【課題】紫外線レーザ光線もしくは、紫外線レーザ光線と可視レーザ光線との両方を出射主するレーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザ装置は、単結晶薄膜周波数倍化導波路構造の形で周波数倍化結晶へと繋がる可視レーザ光を生成する半導体レーザ装置を含む。単結晶薄膜周波数倍化導波路は、半導体レーザより出射される可視光の一部を紫外線光へと変換する。可視レーザ光と紫外線レーザ光との両方が、上記周波数倍化導波路から出射される。例えば、上記単結晶薄膜周波数倍化導波路は、β−ＢａＢ_２Ｏ_４（β−ＢＢＯ）から成る周波数倍化結晶領域、紫外線レーザ光線の波長において透過性を有する、あるいはほぼ透過性を有する物質から成るクラッド領域、および、あらゆる物質から成る支持基板を含む。 （もっと読む）

【課題】コングルエント組成のマグネシウム添加タンタル酸リチウム単結晶を用いて分極反転構造の形成過程を制御することができ、高い変換効率を有する波長変換素子を安定して生産することができる波長変換素子、レーザ光源装置、画像表示装置及び波長変換素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】波長変換素子の製造方法は、ＭｇＬＮ基板１０１の＋ｚ面に周期電極１０３を、−ｚ面に対向電極１０４を形成する工程と、周期電極１０３及び対向電極１０４を形成した後に熱処理を行う熱処理工程と、ＭｇＬＮ基板１０１を１００℃以上に保持した状態で、周期電極１０３と対向電極１０４間にパルス状の電界を印加する電界印加工程と、を有する。また、波長変換素子１００は、熱処理後のＭｇＬＮ基板１０１に対して、電界印加により形成された分極反転構造を有する。 （もっと読む）

【課題】より低消費電力化を実現した熱光学位相シフタ、およびこれを用いた可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタを提供すること。
【解決手段】請求項１に記載された発明は、光信号を導波するための光導波路１３と、該光導波路１３の一部を加熱することで前記光信号に位相変化を与えるヒータ１５とを備え、前記ヒータ１５の長手方向と前記光導波路１３の加熱される部分１３１、１３２の長手方向とが同じ向きになるように重なって設けられており、前記光導波路の加熱される部分が、複数本の互いに平行な光導波路を光学的に結合して往復する１本の導波路となるようにした折り返し構造に形成されることで、前記加熱される部分の光導波路が前記ヒータと重なる位置に高密度に設けられていることを特徴とする熱光学位相シフタである。可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタはこの熱光学位相シフタを用いて構成できる。 （もっと読む）

【課題】発生キャリアを光吸収層から効率的に引き抜くことができ、ゲート幅の裾引きを改善することが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、下部クラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、上部クラッド層１４が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が導波路構造の上方に形成される上部電極２２と、半導体基板１１の下方に形成される下部電極２３と、を備え、入力されるポンプ光の光強度に応じて光吸収層１３の吸収係数が変化する相互吸収飽和特性を利用して、光信号のサンプリングを行うために用いられる光ゲート素子であって、導波路構造の光の導波方向の少なくとも一方の側方に、ポンプ光または光信号により光吸収層１３内に発生したキャリアを一時的に蓄積するための容量領域を備える。 （もっと読む）

【課題】強誘電体結晶同士を接合する接着剤の剥離が生じない、強誘電体結晶からなる光導波路素子を提供する。
【解決手段】強誘電体結晶からなる基板１０と、基板１０上に形成された第１の接着層２０と、第１の接着層２０を介して基板１０と接合された強誘電体結晶からなる光導波路層３０と、光導波路層３０上に形成された第２の接着層４０と、第２の接着層４０を介して光導波路層３０と接合された、強誘電体結晶からなるキャップ層５０とを備え、両端部においてスラブ型導波路構造を形成し、両端部に挟まれた中央領域において３次元導波路構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】熱干渉を抑制した小型な多連熱光学位相シフタおよびそれを用いた光干渉回路を提供すること。
【解決手段】２つの方向性結合器１０２ａ、１０２ｂとそれらを連結するアーム導波路１０３からなるマッハツェンダ干渉計と、二重コア、アーム導波路１０３上に設置された薄膜ヒータ１１１、およびそのヒータ１１１に電力を供給する配線１１２とからなる位相シフタと、アーム導波路１０３の両側に形成された断熱溝１２１とから構成されている。二重コアとその上方の薄膜ヒータ１１１は、アーム導波路１０３で（図１の紙面の縦方向に）整列しておらず、アーム導波路１０３の長手方向に対して垂直方向に平行移動した位置にそれぞれが重なることがないように、ずらして配置したことを特徴としている。隣接する二重コアおよび薄膜ヒータ１１１をずらず量としては、薄膜ヒータ１１１の長さ以上にずらずことが重要である。 （もっと読む）

【課題】
ＯＩＦ標準の出力ポート配置を実現しつつ、デバイスのコンパクト化が可能な光回路構成を有する、９０度光ハイブリッド干渉計を提供する。
【解決手段】
ＴＥ光信号側およびＴＭ光信号側のそれぞれにおいて、Ｉ相側とＱ相側のいずれか一方の、信号光導波路アームと局部発振光導波路アームとの対に、光路長差を設けた構造として、Ｉ相側信号とＱ相側の信号との間に相間位相差を与え、Ｉ相側の結合器とＱ相側の結合器がそれぞれ有する出力干渉特性同士の位相差と、相間位相差とを合計した、出力位相差をπ／２とすることにより、８つの出力ポートの出力信号を、上からＴＥ光信号側のＩｐ、Ｉｎ、Ｑｐ、Ｑｎ、およびＴＭ光信号側のＩｐ、Ｉｎ、Ｑｐ、Ｑｎの順に配列する。 （もっと読む）

【課題】従来のフォトニック結晶を用いた光偏向素子と比較して、より大きな偏向角度が得られる光偏向素子を提供する。
【解決手段】第１方向で伝播された入射光Ｌ_inが入射する入射端面２０、入射端面２０から入射されて伝播する伝播光を反射する反射面２２、及び反射面２２で反射された伝播光が第１方向とは異なる第２方向に出射光Ｌ_outとして出射する出射端面２４を有するフォトニック結晶１８を備え、入射端面２０及び出射端面２４における２度のスーパープリズム効果により、第２方向と出射端面２４の法線とが成す出射角が、第１方向と入射端面２０の法線とが成す入射角又は入射光の波長に応じて変化して、光伝播方向を偏向する光偏向素子とする。 （もっと読む）

【課題】光非線形性結晶を用いた差周波混合過程において、テラヘルツ波の閉じ込めが可能な導波路構造を備え、高効率でコヒーレントなテラヘルツ波発生装置及び発生方法を提供する。
【解決手段】ポンプ光２Ａを発生するポンプ光源２と、信号光３Ａを発生する信号光源３と、ポンプ光２と信号光３を同じ光路上で合成するための入射光学部５と、入射光学部５で合波されたポンプ光２Ｄ及び信号光３Ｄが入射されるテラヘルツ波発生用結晶７と、を備え、テラヘルツ波発生用結晶７は、スラブ型の導波路又はリブ型の導波路構造を有しており、合波されたポンプ光２Ｄ及び信号光３Ｄが導波路の光軸方向に入射され、導波路７におけるポンプ光２と信号光３との差周波数混合によって導波路７の光軸上にテラヘルツ波８を発生する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体バルク中に分極反転部分を形成する技術を利用し、広範な光学用途、電子デバイス用途に使用可能な、新しいバルク素子を提供することである。
【解決手段】強誘電体バルク素子１１Ｂは、強誘電体バルクに設けられた単分域化処理部１０Ｂと、この単分域化処理部に隣接する広域分極反転部１９Ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】光損傷耐性が高く、大口径の光ビームに対するスイッチ動作をより少ない電力で高速に行う光スイッチを提供する。
【解決手段】電気光学結晶と、同一平面上に配置された複数の電極１０６からなる電極部１０７とを有し、電極部１０７により発生した電界により上記電気光学結晶の一部の屈折率を変化させることによって、上記電気光学結晶に入射した入射光の透過と反射とを切り換える光スイッチであって、上記電気光学結晶は、電極部１０７を構成する電極の間に、上記平面からの高さが電極１０６よりも高い側壁を有し、上記電気光学結晶の、少なくとも電極部１０７からの電界が及ぶ領域が、光学的に均質な材料より形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極スイッチの切り替えの煩雑さを解消した多方路光スイッチを提供すること。
【解決手段】駆動電極チャネル１に給電すると、２分岐スイッチ素子４０２を第１のスイッチ素子、ゲートスイッチ素子４１１を第１のスイッチ素子とした時、第１のスイッチ素子の駆動手段２０２と、第２のスイッチ素子の駆動手段３１１が並列に共通駆動される。また、２分岐スイッチ素子４０４を第３のスイッチ素子とした時、第３のスイッチ素子の駆動手段２０４が、第１のスイッチ素子の駆動手段２０２と直列に駆動される。第１および第３のスイッチ素子の駆動に要するパワーはＰ１＝Ｐπ／２、第２のスイッチ素子の駆動に要するパワーはＰ２＝Ｐπであるので、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子の駆動手段を共通駆動した時に、配分されるパワーの比率がＰ１／Ｐ２＝１／２になるようにする。 （もっと読む）

【課題】櫛歯電極の長手方向の端部において過剰に分極反転が進行することを防ぎ、均一で高精度な周期分極反転構造を高い製造歩留まりで実現する光機能素子の製造方法を得ること。
【解決手段】強誘電体材料の基板の第１の主面上に、一方向に伸長した電極を所定の周期で櫛歯状に複数並列に配置した櫛歯電極１０５と、櫛歯電極１０５の周囲を覆うように形成される外枠電極１０６と、櫛歯電極１０５と外枠電極１０６とを結ぶ電極間配線１０７と、を形成し、第１の主面に対向する基板１０１の第２の主面上の全面に裏面電極１０４を形成し、第１の主面の外枠電極１０６と第２の主面の裏面電極１０４との間に電圧を印加して周期分極反転構造を形成し、該周期分極反転構造を形成した領域を切出して光機能素子を製造する際に、電極間配線１０７は絶縁層１０２を介して基板１０１上に形成される。 （もっと読む）

【課題】チップの小型化と、偏波乖離量の低減と図った遅延復調デバイスを提供する。
【解決手段】遅延復調デバイス１は、DQPSK信号が入力される光入力導波路２と、光入力導波路２を分岐するＹ分岐導波路３と、第１のマッハツェンダー干渉計（MZI）４と、第２のマッハツェンダー干渉計５と、を備える。MZI４のアーム導波路８，９の両端部およびMZI５のアーム導波路１２，１３の両端部が、平面光波回路（PLC）１Ａの中心部側に向けてそれぞれ曲げられている。これにより、MZI４のアーム導波路８，９部分のＺ方向長さと、MZI５のアーム導波路１２，１３部分のＺ方向長さとがそれぞれ短くなると共に、各MZIの入力側カプラ６，１０部分および出力側カプラ７，１１部分のＺ方向長さもそれぞれ短くなる。各MZI４，５部分の面積が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】小型化、動作速度の高速化、低電圧化を同時に図ることができる光変調器を、フォトニック結晶共振器にＰＩＮ構造を作製してキャリアを高速に共振器の外に引き出す。
【解決手段】本発明は、フォトニック結晶共振器を用いたスイッチ素子において、フォトニック結晶基板中に、共振器部位を挟んで対向する領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。また、フォトニック結晶導波路の所定の位置に、二光子吸収キャリアを発生させ、該キャリアに起因する自由電子吸収によりスイッチングを行う光スイッチ素子において、フォトニック結晶基板中で、導波路を挟んだ所定の領域に電極領域を設け、電極領域に挟まれた導波路中に発生させた二光子吸収キャリアを、電界印加によって拡散より早く導波路から引き抜き、除去する。 （もっと読む）

【課題】対レジスト選択比を向上させ、１．０μｍ以上の深さのエッチングを可能とするとともに、エッチングレートを速め加工時間を短縮することが可能な高誘電体材料の加工方法を提供すること。
【解決手段】フッ素に対する炭素の比の大きいガスを使用し、高密度プラズマ・大流量・高真空プロセスを使用することで対レジスト選択比を向上させ、幅３μｍ、高さ１．５μｍのリッジ加工が可能となる。また、酸素放電による結晶回復、結晶欠陥除去を実施することで光散乱を抑制することができ、光閉じ込めが実現できる。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたる均質なポーリング処理とデバイス表面の平滑化の両立が図られた導波路デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板２０１上に、第１電極（下部電極２０２）、第１クラッド層（下部クラッド層２０３）、導波路２０４、第２クラッド層（上部クラッド層２０５）、及び第２電極（上部電極２０６）を順次積層し、さらに有機導電層２０７を形成して、下部電極２０２と有機導電層２０７との間に電場を印加し、当該電場印加領域における導波路２０４に含まれる前記有機非線型光学材料の配向を揃える、所謂ポーリング処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 光機能を実現するシリコン基板上に集積化された光デバイスを提供すること。
【解決手段】 導波路を通る光を調整する光調整構造を有する光デバイスは、結晶基板と、これとは異なる材質の結晶体とが一体化されていて、その一方に光導波路が設けられ、他方に光導波路に光学的に一体化した光調整構造が設けられてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空プラズマ中での酸素欠損を回復させ、伝播損失の少ない光導波路を製造する。
【解決手段】酸化物化合物基板に光導波路を形成する光導波路の製造方法において、ドライエッチングプロセスにより、前記酸化物化合物基板に光導波路を形成する第１の工程と、前記光導波路が形成された前記酸化物化合物基板を、酸素雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記ドライエッチングプロセスで欠損した酸素を再結合させる第２の工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】リッジ型導波路デバイスを製造するためのウェーハ・スケール方法、およびそれによって製造された改良型導波路に関する。
【解決手段】寸法的に安定した、ウェーハ・スケール製造におけるキャリヤ・ウェーハ１２と光透過型ウェーハの間の平面関係を変えることなく中に接着剤１６を導入することができるウェーハ・アセンブリを用意することによって、光導波層の厚さをサブ・ミクロンで制御することができる。この方法によれば、薄い光透過層１４を備えた光導波路デバイス１０をウェーハ・スケールで製造することができる。マスタ表面からキャリヤ・ウェーハ１２への表面情報を薄い光透過型ウェーハ１４に正確に引用するために、付着およびエッチ・バックによって、あるいは表面エッチ・プロセスによってスペーサ・ペデスタルのパターンが生成される。 （もっと読む）