【課題】温度制御管理に関する機能性が高く信頼性を向上させる。
【解決手段】反応管及び反応管内部のウェーハを加熱処理するためのヒータと、上記反応管の温度を測定して上記ヒータの温度を調節する温度調節用の複数の第１の温度センサと、上記反応管の温度を測定して上記反応管の温度を監視する監視用の複数の第２の温度センサと、上記複数の第１の温度センサのうちの任意の第１の温度センサが故障したときは、上記故障した任意の第１の温度センサにより測定される温度に代えて、上記複数の第２の温度センサのうち上記任意の第１の温度センサの近傍に設けられた第２の温度センサにより測定される温度に応じて、上記ヒータヘの電力供給の制御を継続させる制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 赤外線の集中加熱を可能として高効率化をなし得ると共に、机上においても使用できるように小型・軽量化を図り、それにより省電力化をなし得る新規な高効率赤外線導入加熱装置を提供することを目的とする。
【課題手段】 赤外線放射側回転楕円反射ミラー１に赤外線集光側回転反射ミラー２を接続し、赤外線放射側回転楕円反射ミラー１の焦点位置Ｆ_１に赤外線ランプ３を配置してあり、赤外線放射側回転楕円反射ミラー１及び赤外線集光側回転反射ミラー２によって反射された赤外線が赤外線集光側回転反射ミラー２の先端小径部８に集中して集光されるように赤外線放射側回転楕円反射ミラー１及び赤外線集光側回転反射ミラー２の形状を構成してある。 （もっと読む）

【課題】熱板のカバー（蓋体）の断熱性を確保しつつ、低温領域での熱板の設定温度の変更にも高速で追従することができる加熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを載置し加熱する熱板５０と、熱板５０上に載置された基板Ｗを覆い処理室４１を形成する蓋体６０と、蓋体６０の温度を計測する温度センサ１００とを有する。蓋体６０は、上面と下面との間に形成された空間層７４、７５を有し、蓋体６０を冷却するときに、空間層７４、７５に冷却用気体を通流させて、温度センサ１００の出力信号に基づいて、冷却用気体の流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】高精度で且つ制御性能が高い温度制御を行うことができる熱処理装置の温度制御方法を提供する。
【解決手段】第１のＰＩＤ演算要素と第２のＰＩＤ演算要素とでカスケード制御を行う温度コントローラを有する熱処理装置の温度制御方法において、第１のＰＩＤ演算要素の第１の操作量の上下限判定範囲を、炉内温度が目標値に一致しているときの該第１の操作量の値を基準に正負両側に略同じ値である範囲とし、かつ第１のＰＩＤ演算要素で計算された第１の操作量がその上限値を超えたと判定されたときは該第１の操作量が前記上下限判定範囲の上限値になる分だけ前記第１のＰＩＤ演算要素の積分操作量を増加させ、その下限値を下回ったと判定されたときは該第１の操作量が前記上下限判定範囲の下限値になる分だけ積分操作量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】突入電流やノイズを発生させずに加熱ランプを昇温させる。
【解決手段】加熱ランプ１５を室温から昇温させる場合、室温から変更温度までは位相制御で昇温させ、変更温度から処理温度まではサイクル制御で昇温させる。処理温度から変更温度よりも低い最低温度まで降温した場合、サイクル制御によって処理温度まで上昇させる。加熱ランプのフィラメントが低抵抗の室温のときは、位相制御を用いているので突入電流が発生せず、変更温度以上のときは、サイクル制御を用いているのでノイズが発生しない。 （もっと読む）

【課題】温度制御管理に関する機能性が高く信頼性を向上させる。
【解決手段】反応管４内部のウェーハを加熱処理するためのヒータ２と、上記ヒータ２の温度を測定して上記ヒータ２の温度を調節する温度調節用の複数の第１の温度センサ３と、上記ヒータ２の温度を測定して上記ヒータ２の温度を監視する監視用の複数の第２の温度センサ６と、上記複数の第１の温度センサ３のうちの任意の第１の温度センサ３が故障したときは、上記故障した任意の第１の温度センサ３により測定される温度に代えて、上記複数の第２の温度センサ６のうち上記任意の第１の温度センサ３の近傍に設けられた第２の温度センサ６により測定される温度に応じて、上記ヒータ２ヘの電力供給の制御を継続させる制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定かつ高精度な温度制御に好適な技術を提供する。
【解決手段】温度を制御する温度制御装置２００は、加熱部３０と、温度を検出する温度検出部３６と、目標温度と前記温度検出部によって検出された温度との偏差Ｅに基づいて操作量ＭＶｒを演算する演算部１００と、操作量ＭＶｒに応じて電圧又は電流が調整された電力を加熱部３０に供給する電力調整器２８とを備える。演算部１００は、比例要素、積分要素および微分要素のうち少なくとも比例要素を偏差Ｅに乗じる第１演算部３２と、平方根を演算する第２演算部３４とを含み、第１演算部３２と第２演算部３４とが直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】平板状部材に対する熱処理工程で使用される複数の電気ヒーターへの個別電力供給量を最適化し、目標温度と合致した、且つ全面が均一な温度即ち温度分布のムラがない状態になるように制御することが可能な制御装置を提供する。
【解決手段】平板状部材の加熱のための、ホットプレート１１を構成する複数個のヒーターＨ１〜Ｈ８の近傍にそれぞれ分布温度センサーを配置して分布温度を測定する分布温度計１３と、ホットプレートの現在温度を最も反映する位置に自動制御するための主温度センサーを配置し、その情報で全ヒーターの出力指令値（％）を得る主温度調節計１４と、分布温度計から得た個々の温度と主温度調節計から得た現在温度とを比較し、個々のヒーターへ電力調整器を介して適正な出力値（％）を送る均熱制御器１６と、個々のヒーターの電力制御を行う上記電力調整器１９を具備して平板状部材の均熱制御装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】安価に輻射エネルギーを調整可能な輻射加熱装置の均熱性調整構造を提供する。
【解決手段】ワーク２０の方向に光を反射する反射鏡１２を備えた複数のヒータ用ランプ１１が並列に配置された輻射加熱装置１０の均熱性を高める輻射加熱装置１０の均熱性調整構造において、反射鏡１２が回転軸Ｃを備え、反射鏡１２がヒータ用ランプ１１の周囲を、ヒータ用ランプ１１を中心に回動し、任意の角度で固定可能な構成とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でヒータの交換時期を判定して、ヒータの不具合による被処理基板の
不良を防止することができる半導体製造装置の電熱線の劣化判定方法及び半導体製造装置
を提供する。
【解決手段】縦型拡散炉は、筐体の内部には筒状ヒータ１１を有している。筒状ヒータ１
１の各ブロック２０Ａ〜２０Ｄには、それぞれ電熱線２４Ａ〜２４Ｄ及び温度センサ２６
Ａ〜２６Ｄが備えられている。例えば、Ｕブロック２０Ｄが所定温度から目標温度に昇温
されたとき、所定温度と目標温度との温度差と、所定温度から目標温度への変化に要した
第１経過時間とから単位時間当たりの第１温度変化量を算出する。そして、第１温度変化
量が、交換が必要な程度に劣化した上部電熱線２４ＤによりＵブロック２０Ｄが所定温度
から目標温度に昇温された場合の単位時間当たりの劣化温度変化量よりも小さい場合には
、上部電熱線２４Ｄが劣化していると判定する。 （もっと読む）

【課題】セラミックスヒーターの測温できる場所や装置構造の制約をなくし、装置の大幅な簡略化および低コスト化する。また、測温精度を高め、温度制御を高精度化する。
【解決手段】複数の発熱抵抗体が埋設されたセラミックスからなる平板状の載置部と、前記複数の発熱抵抗体の埋設位置に形成された複数の発熱抵抗体領域と、各発熱抵抗体領域に埋設された少なくとも一つの測温素子とを備えることを特徴とするセラミックスヒーター。また、使用温度における前記セラミックスの体積抵抗率が１０Ｅ＋０８Ω・ｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】大型基板に対し、大型特殊設備を用いて製造される大型のヒーターを使用する必要がなく製造コスト削減が可能な真空処理技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空槽２内で基板に対して真空処理を行う真空処理装置であって、真空槽２内において上に基板１０を配置するサセプタ５と、サセプタ５に配置された基板１０全体を加熱ブロック９を介して加熱する基板加熱手段７０とを備える。基板加熱手段７０は、サセプタ５の基板配置領域より大きさの小さい複数のブロック状の分割ヒーター７が隣接するように配置構成されている。 （もっと読む）

【課題】酸素を含む雰囲気中で膜の成長や加熱処理を行う場合に、容易に劣化せず、赤外線を大量に吸収することもない赤外線リフレクターとこれを備えた加熱装置を提供する。
【解決手段】基材１上に誘電体膜２、Ａｕ（金）膜３、酸化膜４が順に形成されている。この構成の赤外線リフレクターは、被加熱体側に酸化膜４が向くように使用される。Ａｕ膜３という反射メタルにより加熱源からの赤外線を反射して被加熱体側に集めることができる。また、基材１上に誘電体膜２が形成されているので、高温下でのＡｕの拡散を防止することができ、赤外線リフレクターの劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】熱処理中の基板の温度および温度分布を計測することができる装置を提供する。
【解決手段】熱プレート１０を平面視で複数の区画に分割し、各区画ごとに個別に制御可能な分割ヒータを配設し、熱プレート上に支持されて熱処理されている基板Ｗの温度および温度分布を計測するサーモグラフィ２８を備える。サーモグラフィ２８によって計測される基板Ｗの温度および温度分布と、熱プレート１０の各区画に対応する予め記憶された位置および平面的大きさの情報とに基づいて、基板の、熱プレートの各区画に対応する各領域における平均温度が等しくなるように、各分割ヒータをフィードバック制御する。 （もっと読む）

【課題】作製、運搬および設置が容易であり、均熱性に優れたホットプレート及びこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るホットプレート１０は、加熱源１３を内蔵した複数のヒーターブロック１１Ａ〜１１Ｈを相互に隣接配置させてなる加熱部１１と、加熱部１１の上面に配置されて被処理基板Ｗの支持面を形成する単一の伝熱板１２とを備えている。ホットプレート１０の主要部を構成する加熱部１１を複数のヒーターブロック１１Ａ〜１１Ｈに分割可能に構成することで、ホットプレート１０の作製、運搬および設置を容易に行うことが可能となる。そして、これら複数のヒーターブロックからなる加熱部１１の上面に伝熱板１２を配置することによって、被処理基板Ｗの支持面において個々のヒーターブロック間における温度勾配の発生を抑制し、支持面の均熱性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】熱板の温度設定のタイミングを適正化及び一定化する。
【解決手段】ＰＥＢ装置の熱板は、複数の熱板領域に区画されており、各熱板領域毎に温度設定できる。熱板の各熱板領域には、熱板面内の温度を調整するための温度補正値がそれぞれ設定できる。先ず、フォトリソグラフィー工程の終了したウェハ面内の線幅が測定される（Ｓ１）。その測定線幅の面内傾向Ｚがゼルニケ多項式を用いて複数の面内傾向成分Ｚ_ｉに分解される（Ｓ２）。その算出された複数の面内傾向成分Ｚ_ｉから、温度補正値の変更により改善可能な面内傾向成分Ｚａ_ｉが抜き出され、それらが足し合わされて、ウェハ面内の測定線幅の改善可能な面内傾向Ｚａが算出される（Ｓ３）。改善可能な面内傾向Ｚａの大きさが予め設定されている閾値Ｌを超えた場合にのみ、熱板の各熱板領域の温度補正値の設定変更が行われる（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】高周波誘導を抑制するアース電極を内蔵することによって高周波誘導発熱を抑制すると共に、励起した反応ガスによって浸食されない面状ヒータ及びこれを備えた半導体熱処理装置を提供する。
【解決手段】面状ヒータ１は、シリカガラス板状体２内部に平面状に配置、封止されたカーボンワイヤー発熱体ＣＷと、前記カーボンワイヤー発熱体ＣＷの上方のシリカガラス板状体２内部に、平面状に配置、封止されたアース電極３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの線幅がウェハ面内で均一に形成されるように，熱板の温度設定を行う。
【解決手段】ＰＥＢ装置の熱板は，複数の熱板領域に分割されており，各熱板領域毎に温度設定できる。熱板の各熱板領域には，熱板面内の温度を調整するための温度補正値がそれぞれ設定できる。先ず，フォトリソグラフィー工程が終了したウェハ面内の線幅を測定するＳ１。その測定線幅の面内傾向Ｚを，ゼルニケ多項式を用いて複数の面内傾向成分Ｚｎに分解するＳ２。次に，その算出された複数の面内傾向成分Ｚｎから，温度補正値の設定により改善可能な面内傾向成分を抜き出し，それらを足し合わせて，測定線幅における改善可能な面内傾向Ｚａを算出するＳ３。そして，現状の処理状態の面内傾向Ｚからその改善可能な面内傾向Ｚａを引き算して，改善後の面内傾向Ｚｆを算出するＳ４。 （もっと読む）

【課題】らせん状に進行する帯状体２を真空中で均一に高温加熱することが可能なヒータユニット６０を提供する。
【解決手段】らせん状に進行する帯状体２に対して真空中で熱処理を行うヒータユニット６０であって、複数の金属線を撚り合わせた線材が帯状体２と平行な水平面内においてつづら折り状に配置された線材ヒータ６２を備えている。その線材ヒータ６２は、第１支持部材６４および第２支持部材７４により、フレーム９０に対して伸縮自在に支持されている。 （もっと読む）

【課題】近接昇華法を用いた炭化ケイ素単結晶ウェハの製造において、昇華用原料を均熱加熱できる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】昇華用原料２と炭化ケイ素基板４の間に炭化ケイ素単結晶の成長領域を形成することができる程度に昇華用原料２と炭化ケイ素基板４を近接して配置した後、坩堝１０の昇華用原料２収容側から電子衝撃加熱して昇華雰囲気を形成し、炭化ケイ素基板４上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。上記炭化ケイ素基板としては、α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から０．４度以上２度以下のオフ角で切り出された炭化ケイ素単結晶ウェハを用いる。 （もっと読む）