【課題】従来技術により研磨された半導体ウェーハに見られる、エッジ領域におけるその厚さの不所望な減少（エッジロールオフ）をなくす。
【解決手段】第１の工程において半導体ウェーハの裏面を０．１〜１．０μｍの粒径の固定砥粒を有する研磨パッドによって、及び固体材料を含まず、少なくとも１１．８のｐＨ値を有する研磨剤の供給下で研磨し、且つ第２の工程において該半導体ウェーハの前面を研磨し、その際、１１．８未満のｐＨ値を有する研磨剤を供給する、半導体ウェーハを研磨する方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】上定盤と下定盤の熱膨張をコントロールすることにより、ラップドウェーハの平坦度及び形状を向上させることができるラップ盤を提供する。
【解決手段】温度センサ３５により検出された上定盤１９と下定盤３１の温度変化を、研磨液の温度にフィードバックさせて、上定盤１９と下定盤３１の熱膨張をコントロールすることにより、上定盤１９と下定盤３１の形状を好適な状態に維持しながらラッピングを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】光学素子の表面欠陥の発生や発達を抑制しつつ、生産性を向上させることが可能な、光学素子の製造技術を提供する。
【解決手段】ホルダ５を介してカンザシ７に傾動および回転自在に支持されたレンズ素材４を、回転するピッチ皿８に押圧して研磨する研磨装置１０１において、ｐＨがレンズ素材４を構成するガラスと同等に調製され、マイクロバブル等の気泡を含む研磨液１０を供給して研磨加工を行うことにより、研磨液１０のｐＨの設定によるレンズ素材４の研磨傷の発生や発達の抑止と、気泡の混入による加工レートの向上の効果を両立させ、レンズ素材４から得られるレンズ４の表面欠陥の発生や発達を抑制しつつ、生産性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 研磨レートの低下を招くことなく、良好な研磨品質を確保可能な研磨パッドを提供することである。
【解決手段】 研磨面と該研磨面と反対側の非研磨面を有する研磨層と、該研磨層の該非研磨面上に貼着された緩衝層とを備えた研磨パッドであって、該緩衝層の中央に形成され、研磨液供給源に接続される研磨液供給貫通孔と、該緩衝層及び該研磨層の何れか一方に形成され、一端が該研磨液供給貫通孔に連通して該研磨パッドの外周方向に放射状に伸長する複数の放射状研磨液流路と、該研磨層の該研磨面に同心状に形成された複数の円形溝と、該放射状研磨液流路と該円形溝との交点が連通してなる複数の研磨液吐出口とを具備し、該放射状研磨液流路の他端は、少なくとも前記複数の円形溝のうち最外周の円形溝に至ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】精製前の研磨スラリーのｐＨに対して、精製後の研磨スラリーのｐＨ変化を抑制する。
【解決手段】精製する研磨スラリーが酸性の場合は、キレート形成繊維中の金属キレート形成能を有する官能基の酸型末端基を酸型（Ｈ型）とし、精製する研磨用スラリーがアルカリ性の場合は、キレート形成繊維中の金属キレート形成能を有する官能基の酸型末端基をアルカリ金属塩またはアンモニウム塩として通液処理を行う。 （もっと読む）

【課題】加工が終了して上定盤を上昇させる際に、短時間にワークを上定盤から確実に離す平面研磨装置およびワーク取り外し方法を提供する。
【解決手段】上定盤回転昇降駆動部が上定盤１４を傾斜自在支持とするか固定支持とするかを切り替える支持切替部を設け、上定盤１４が回転研磨するときの支持切替部は上定盤１４を傾斜自在支持としてワーク１５に倣うようにし、また、上定盤１４が上昇するときの支持切替部は上定盤回転昇降駆動部に対して上定盤１４を固定してワーク１５に対して略平行を維持しつつ全てのワークにおいて僅かな距離だけ隙間を空けるように上昇させ、下定盤を回転させて負圧により吸引してワークを引き離す平面研磨装置およびワーク取り外し方法とした。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによる円柱状のワークの切断において、Ｗａｒｐの発生を簡単に効果的に抑制することができるワークの切断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数のワイヤガイド間に螺旋状にワイヤを巻回することによって形成されるワイヤ列に円柱状のワークを押圧し、前記ワークとワイヤとの接触部にスラリを供給しながら前記ワイヤを走行させることによって、前記ワークをウェーハ状に切断するワークの切断方法において、切断開始前に前記ワークを、前記供給するスラリの切断開始時の温度以上、前記ワークの切断中に達するワークの最高温度以下の温度に加温してから該ワークを切断することを特徴とするワークの切断方法。 （もっと読む）

【課題】プレストンの経験式におけるプレストン係数を簡易な方法で求めることができ、このプレストンの経験式から基板の研磨量プロファイルを得ることにより、複数個の研磨ヘッドの最適な研磨条件を容易に決定することができる研磨方法を提供する。
【解決手段】水平に走行する基板上に複数個配設した円盤状の各研磨ヘッドの研磨面を前記基板に圧着し、各研磨ヘッドを基板面に垂直な回転軸で回転させると共に、各研磨ヘッドを基板の走行方向と直交する水平方向に往復運動させ、かつ各研磨ヘッドの回転中心部に設けた研磨液供給孔から研磨液を、研磨面に装着した研磨パッドを介して走行する基板へ供給することにより、前記基板を連続的に鏡面研磨する方法であって、特定の手順で選定した研磨条件にて研磨する方法。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの均一研磨が可能となり、また、ウェーハの外周部の傷の発生も可及的に減少させることのできる両面研磨装置を提供する。
【課題を解決するための手段】キャリア本体４４ａの上下面であって、透孔４９の周縁部に、耐摩耗性を有する材料により、所定幅、所要厚さのコーティング層５１が形成され、かつ透孔４９の内周壁に、キャリア本体４４ａと同一厚さで所要幅を有する樹脂製の緩衝リング５３が取り付けられ、該緩衝リング５３内にウェーハ５５が保持されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】廃スラリーから砥粒およびクーラントを回収して再使用した再生スラリーを供給しながら、ワイヤソーによりシリコンインゴットを切断するにあたって、切断品質の低下を防ぐとともに、回収率を向上させることでコストの増加を抑制しながら切断することができる方法を提供する。
【解決手段】ワイヤソーによるシリコンインゴットの切断時の廃スラリーを１次遠心分離して１次分離液と固形分に分離し、１次分離液の少なくとも一部を２次遠心分離して廃スラジと２次分離液に分離し、２次分離液と固形分を回収し、新砥粒と新クーラントを加えて再生スラリーを調合してワイヤソーに供給しつつシリコンインゴットを切断するシリコンインゴットの切断方法であって、２次遠心分離において、１次分離液の５０質量％以上の量の２次分離液を回収するとともに、再生スラリーを調合するときにシリコン濃度を６質量％以下にしてワイヤソーに供給する切断方法。 （もっと読む）

【課題】研磨中に供給する研磨スラリーの量を従来に比べて少なくすることができるとともに、ワークのフラットネス、特に外周形状とナノトポロジーを改善することのできる研磨装置およびワークの研磨方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、研磨定盤と、該研磨定盤上に貼り付けられ、該研磨定盤より径の大きな研磨布と、前記研磨定盤の周りに配置され、前記研磨布の外周部が貼り付けられた定盤外周リングと、スラリー供給機構とを具備する研磨装置であって、該研磨装置は、更に、前記研磨定盤と前記定盤外周リングの上下間の相対位置を変更することによって前記研磨布の外周部を内周部に比べて相対的に上下動することができる上下移動機構とを具備するものであることを特徴とする研磨装置。 （もっと読む）

【課題】異なる物性を持った液体を配管内で混合可能な半導体ウェハの研磨装置、継手、および撹拌コマを提供すること。
【解決手段】半導体ウェハの研磨装置において、流体混合部４２に、流量の大きな流体の流れ方向となす角αが鋭角で、かつ端部が主流配管接続部５１１の内部に突出し、流体の流れ方向に沿って折曲して設けられた支流配管接続部５２１を備えた継手５１と、継手５１より下流の配管内に撹拌コマ６１を備えた。 （もっと読む）

【課題】 内燃機関用インジェクタのインジェクタノズルに対し、噴射孔毎に加工量を変更することができるインジェクタノズルの加工装置および加工方法を提供する。
【解決手段】 インジェクタノズル１００の先端部１００ｃに形成された複数の噴射孔１０５に砥粒懸濁液Ｓを送給することによって当該噴射孔を研削加工するインジェクタノズルの加工装置１であって、噴射孔１０５に砥粒懸濁液Ｓを送給する送給装置５と、インジェクタノズル１００の先端部１００ｃに外接し、噴射孔１０５を少なくとも１つを除いて閉塞する噴射孔閉塞部材２とを備え、インジェクタノズル１００と噴射孔閉塞部材２とを相対変位させることにより、噴射孔閉塞部材２に閉塞されない噴射孔１０５を順次変化させながら研削加工を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤによりシリコン材料を切断する際の性能を大幅に向上できるようにする。
【解決手段】ワイヤ芯材表面にダイヤモンド砥粒を固着させた固定砥粒ワイヤ２にクーラント７を供給してシリコン材料４を切断するワイヤソーのクーラント管理方法であって、切断によって生じた使用済みスラリ１３を直接遠心分離機１５に導いてシリコン切削屑２４を除去し、シリコン切削屑２４が除去されたクーラント７を固定砥粒ワイヤ２に供給して再使用する。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤによりシリコン材料を切断する際の切断性能を大幅に向上させることができ、同時に、切断スラリから分離されるクーラントと固形分を略全量回収して再利用できるようにする。
【解決手段】ワイヤ芯材表面にダイヤモンド砥粒を固着させた固定砥粒ワイヤ２にクーラント７を供給してシリコン材料４を切断するワイヤソーのクーラント管理方法であって、シリコン材料４を切断した切断スラリ１３を遠心分離機１５に導いて粗粒固形分２０と分離液２２とに分離し、遠心分離機１５で分離した分離液２２を膜濾過装置２８に供給して微粒混合液２９と回収クーラント３０とに分離し、遠心分離機１５で分離した分離液２２の一部と膜濾過装置２８で分離した回収クーラント３０とを調合タンク８により調合して再び固定砥粒ワイヤ２に供給する。 （もっと読む）

化学機械研磨装置は、研磨表面を持つパッドを保持するプラテンと、研磨工程中、基板と研磨表面を共に保持するサブシステムと、研磨表面の温度を測定するために方向付けられた温度センサとを含み、ここで、サブシステムは、センサによって測定された温度を受信し、測定された温度に応じて研磨プロセスのパラメータを変えるようにプログラムされている。１つの態様において、化学機械研磨装置は、研磨表面を持つパッドを保持するプラテンと、流体を流体源から研磨表面まで輸送する流体配送システムと、作業中配送システムによって輸送される流体の温度を制御する温度制御装置を持つ。
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【課題】事前に多数の研磨試験などを行うことなく、より精密な研磨プロファイル制御を行うことができるようにする。
【解決手段】研磨面５２ａを有する研磨テーブル２２と、研磨対象物Ｗを保持し研磨面５２ａに押圧するトップリング２４と、研磨面５２ａに研磨液を供給する研磨液供給ノズル２６と、研磨液供給ノズル２６の研磨液供給位置２６ａを研磨面５２ａの略半径方向に沿って移動させる移動機構７０と、移動機構７０を制御するコントローラ６６と、研磨液供給ノズル２６の研磨液供給位置２６ａと研磨プロファイルとの関係を予測しシミュレーションを行ってコントローラに出力するシミュレータ７２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】比較的高い研磨レートを維持したまま、研磨液の消費量をより削減することができるようにする。
【解決手段】研磨面５２ａを有する研磨テーブル２２と、研磨対象物Ｗを保持し該研磨対象物Ｗを研磨面５２ａに押圧するトップリング２４と、研磨液供給ライン７２に接続されて研磨面５２ａに研磨液Ｑを供給する研磨液供給ノズル２６と、研磨面５２ａ上の研磨液量を研磨中に監視する研磨液量監視手段６０と、研磨液量監視手段６０の出力に応じて研磨液供給ノズル２６から研磨面５２ａに供給する研磨液Ｑの液量を調整する液量調整部７４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】研磨剤を効率よく供給して安定した研磨性能を発揮することができ、研磨剤の使用量を抑制することができ、さらに研磨時間が短縮できる簡易な構成のプラスチックレンズ研磨装置を提供すること
【解決手段】プラスチックレンズＢに当接する研磨部材２と、この研磨部材２をプラスチックレンズＢに対して前進かつ回転させる駆動部１０と、を有するプラスチックレンズ研磨装置１であって、前記研磨部材２は、連続気泡が内部に形成された弾性部材４０と、この弾性部材４０に研磨剤３１を収納する研磨剤収納部３０と、を備え、前記弾性部材４０が前記研磨剤収納部３０に収納された前記研磨剤３１に浸されていることを特徴とするプラスチックレンズ研磨装置１。 （もっと読む）

本発明は、切断プロセスの前、その間、または、その後にワイヤソーの各構成要素を洗浄すべく、または、自浄式ワイヤソー切断装置の切断領域を湿潤すべく適合された洗浄機構を含むという自浄式ワイヤソー切断装置を提供する。本自浄式ワイヤソー切断装置は、ワイヤソーの種々の構成要素上へと水性流体を供与すべく適合された少なくとも一個の供与器を含んでいる。 （もっと読む）