で作製可能なタックフリーと硬化感度を両立する、光導波路形成用液状樹脂組成物およびそれを用いた光導波路、ならびにその光導波路の製法を提供する。
【解決手段】下記の(A)を主成分とし、下記の(B)および(C)成分を含有する光導波路形成用液状樹脂組成物である。
(A)1分子中に複数の(メタ)アクリル基を有する(メタ)アクリレートポリマー。
(B)1分子中に複数のチオール基を有する液状チオールモノマー。
(C)光重合開始剤。 (もっと読む)


【課題】 従来の導波路型光フィルターと比較して、小型化及び低コスト化を図ることができる導波路型光フィルターを提供するものである。
【解決手段】 導波路型光フィルターは、1×3型マルチモード干渉導波路4aと、3×1型マルチモード干渉導波路5aの入力ポートに一端が接続される1本の入射光導波路1aからなる第1の光導波路群1と、1×3型マルチモード干渉導波路4aの出力ポートに一端が接続される3本の光導波路(直線導波路2a、第1の曲線導波路2b、第2の曲線導波路2c)からなる第2の光導波路群2と、を備え、第2の光導波路群2のうち、一の光導波路の長さが、他の光導波路の長さと異なる。 (もっと読む)


【課題】 光機能導波路に関し、高度な加工技術を要することなく、無害なニオブ酸リチウム基板を用いた光機能導波路を小型化且つ高機能化する。
【解決手段】 ニオブ酸リチウム基板と、前記ニオブ酸リチウム基板の表面上に前記ニオブ酸リチウム基板とは異なった材料で形成されたストライプ状の異種材料光導波路と、前記ニオブ酸リチウム基板の前記異種材料光導波路に対向する表面側に前記異種材料光導波路中を伝搬する光が漏れ出して形成された基板内光導波部分、或いは、前記異種材料光導波路に対向する表面側に形成したTi若しくはプロトンを導入した基板内光導波路のいずれか一方と、前記異種材料光導波路と、前記基板内光導波部分或いは前記基板内光導波路のいずれか一方とに変調電圧を印加する第1の電極と第2の電極とで光機能導波路を構成する。 (もっと読む)


【課題】安定した温度特性を有する光回路を実現する。
【解決手段】光リング共振器は、第1リングと第2リングと第3リングとを備えた平面導波路型光リング共振器であって、第2リングの光路上に配置された第1熱光学位相シフタと、第3リングの光路上に配置された第2熱光学位相シフタとを備える。第2リングの光路長は第1リングの光路長よりも長い。第3リングの光路長は第1リングの光路長よりも短い。 (もっと読む)


【課題】高温での動作に適し、高出力であるとともに波長に対する出力強度の偏差の増大が抑制された集積型半導体レーザ素子、半導体レーザモジュール、光伝送システムを提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の半導体レーザからの出力光を合流させる光合流器と光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器とを集積し、複数の半導体レーザの各活性層の少なくとも一つと半導体光増幅器の活性層とは、同一厚さと、複数の半導体レーザの発振波長が形成する波長帯域の中央近傍に利得ピーク波長を有するように設定された同一の組成とを有し、半導体光増幅器は、光合流器側に出力光を単一モードで導波する等幅部と、光出力側に等幅部の幅よりも幅広の拡幅部とを有し、動作状態における利得ピーク波長が組成設定による半導体レーザの利得ピーク波長と略一致するように、活性層の各井戸層の厚さ合計に応じて拡幅部幅を設定している。 (もっと読む)


【課題】スポットサイズを変換する光導波路を用い、より効率的に光結合ができるようにする。
【解決手段】この光導波路は、第2コア103を、スポットサイズ変換領域112の開始端(導波領域111の側)にかけて先細りに形成したところに特徴がある。このように、第2コア103が、スポットサイズ変換領域112の開始端にかけて先細りに形成されているので、導波領域111かとスポットサイズ変換領域112との界面で生じる、導波光の反射および損失をより小さくすることができるようになる。この結果、より効率的に光結合ができるようになる。 (もっと読む)


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