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Fターム[3C058AA07]の内容

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Fターム[3C058AA07]に分類される特許

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【課題】本発明は、酸化セリウムおよびその製造方法に関し、特に研摩材として用いた場合に、コロイダルシリカに匹敵する高い平滑性を実現し、かつ研摩速度も大きいものとなる酸化セリウムの提供を目的とする。また、研摩後の研摩面の洗浄性も良好となる酸化セリウムを提供する。
【解決手段】平均粒径が0.5μm以下であり、結晶子径が8〜80nmである酸化セリウムであって、前記酸化セリウムは、3質量%の食塩水中に、濃度2質量%の酸化セリウムを含む酸化セリウムスラリーとしたときに所定の沈降体積となるように沈降するものであり、沈降体積は、酸化セリウムスラリーを撹拌後静置して24時間後に、2.5〜15.0mL/gとなることを特徴とする酸化セリウムに関する。 (もっと読む)


【課題】研磨中の発熱によってプラテンが熱変形するのを防止するとともに圧力分布変化を最小限に抑えたプラテンシートを提供する。
【解決手段】プラテン30上に研磨パッド50を取り付け、スラリを供給しながらウェーハと研磨パッド50を相対的に摺接して研磨を行う研磨装置において、回転するプラテン30と、ウェーハを減圧して取り付けるウェーハ保持台とを有し、弾性シート40の裏面に硬質プレート41を一体に貼り付けてプラテン30の上に装着し、さらに、研磨パッド50の裏面に可撓性シート51を一体に貼り付けて弾性シート40の上に装着し、ウェーハの反りを修正しながら、ウェーハの平均化を行うように構成した。 (もっと読む)


本発明の方法は、液体キャリアー、カチオン性ポリマー、酸、およびアミノシラン化合物を用いて処理された研削粒子を含む本発明の研磨組成物を用いて基材を化学的機械的に研磨することを含む。 (もっと読む)


【課題】定盤表面に分割された研磨パッドを貼り付ける場合に、定盤表面の腐食や研磨中のコンタミネーションを防ぎ、研磨パッドの剥離も防ぐことができ、充填時に硬化速度や粘度の調整が容易で扱い易い隙間充填剤を提供する。
【解決手段】研磨パッド2が複数に分割されており、当該分割された各研磨パッド2どうしの突合せ部分の隙間8に隙間充填剤9を充填する。隙間充填剤9はウレタン樹脂とジメチルホルムアミドの混合物であって、粘度を5000〜20000cps、充填剤中のウレタン樹脂の割合を15〜30wt%とする。 (もっと読む)


【課題】導電性膜内の微細な配線に強い磁束によるジュール熱損を及ぼすことなく、研磨終了時点を精度よく予測する。
【解決手段】ウェーハWの導電性膜を除去する研磨工程において、ウェーハ上の導電性膜に二次元平面のインダクタ型センサ34を近接させて、インダクタ型センサによりウェーハの導電性膜に誘起される磁束をモニタする。インダクタの形状、インダクタと導電性膜との距離、発振周波数などの条件を導電性膜に表皮効果が働く程度に適正化し、研磨終了の直前に磁束のピークが出現するように構成する。研磨終了の直前では導電性膜を磁束が殆ど貫通せず、ウェーハ内の微細配線などを損傷する虞がなくなる。 (もっと読む)


【課題】
工業的に意味のある研磨速度を維持しつつ、高い研磨選択性と高いクリア性を有することでディッシングやエロージョンの発生を抑制した、CMP工程に好適に用いられる研磨用スラリーを提供する。
【解決手段】
アミド基を含有するビニル単量体90〜100重量部とその他のビニル単量体0〜10重量部とを重合して得られる水溶性樹脂(A)と、酸化剤と、錯形成剤と、防食剤と、アルミナ及び/又はシリカ粒子と、を含むことを特徴とする研磨用スラリーを用いる。 (もっと読む)


【課題】磁気記録ディスクに用いるアルミニウム合金基板、およびガラス基板を超高精度の仕上げで研磨加工を施す際に好適に用いられ得る、少なくとも片面に補強層を有する研磨布に関し、研磨加工時の加工安定性、および研磨布製造時の工程通過性に優れる研磨布を提供する。
【解決手段】極細繊維を表面に有する研磨布であって、極細繊維層1、接着層2、補強層3の三層構造からなり、接着層が面方向に非連続な構造を有することを特徴とする研磨布。 (もっと読む)


本発明の方法は、液体キャリアーおよび化合物を用いて処理された研削剤粒子を含む本発明の研磨組成物を用いて、基材を化学的機械的に研磨する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】 化学機械研磨中において研磨層のダメージを抑制することができ、かつ製品寿命が長い化学機械研磨パッドおよび当該パッドを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる化学機械研磨パッド10は、研磨装置定盤13に固定されるための化学機械研磨パッドであって、研磨層11と、前記研磨層11と前記研磨装置定盤との間に設けられたクッション層14と、を含み、前記クッション層14は、前記研磨層11の中央部を含む領域に貫通孔20を有する。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェハの表面の傷の発生を抑制し、効率的に研磨を行うのに有効な樹脂製の被研磨物保持材を提供する。
【解決手段】引張り強度が2.2GPa以上、引張り弾性率が55GPa以上である有機繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸したプリプレグ2を表層とし、ガラス繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸したプリプレグ3を中間層として、これらプリプレグを積層し加熱加圧して得られた被研磨物保持材であって、プリプレグの樹脂比率が、体積比で40〜45%であり、かつ、前記有機繊維基材及び前記ガラス繊維基材の目付けが150g/m以下である被研磨物保持材1。 (もっと読む)


【課題】加工条件が与えられたとき、正確に対応する加工形状を予測可能な加工形状の予測方法を提供する。
【解決手段】ステップS11において、補正係数を含んだモデル式、すなわち所定の加工条件に対応して決定される加工形状のモデル式を作成する。次に、ステップS12において、簡単な加工条件を設定し、加工を実施する。続いて、ステップS13において加工形状を計測する。そして、ステップS14において、モデル式で計算される加工形状が実際に得られた加工形状に近くなるように、補正係数を同定する。その後は、ステップS15で同定されたモデル式を使用して、与えられた加工条件に対応する加工形状を推定する。 (もっと読む)


【課題】 大型化した薄いウエハであっても研磨液を十分に供給することができ、破損を防止しながらウエハを鏡面研磨すること。
【解決手段】 研磨液Wを供給しながらウエハの両面を研磨して、該ウエハの厚みを所定の厚みに調整するウエハ研磨装置であって、外縁がギア部41aとされ、ウエハが収納される保持孔が形成された円板状のキャリア41と、ギア部を介してキャリアに噛合され、該キャリアを自転させながら軸線回りに公転させる遊星歯車機構と、キャリアの一部を露出させた状態で該キャリアの上下に配置され、保持孔に収納されたウエハに所定の荷重を加えながら該ウエハを両面から挟み込むリング状の上定盤43及び下定盤と、上定盤の外周面上又は内周面のうち少なくともいずれか一方の面上を伝わらせながら露出したキャリアの上面に研磨液を供給する研磨液供給手段と、を備えているウエハ研磨装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】分散性を向上させ、キレート能力も持たせることで、より研磨面の欠陥を抑制できる化学機械研磨用組成物の提供。
【解決手段】長さ(長径)が0.5μm〜1mm、幅(短径)が2nm〜60μm、長さと幅の比(長径/短径)が5〜400の微細繊維状セルロースを0.01〜3質量%を含有する化学機械研磨用組成物。 (もっと読む)


【課題】金属膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、高研磨速度と高平坦化特性を両立させながら、金属膜を低摩擦で均一に安定して研磨することができる化学機械研磨用水系分散体を提供する。
【解決手段】(A)下記式(1)で示される繰り返し単位を含有する重合体と、(B)酸化剤と、(C)アミノ酸と、(D)砥粒と、を含む化学機械研磨用水系分散体。


(式中、Arは、ナフタレン環を表す。Rは、それぞれ独立的に、炭素原子数が1〜10の置換または非置換の炭化水素基、炭素原子数が1〜10の置換または非置換のアルコキシル基、置換または非置換のフェノキシ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、および−SOM基(Mは、1価の陽イオンを表す。)から選ばれる1種を表す。Yは、単結合または炭素原子数が1〜10の置換または非置換の2価の炭化水素を表す。nは、0〜5の整数を表す。) (もっと読む)


【課題】遊離砥粒ワイヤソーを用いて、インゴットからシリコンウエーハを切り出す際に、切断中又は切断後、ウエーハの一部がスライス台より落下する「割れ」の問題がなく、しかも優れた切断精度が得られる遊離砥粒ワイヤソー用水溶性加工油剤、該油剤と遊離砥粒を含むスラリー、該スラリーを用いた脆性材料の切断加工方法を提供すること。
【解決手段】(A)プロピレングリコール、(B)ジエチレングリコール、(C)ジカルボン酸塩、(D)アルキレングリコールのアルキレンオキサイド付加物、及び(E)水を含む遊離砥粒ワイヤソー用水溶性加工油剤において、
(A)プロピレングリコールの配合量に対する(B)ジエチレングリコールの配合量が1.50〜1.80倍である遊離砥粒ワイヤソー用水溶性加工油剤;該油剤及び砥粒を含む切断加工用スラリー;該スラリーを用いて脆性材料を切断すること脆性材料の加工方法。 (もっと読む)


【課題】ワイヤーソーによる切断能力の低下を抑制する。
【解決手段】ローラ11、12の溝11a、12aの底部をローラ11、12の回転軸心に対して多角形とする。これにより、ワイヤー2を走行する際に、ローラ11、12の下方位置における溝11a、12aの底部からローラ11、12の回転軸までの距離がローラ11、12の回転に伴って変化する。このため、ワイヤー2に対して上下方向の振動を与えることが可能となり、インゴット4の切断溝4aの底部とワイヤー2との間に間欠的に隙間を形成することができる。したがって、インゴット4に形成された切断溝4aにスラリ40に含まれたダイヤ砥粒40aが入り難くなることを防止できると共に、切断溝4aからの切断屑の排出性が低下することを防止でき、ワイヤーソー装置1による切断能力が低下することを抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】化学的機械研磨において、基板全体に均一な荷重を加えることが可能な化学的機械研磨ヘッド用保持リングを提供する。
【解決手段】化学機械研磨ヘッド用保持リング110は、下面230、円筒内面232、円筒外面、最上面、及び、通路236を有する環状体であり、研磨ヘッドの支持ヘッド100のベースに固定される。通路236は環状体を貫通してその内面から外面に延びており、下面230からは離間された位置に形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体研磨用スラリー中の異物汚染を高効率で検出することを目的とする。
【解決手段】半導体研磨用スラリーを化学的または物理的またはそれらの組み合わせにより、微細化させ、含まれる異物を微細孔を含む捕集体で回収し、検出するものである。半導体研磨用スラリーは、粒子径が微小であるが凝集した場合、微細孔を通過することが困難であり、凝集体自体が異物の検出を妨害する。本前処理により、半導体研磨用スラリーの凝集体を微細化させることが可能となる。前処理前液層6に示すように微細化前は凝集粒子3が多数存在し、ろ過、計測を妨害するものであった。これに、界面活性剤5を加えることで粒子が微粒子化され、前処理後液層7に示すように微細化粒子4が主な構成となり、ろ過、計測が容易となった。これに伴い、半導体研磨用スラリー中に含まれる異物を安定、容易、高効率で検出することができる。 (もっと読む)


【課題】高い研磨速度を達成しつつ、ディッシングの発生を効果的に抑制するとともに、チタンからなるバリア層を用いた半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、チタンからなるバリア層と導電性金属との研磨速度の選択比が高い金属研磨用組成物および該金属研磨用組成物を用いた化学的機械的研磨方法を提供すること。
【解決手段】(a)下記一般式(A)で表される化合物、(b)下記一般式(B)、(C)および(D)で表される化合物から選択される少なくとも一種、および(c)酸化剤を含有することを特徴とする金属研磨用組成物。
は、水素原子、脂肪族炭化水素基等を表し、Rは、水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、または、−C(=O)Zを表し、Zは、水素原子、脂肪族炭化水素基等を表し、R〜R10は、水素原子、アルキル基等を表す。
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【課題】最小限の摩耗性コンディショニングで再生することができ、ひいてはパッド耐用寿命を延ばす研磨面を有する研磨パッドを提供する。
【解決手段】磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を研磨するための形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッドであって、稠密化状態にある研磨層を含み、研磨層が、本来の形状とプログラム形状との間で変形可能な形状記憶マトリックス材料を含み、研磨層が、形状記憶マトリックス材料がその本来の形状にあるときには本来の厚さOTを示し、研磨層が、形状記憶マトリックス材料がプログラム形状にあるときには稠密化状態で稠密化厚さDTを示し、DT≦OTの80%であり、研磨層が、基材を研磨するために適合された研磨面を有するものである形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。 (もっと読む)


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