【課題】電気伝送を代替する光インターコネクション用の光結合回路を部品点数が少なく且つ安価に入手し得るようにし、損失の少ない送受信用光モジュールを提供すること。
【解決手段】光インターコネクション回路の一部を成す光結合回路１１を、ボード１０上に入力される光信号を一方の端部から他方の端部に案内する導波路１２と、この導波路１２の他方の端部に異なった方向への光信号の送受信を案内する４５度多重反射ミラー１４と、この４５度多重反射ミラー１４を介して光信号を送受信し外部に対して信号の授受を中継する信号伝達手段１５，２５…とを備え、前記導波路１２には前記４５度多重反射ミラー１４内での光信号の広がりを抑制する光レンズ部１２ｃを設け、この光レンズ部１２ｃを前記導波路と一体化するように構成した。そして、信号送受信用光モジュールでは、この光結合回路を装備した。 （もっと読む）

【課題】非常に優れた検出感度を有するＳＰＲセンサセルおよびＳＰＲセンサを提供すること。
【解決手段】本発明のＳＰＲセンサセルは、検知部と、該検知部に隣接するサンプル配置部とを備える。検知部は、アンダークラッド層と、少なくとも一部が該アンダークラッド層に隣接するように設けられたコア層と、コア層を被覆する金属層とを有する。コア層の屈折率は１．４３以下であり、かつ、吸収係数は９．５×１０^−２（ｍｍ^−１）以下である。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）

【課題】伝送効率および受発光素子等に対する光結合効率が高く、信頼性の高い光導波路、およびかかる光導波路を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路１は、その光入射端部１Ａ近傍が、横断面上に線を引いたときその線上における屈折率分布がステップインデックス型になっているＳＩ部で構成され、光入射端部１Ａ近傍以外の部位は、屈折率分布がグレーデッドインデックス型になっているＧＩ部で構成されている。なお、ステップインデックス型の屈折率分布とは、屈折率が階段状に変化した分布を指し、グレーデッドインデックス型の屈折率分布とは、屈折率が高い領域とその両側にそれぞれ隣接する屈折率が低い領域とを有し、かつ屈折率が連続的に変化している分布を指す。 （もっと読む）

【課題】グレーテッドインデックス型またはそれに類似した屈折率分布を有する光導波路を効率よく低コストで製造可能な光導波路の製造方法、伝送損失が小さく信頼性の高い光導波路、およびかかる光導波路を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】ポリマー９１５を含有する層９１０を形成する第１の工程と、層９１０に活性放射線９３０を照射し、ポリマー９１５中の化学構造の一部を異性化または二量化させ、屈折率を変化させることにより、層９１０中に屈折率分布を形成する第２の工程と、を有する。ここで、第２の工程において、活性放射線９３０の積算光量が連続的に変化するように、所定の透過率分布を有するマスク９３５を介して活性放射線９３０を照射する。これにより、グレーテッドインデックス型の屈折率分布が形成される。 （もっと読む）

【課題】成形型を用いてオーバークラッド層を形成する場合に、その成形型を位置決めする際に利用するアライメントマークを、ＣＣＤカメラ等の認識装置により容易に認識できるようにする光導波路の製法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成したアンダークラッド層１の上面に、コア２とアライメントマークとをフォトリソグラフィ法により突出形成し、そのアライメントマークを目印として位置決めされる成形型を用いてオーバークラッド層を形成する光導波路の製法において、上記アライメントマークの形成に、フォトマスク２０として、アライメントマーク形成用の開口パターン２３が、開口部２３ａと、この開口部２３ａの周囲の、開口率が１０％を上回り８０％を下回る範囲内に設定された透光量減少領域２３ｂとからなるものを用い、アライメントマークの周側面を傾斜面に形成する。 （もっと読む）

【課題】伝送損失およびパルス信号の鈍りが小さく、信頼性の高い光導波路、およびかかる光導波路を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路１はコア層１３とその各面に設けられたクラッド層１１、１２とを有しており、コア層１３には、並列する２つのコア部１４１、１４２と、並列する３つの側面クラッド部１５１、１５２、１５３とが交互に設けられている。コア層１３は、４つの極小値Ｗｓ１、Ｗｓ２、Ｗｓ３、Ｗｓ４と、５つの極大値Ｗｍ１、Ｗｍ２、Ｗｍ３、Ｗｍ４、Ｗｍ５と、を含む屈折率分布Ｗを有しており、極小値Ｗｓ１と極小値Ｗｓ２との間および極小値Ｗｓ３と極小値Ｗｓ４との間がコア部１４１およびコア部１４２となる。なお、各極小値は、側面クラッド部における平均屈折率ＷＡ未満であり、かつ、屈折率分布Ｗ全体で屈折率が連続的に変化している。 （もっと読む）

【課題】伝送損失およびパルス信号の鈍りが小さく、信頼性の高い光導波路、およびかかる光導波路を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路１はコア層１３とその各面に設けられたクラッド層１１、１２とを有しており、コア層１３には、並列する２つのコア部１４１、１４２と、並列する３つの側面クラッド部１５１、１５２、１５３とが交互に設けられている。コア層１３は、４つの極小値Ｗｓ１、Ｗｓ２、Ｗｓ３、Ｗｓ４と、５つの極大値Ｗｍ１、Ｗｍ２、Ｗｍ３、Ｗｍ４、Ｗｍ５と、を含む屈折率分布Ｗを有しており、極小値Ｗｓ１と極小値Ｗｓ２との間および極小値Ｗｓ３と極小値Ｗｓ４との間がコア部１４１、１４２となる。なお、各極小値は、側面クラッド部における平均屈折率ＷＡ未満であり、かつ、屈折率分布Ｗ全体で屈折率が連続的に変化している。一方、光導波路１の厚さ方向の屈折率分布Ｔは、いわゆるステップインデックス型になっている。 （もっと読む）

【課題】設計値に近い透過スペクトルが得られると共に、量産性に優れたアレイ導波路格子を提供する。
【解決手段】アレイ導波路格子１０のアレイ導波路の直線部２０ａには、位相修正部３０が設けられている。位相修正部３０は、チャネル導波路２１₁〜２１_Mのうち、ｍ番目のチャネル導波路に対し、ａ（ｍ−Ｍ／２）²＋ｂ（ｍ−Ｍ／２）＋ｃとなる位相を付与するために、Ｍ本のチャネル導波路の一部或いは全部において、基本導波路幅Ｗ１より大きい幅Ｗ２の幅広導波路３７をそれぞれ含み、かつ、幅広導波路３７の長さＬをチャネル導波路毎に異ならせた構造を有する。 （もっと読む）

【課題】光ファイバと光導波路コアとの間の光軸を、簡単かつ自動的に一致させることのできる光接続構造と、この光接続構造に用いる光導波路を、寸法精度よく効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】光導波路１１のオーバークラッド層３の一端側が、長手方向に延設されて延設部４に形成され、この延設部４におけるコア２の延長線上に、延設部４の一端側端面に向けて開口する光ファイバ固定用溝５同軸的に形成され、ここに光ファイバが嵌合固定される。また、光ファイバ固定用溝５の他端側閉塞部とコア２の間には、上記オーバークラッド層の一端側部分からなる境壁部６が形成されており、この境壁部６を介して、光ファイバ固定用溝５に嵌合された光ファイバの光軸と、光導波路コア２の光軸とが一致した状態になっている。 （もっと読む）

【課題】接続パッドを備えた配線基板の上にコア層を十分なパターン精度で形成して光導波路を構成できる光電気複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に接続パッドＰを備えた配線基板１０上の接続パッドＰを除く領域に第１クラッド層４０を形成する工程と、第１クラッド層４０の上に帯状のコア層５０を形成する工程と、コア層５０を被覆する第２クラッド層６０を形成することにより、コア層５０が第１クラッド層４０及び第２クラッド層６０で囲まれた構造の光導波路Ｌを得る工程とを含む。第１クラッド層４０の厚みは接続パッドＰの厚みと同一に設定されて、接続パッドＰの段差が解消される。 （もっと読む）

【課題】本発明の光導波路フィルムは、光導波路フィルムの歪・応力に起因する光伝播損失変動を低減化することを目的とするものである。
【解決手段】上記課題を解決するために本発明の光導波路フィルムは、光導波路を平面に配列させたアレイ状光導波路において、コア部分とその周囲を囲むクラッド部分の領域を含む光導波路構造部分より、その光導波路間の間隙が低弾性強度の構造である応力緩和層をサンドイッチした構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板面から非平行な方向へ出射された光の発散を防止することができる光導波路を形成する。
【解決手段】まず、ＳＯＩ基板を用意する。次に、ＳＯＩ基板のＳｉ層上に、レジスト層を形成する。次に、レジスト層から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のレジストパターンを、Ｓｉ層のコア形成予定領域を被覆するように形成する。次に、レジストパターンをマスクとして用いてＳｉ層をエッチングすることによって、コア形成予定領域に残存したＳｉ層の残部から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のコア３７を形成する。次に、レジストパターンを除去した後、ＳｉＯ_２層１５の上側全面に、コアを被覆する上部ＳｉＯ_２層３７を形成することによって、ＳｉＯ_２層及び上部ＳｉＯ_２層からクラッド４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】例えば作製プロセスなどにおいて位相シフタ領域の導波路の幅や角度などが所望の値からずれてしまった場合であっても、特性が劣化してしまうのを抑制し、大きな作製トレランスが得られるようにする。
【解決手段】光デバイス１を、光信号を分岐する第１カプラ２と、光信号を干渉させる第２カプラ３と、第１カプラ２と第２カプラ３とを接続する第１導波路４と、第１カプラ２と第２カプラ３とを接続する第２導波路５とを備え、第１導波路４が、端部よりも幅が狭い部分を有する第１位相シフタ領域６を備え、第２導波路５が、端部よりも幅が広い部分を有する第２位相シフタ領域７を備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】透明性、リフロー耐熱性、耐熱衝撃性、環境信頼性、貼り合わせ時安定性に優れる光導波路を生産性・作業性良く形成できる光導波路用樹脂組成物及び光導波路形成用樹脂フィルムを提供すること。また、保存安定性及びアルカリ現像性に優れた光導波路形成用樹脂及び光導波路形成用フィルムを提供すること。
【解決手段】（Ａ）カルボキシル基を有するポリマー、（Ｂ）エチレン性不飽和基を有する化合物、（Ｃ）多官能ブロックイソシアネート化合物、及び（Ｄ）ラジカル重合開始剤を含む光導波路形成用樹脂組成物、該光導波路形成用樹脂組成物を用いた光導波路形成用樹脂フィルム、並びにこれらを用いた光導波路である。 （もっと読む）

【課題】所定の角度をなす傾斜面を有する光導波路コアを備える光導波路を効率的に製造することができ、前記傾斜面に選択的に金属膜を形成させることができる光導波路の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１クラッド層１２上に形成されたコア部１３を埋設するように第２クラッド層１５を形成するクラッド層形成工程と、第２クラッド層１５に、第１クラッド層１２に対して略垂直な垂直面１７ａと、垂直面１７ａに対向し、第２クラッド層１５側から入射される光をコア部１３内に誘導等をするように、光を反射させるための傾斜面１７ｂとを有する凹部１７を形成する凹部形成工程と、凹部１７に金属層１８を形成する金属層形成工程と、垂直面１７ａに形成された金属層１８ａを選択的に除去することによって、少なくとも傾斜面１７ｂ上に金属層１８ｂを残存させる金属層除去工程とを備える光導波路の製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】 従来の導波路型光フィルターと比較して、小型化及び低コスト化を図ることができる導波路型光フィルターを提供するものである。
【解決手段】 導波路型光フィルターは、１×３型マルチモード干渉導波路４ａと、３×１型マルチモード干渉導波路５ａの入力ポートに一端が接続される１本の入射光導波路１ａからなる第１の光導波路群１と、１×３型マルチモード干渉導波路４ａの出力ポートに一端が接続される３本の光導波路（直線導波路２ａ、第１の曲線導波路２ｂ、第２の曲線導波路２ｃ）からなる第２の光導波路群２と、を備え、第２の光導波路群２のうち、一の光導波路の長さが、他の光導波路の長さと異なる。 （もっと読む）

【課題】斜め光導波路を有する光導波路部にＡｌ及びＡｓを含む半導体層を含む素子部がバットジョイントされた光半導体集積素子を製造する場合の歩留まりを良くする。
【解決手段】半導体基板の上方に斜め光導波路５４を形成するための第１半導体積層構造を成長させる工程と、第１半導体積層構造上にバットジョイント成長用マスク１３を形成する工程と、マスク１３をエッチングマスクとして用いて第１半導体積層構造を除去する工程と、マスク１３を用いてＡｌ及びＡｓを含む第２半導体層を含む第２半導体積層構造をバットジョイント成長させる工程とを含む光半導体集積素子の製造方法において、マスク１３を、光伝播方向に対して平行な直線及び直交する直線のみによって規定される複数の矩形部分１３Ａ〜１３Ｇが斜め光導波路５４を形成する領域に沿って接合された平面形状を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子間の光学的な接続損失を低減可能な、半導体光集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の半導体積層２上に第１のマスク７を形成し、半導体積層２及び第２のエリア１ｂ上に第２のマスク８を形成して第２の部分７ｂを覆い、第１のマスク７及び第２のマスク８を用いて半導体積層２をエッチングしそれぞれ第１の導波路９及び半導体メサ１０を形成し、第１のマスク７及び第２のマスク８を用いて埋込半導体層１１を成長して第１の導波路９及び半導体メサ１０を埋め込み、埋込半導体層１１と第１の導波路９と半導体メサ１０との上に誘電体層１２を成長し、誘電体層１２及び第１のエリア１ａ上に第３のマスク１３を形成し、第３のマスク１３を用いたエッチングにより第２の部分７ｂを露出させ、第２の部分７ｂを用いて埋込半導体層１１及び半導体メサ１０をエッチングし第２の導波路１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】出力側でのクロストークを低減し、分光された光がそれぞれ単一波長の光として、固有の出力側端面から出力することができる平面導波路素子を提供する。
【解決手段】それぞれの光導波路アレイにおける光導波路５，６においては、光導波路５，６の並ぶ方向において一方向に向かって、等価屈折率分布に勾配が形成されている。第１光導波路アレイおよび第２光導波路アレイの連結部は、光が第１光導波路アレイから第２光導波路アレイに伝搬する際に、ｍを整数として、この光が起こす光学的ブロッホ振動の位相が(２ｍ−１)×π変化するように形成されている。それぞれの光導波路アレイの光導波路の長さの平均値は、それぞれの光導波路アレイを伝搬する光が、光学的ブロッホ振動において１／２周期の振動する間に、光導波路５，６を伝搬する長さに略一致している。 （もっと読む）