【課題】固定電極に備えたシリコン接触部と可動電極とが、それらの接触する部分において、固着を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】シリコン接触部１４は、Ｒを有する凸状に形成され、可動電極５は、シリコン接触部１４との対向面にＲ形状を有する凸部１３を備える。これら、可動電極５と絶縁基板２０は、シリコン接触部１４および凸部１３を介して接触し、シリコン接触部１４と凸部１３とは、それらが接触する点における法線の向きと点における離れる力の向きとが異なる。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高信頼性、および小さなセンサを可能とする、ウェハレベルパッケージプロセスを提供する。
【解決手段】下カバーウェハ２１０および上カバーウェハ２３０を提供するステップと、基板層上に複数のＭＥＭＳ装置を含む半導体ウェハを提供するステップと、半導体ウェハを下カバーウェハの第１表面に接合するステップと、上カバーウェハの第２表面を半導体ウェハに接合するステップと、を有する。下カバーウェハの第１表面および上カバーウェハの第２表面は、半導体ウェハに接合されたときに、複数の密封シールされるキャビティ区域を画定し、ＭＥＭＳ装置の各々は、シールされるキャビティ区域の１つの内側に配置される。上カバーが半導体ウェハに接合された後に、上カバーウェハの第１表面から上カバーウェハの第２表面まで延びる複数の穴が形成される。その後、各穴に金属リード層が堆積され、ＭＥＭＳ装置に電気的接続を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面側保護基板を通してデバイス本体のパッドと実装基板の導体パターンとを電気的に接続でき、且つ、デバイス本体に不要な応力がかかるのを抑制しつつ電気的な接続信頼性を高めることが可能なＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板（半導体基板）１００を用いて形成され複数のパッド１３を一表面側に備えたミラー形成基板（デバイス本体）１、ミラー形成基板１の一表面側に接合された第１のカバー基板（表面側保護基板）２を有するＭＥＭＳチップ４と、ＭＥＭＳチップ４が実装された実装基板５とを備える。第１のカバー基板２は、ミラー形成基板１の各パッド１３それぞれと接合されて電気的に接続されたシリコンからなる複数の導電部２０２が、第１のカバー基板２の厚み寸法内で設けられている。各導電部２０２と実装基板５の各導体パターン５０２とが、両者に跨って形成された半田部６を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】挿入損失やサイズ、コストを低減でき、全体としてのインダクタンスを大きくすることが容易な可変インダクタ装置を提供する。
【解決手段】可変インダクタ装置１は、下基板２Ａと、巻線コイル３Ａ，３Ｂと、可動板４と、上駆動電極６Ａとを備える。巻線コイル３Ａ，３Ｂは、下基板２Ａ上に形成された導体薄膜から形成され互いに直列に接続される。可動板４は前記導体薄膜から形成され、下基板２Ａに対して近接または離間する配置に変位可能である。上駆動電極６Ａは、可動板４に対向するように支持され。可動板４と上駆動電極６Ａとは巻線コイル３Ａに対して並列に接続されるスイッチングキャパシタを形成する。 （もっと読む）

【課題】構造体の平面サイズの大型化を抑制しつつ伝送損失の低減を図ることが可能で且つ信号線を囲む接地導体の形成が容易な配線構造を備えた構造体およびＭＥＭＳリレーを提供する。
【解決手段】接地導体５は、ベース基板１の一表面側で信号線１３の幅方向の両側に形成された第１のグランド配線５１，５１と、ベース基板１に形成されて各第１のグランド配線５１，５１に電気的に接続されたビアからなる第２のグランド配線５２，５２と、ベース基板１の他表面側において第２のグランド配線５２，５２同士を電気的に接続し信号線１３に並行する第３のグランド配線５３と、カバー基板３におけるベース基板１との対向面側に形成された第４のグランド配線５４と、中間基板２において空洞部２７の両側に形成され各第１のグランド配線５１，５１と第４のグランド配線５４とを電気的に接続する貫通スリット配線からなる第５のグランド配線５５，５５とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】微小デバイスを構成する貫通孔配線基板の製造方法であって、基板４０の両表面を貫通する貫通孔４１を形成する工程と、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程と、を備え、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程では、Ｎｉめっきの析出レートを５０ｎｍ／ｍｉｎ未満にしてめっきを成長させる。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された渦巻き状の可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な分光精度を維持できる波長可変干渉フィルターを提供すること。
【解決手段】
第一基板５１と、第一基板５１に接合される第二基板５２と、第一基板５１に設けられる第一反射膜５６と、第二基板５２に設けられる第二反射膜５７と、第一反射膜５６と第二反射膜５７とのギャップＧを変更する可変部５４と、を備え、第二基板５２は、第二基板５２を基板厚み方向から見る平面視において、第二反射膜５７に重なる位置に設けられる可動部５２１を有する第一層５２０と、第一層５２０の第一基板５１に対向する面に積層されるとともに、厚み寸法が一様な板状に形成され、可動部５２１を変位可能に支持する支持部５３１を有する第二層５３０と、を備え、第一層５２０には、少なくとも前記平面視で支持部５３１に重なる領域に第一層５２０が積層されていないことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 （もっと読む）

【課題】デバイス本体に不要な応力がかかるのを抑制しつつ、外部物体との接触によるボンディングワイヤの破損を防止することが可能なＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板（半導体基板）１００を用いて形成され複数のパッド１３を一表面側に備えたデバイス本体１、デバイス本体１の上記一表面側に接合された表面側保護基板２、デバイス本体１の他表面側に接合された裏面側保護基板３を有するＭＥＭＳチップＣと、ＭＥＭＳチップＣが実装された実装基板５とを備える。表面側保護基板２は、デバイス本体１の各パッド１３それぞれを全周に亘って露出させる複数の貫通孔２０２が形成され、且つ、各貫通孔２０２それぞれに各別に連通するととともに貫通孔２０２側とは反対側が開放されデバイス本体１のパッド１３と実装基板５の導体パターン５０２とを電気的に接続するボンディングワイヤを通す複数の溝部２０３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部衝撃による破損およびそれによるコストアップを抑制できるＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】フレーム１１１と、フレームと同じ層に形成され、フレームに対して相対運動可能に一対のトーションバネ１１３によりフレームの内側に連結された駆動体１１５と、駆動体の高さ方向変位を制限する上昇ストッパ１４０および下降制限ストッパ１５０と、を備えたＭＥＭＳデバイスであり、駆動体は周辺部を備えており、外部衝撃が加えられて駆動体が急激に上昇する場合には駆動体の周辺部が上昇制限ストッパの一端部１４１にひっかかり、外部衝撃が加えられて駆動体が急激に下降する場合には下降制限ストッパの一端部１５１がフレームにひっかかることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝送ロスを低減でき、しかも容易に作製できる配線構造およびＭＥＭＳリレーを提供する。
【解決手段】配線構造は、基板よりなるベース２０と、ベース２０の一表面側に形成された伝送線路１０と、伝送線路１０の周囲に配置され且つ伝送線路１０から電気的に絶縁された接地線路１１と、伝送線路１０を挟み込むように伝送線路１０の幅方向の一端側および他端側にそれぞれ設けられ且つベース２０を厚み方向に貫通した第１孔部２４および第２孔部２５とを備える。接地線路１１は、第１孔部２４の内側に形成された第１導電部１１０と、第２孔部２５の内側に形成された第２導電部１１１と、ベース２０の他表面側に形成され第１導電部１１０および第２導電部１１１に接続された第３導電部１１２とを有する。各孔部２４，２５は、伝送線路１０の幅方向に沿った長さが、他表面側の方が一表面側よりも大きくなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝送ロスを低減することができ、しかも容易に作製することができる配線構造およびＭＥＭＳリレーを提供することにある。
【解決手段】配線構造は、ベース２０と、機能部３０と、カバー４０とを有するＭＥＭＳデバイスに設けられ、伝送線路１０を囲う接地線路１１を含む。接地線路１１は、ベース２０における伝送線路１０の幅方向の一端側の凹所２４及び他端側の凹所２５の内側に形成される第１の導電部１１０及び第２の導電部１１１と、カバー４０における伝送線路１０との対向面に形成される第３の導電部１１２と、機能部３０に設けられ第１の導電部１１０と第３の導電部１１２とを接続する第４の導電部１１３および第２の導電部１１１と第３の導電部１１２とを接続する第５の導電部１１４とで構成される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳチップを半導体チップ上にフェースダウン実装した場合においても、半導体チップを経由することなくＭＥＭＳチップからパッケージの外部に結線できるようにする。
【解決手段】可動部１６が半導体ウェハ３１に対向するようにして、ＭＥＭＳチップを半導体ウェハ３１上にフェースダウン実装し、ＭＥＭＳチップと半導体ウェハ３１間の段差が解消されるように、ＭＥＭＳチップの周囲の半導体ウェハ３１上に樹脂層３７を形成し、樹脂層３７の表面および半導体基板の裏面の研削を行った後、半導体基板をウエットエッチングすることで、半導体基板を絶縁膜１２から除去し、パッド電極３３ａに接続されたランド電極４０ａおよび電極１５ｂの裏面に接続されたランド電極４０ｂを樹脂層３８上に形成する。 （もっと読む）

【課題】異物の侵入などによって弁体部に開閉不良が生じた場合、確実にこれを検出することが可能なマイクロバルブを提供する。
【解決手段】ダイアフラム１２は、開閉検出手段２６を構成する第１の電極（可動電極）を兼ねている。また、第２の基板２０の溝部２２において、ダイアフラム１２と対面する位置に、開閉検出手段２６を構成する第２の電極（固定電極）２８が形成される。 （もっと読む）

【課題】複数種類のレーザ光源や集光系を用意することなく、工程数を増やすことなく、大判多層基板を分割して所望のサイズの多層基板を得るための多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】多層基板の製造方法は、互いに異なる種類の材料からなる第１の基板としてのガラス基板１１と第２の基板としてのＳｉ基板１２とが積層された大判多層基板１０を分割予定ライン１３に沿って分割することによって多層基板を製造するための方法であって、分割予定ライン１３に沿って前記第２の基板の材料を所定幅で除去する工程と、前記第２の基板の材料を前記所定幅で除去する工程より後に、分割予定ライン１３に沿って前記第１の基板にレーザ光１５の照射を行なって改質領域１６を形成する工程と、この改質領域１６をきっかけとして大判多層基板１０を分割する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い液体金属リレーをマイクロマシン技術により形成するとともに、貫通電極を設けることによって高周波特性が良くかつ抵抗値が低いリレーを実現する。
【解決手段】 液体金属により複数の電極間のオン・オフ状態を切り替えるようにしたリレーにおいて、第１および第２の基板を張り合わせて形成された流路と、この流路の途中に形成された液体室と、この液体室に配置された複数の電極と、前記流路の両端に連通して配置された第１および第２の気体室と、これら第１および第２の気体室に封入された気体およびこの気体を加熱する加熱手段と、前記液体室に封入された液体金属と、前記複数の電極および前記加熱手段から前記第１の基板の外側に導出する貫通電極とを具備することにより、高周波特性が良くかつ抵抗値が低いリレーを実現した。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化に対しても歪みが生じる虞がなく、したがって、圧力−流量特性等の諸特性が変化する虞のないノーマリクローズド型のマイクロバルブを実現することができるマイクロバルブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロバルブは、ＳＯＩ基板１１のダイアフラム１２の下面側に弁１３及び固定部１４が設けられ上面側かつ弁１３に相対する位置に絶縁膜１５が設けられた第１の基板１と、ガラス基板２１に溝部２２及び開孔部２３が形成された第２の基板２と、ガラス基板３１に流体の流入口及び流出口３２が形成された第３の基板３とを重ね合わせて接合一体化した構成である。 （もっと読む）