カソードと、アノードと、その間に発光層とを備える有用なエレクトロルミネセントデバイスであって、この発光層はホスト材料とリン光発光材料とを含み、このホスト材料は式（１）：Ｘ’−Ａ−Ｘ’’によって示され、式中、Ａは、非置換フェニレン環、ビフェニレン基、テルフェニレン基、ナフチレン基およびフルオレン基からなる群より選択され；そして各々のＸ’およびＸ’’は、独立して選択された、オルト芳香族置換基を保有する芳香族基である、エレクトロルミネセントデバイスが開示される。 （もっと読む）

電子活性光装置（Ｄ）は、基板（１）と、少なくとも１層のカソード層（２）と、少なくとも１層のアノード層（４）と、アノード層とカソード層（２、４）の間に少なくとも部分的に挟まれた少なくとも１層の有機化合物系活性材料（３）とを含む。層（２、３、４）は、装置（Ｄ）が発光エネルギーを電気的エネルギーに、またはその逆に変換できるように、基板（１）上に所定の形態で配置される。基板（１）はフロートガラスから作られる。

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本発明は、二極性配位子を有する新規の金属錯体に関する。このような化合物は、最も広い意味の電子産業に関連する、一連の異なるアプリケーションにおける機能性材料として利用される。 （もっと読む）

有機電場発光デバイスは、アノードと、アノードの上に配置された正孔輸送層と、正孔輸送層の上に配置され、正孔−電子の再結合に応答して青色光を発生する発光層であって、少なくとも１つのホスト材料と少なくとも１つのドーパント材料とを含む発光層と、発光層に接触して形成された非正孔阻止バッファ層であって、実質上発光層中のホスト材料の１つと同じイオン化電位と同じ電子親和力とを有する非正孔阻止バッファ層と、非正孔阻止バッファ層の上に配置された電子輸送層と、電子輸送層の上に配置されたカソードとを含む。
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本発明は、ドーピングにより高い電荷キャリア密度および有効な電荷キャリア移動度を有したドープド有機半導体材料を製造するための方法に関し、ここでドーピング剤が第一ステップで実質的に電気結晶化により製造され、ドーピング剤が低い酸化電位を有する有機化合物の群から選択され、有機半導体材料が第二ステップにおいてドーピング剤でドープされる。更に、本発明は、上記方法により製造される、高い電荷キャリア密度および有効な電荷キャリア移動度を有したドープド有機半導体材料に関する。更に、本発明は、上記方法に従い製造される、ドープド有機半導体材料を含んでなる有機ダイオードに関する。
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本発明は、少なくとも１つのカルベンリガンドを含有する遷移金属錯体の有機発光ダイオード（OLEDs）における使用、これらの遷移金属錯体を含有している発光層、電子または励起子のブロック層またはホールのブロック層、前記遷移金属錯体を含有しているOLEDs、本発明によるOLEDが含有されている装置ならびに少なくとも２個のカルベンリガンドを含有している特殊な遷移金属錯体に関する。
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本発明は、有機層により構築され、ラジカル基として−Ｈおよび／または−Ｆ、アルキル基、アリール基および／またはフッ化炭化水素を有する金属を含有するか含有しないフタロシアニン等の３個から１２個の環構造を有する疎水性の線状または２次元の多環式芳香族化合物からなる層を含む電子部品に関し、前記層は、バリア層または封入として用いられる。このことは、特に、ＳＭ層およびポリマー層からなるハイブリッド構造物を獲得することを可能とする。加えて、部品の現場以外での封入はもはや必要がない。
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光取出しを改善するためのLED用導体材料で、該導体材料が正孔導体材料、電子導体材料および／またはエミッタ材料からなる群から選択され、前記導体材料が少なくとも1つのフッ素化アルキル置換基、フッ素化アルケニル置換基および／またはフッ素化アルキニル置換基を有し、少なくとも2個のフッ素原子がフッ素化置換基の少なくとも1個の炭素原子に結合した導電性フッ素化有機物質を備え、該導電性フッ素化有機物質が1.30以上1.55以下の屈折率を有する。 （もっと読む）