【課題】 レーザー光の紫外吸収アブレーションにより被加工物を加工する場合に、高精度かつ高速で加工でき、分解物による被加工物表面の汚染を効果的に抑制することができ、さらに加工後の被加工物を容易に回収することができるレーザー加工品の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材上に少なくとも粘着剤層を有しており、前記粘着剤層は、芳香族炭化水素基含有化合物を含有しない粘着剤からなり、かつ吸光係数比（レーザー加工用粘着シートの紫外領域波長λにおける吸光係数／使用する被加工物１の紫外領域波長λにおける吸光係数）が１未満であるレーザー加工用粘着シート２を使用し、前記被加工物１のレーザー光出射面側に該レーザー加工用粘着シート２の粘着剤層を貼付する工程、レーザー光６を照射して被加工物９を加工する工程、及びレーザー加工用粘着シート２を加工後の被加工物１から剥離する工程を含むレーザー加工品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体素子ウェハーの製造方法において、極めて高い歩留まりで正確に切断することができ、さらに加工速度が速く、生産性を改善させることができる化合物半導体素子ウェハーの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に複数の化合物半導体素子が分離帯域を介して配列された化合物半導体素子ウェハーの製造方法であって、その分離帯域の基板表面（半導体側）に、化合物半導体層が存在する状態でレーザー法により割溝を形成することを特徴とする化合物半導体素子ウェハーの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体発光素子を高精度に歩留り良く分割するするとともに、光取り出し効率の良い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】 サファイア基板１１上にｐ型伝導型窒化物半導体層２１及びｎ型伝導型窒化物半導体層２０が積層されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１０は、レーザ光遮蔽カバーを被せて窒化物半導体発光素子１０の半導体層２１側へレーザ光を照射し、Ｖ字型断面の溝２３を形成する工程と、エッチングカバー２４を被せてドライエッチングで溝２３周辺の半導体層を除去する工程と、溝２３を起点として窒化物半導体発光素子１０を分割する工程とを備えた製造方法によって作製される。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工装置及びレーザ加工方法において、ビームプロファイルの変形に特別な光学素子を用いずに、高い切削能力を得ること。
【解決手段】 基本波レーザビームλ₁を出射するＹＡＧレーザ（レーザ源）５と、基本波レーザビームλ₁を内部でウォークオフ現象によりビーム断面形状が一方向に扁平した４倍波（高調波）レーザビームλ₄に変換して出力する非線形光学結晶の第２の波長変換素子７と、４倍波レーザビームλ₄を集光して被加工物２に照射する光学系３と、４倍波レーザビームλ₄を相対的に移動させて被加工物２への照射位置を移動させる移動機構４とを備えたレーザ加工装置であって、移動機構４が、４倍波レーザビームλ₄の移動方向と扁平の方向とを一致させている。 （もっと読む）

レーザ光束（１０２）は、所望の形状のスロット開口を有するスロット（９８）を形成するように、シリコーンゴムのような薄いエラストマー材料で作られる部品用搬送具マスク（９６）を切削する。好ましい実施態様では、前記シリコーンゴムに配合される酸化鉄のような吸光性を増強させる材料が、吸光波長領域内の光を実用上十分吸収する可撓性の支持ブランクを形成する。プログラムされたコントローラからの指示を受ける光束定位装置（１０６）は、前記吸光波長領域内の波長のＵＶレーザ光束を発生させ、再現可能で正確な寸法の複数のスロットを前記マスクに作成する。切り取られた前記スロットのそれぞれは、相対する側縁を有し、超小型部品（１０）を受け入れ、超小型部品を保持し解除する最適な力を加えるのに適した形状のスロット開口を、前記側縁の間に画定する。
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【課題】小冊子の切断に際して、紙粉が小冊子の切り口近傍に付着することがないようにし、また、その切断面を綺麗なものとし、且つ、切断部に段差を形成しないようにして、体裁、手触りが良く、紙粉の発生や切断部の段差に起因するATM等の機器のトラブルを解消すること。
【解決手段】レーザービームによって小冊子を所定の寸法に裁断する小冊子の縁部切断方法において、前記小冊子の背山に連なる縁部と小口側の縁部との繋ぎを、中心角を９０度以内とする角丸で切断するに、前記小口側から背山側又は背山側から小口側に向かう切断工程と、前記角丸の背山側の始端部から円弧を描いて角丸切断し、次いで小口側の縁部を切断する工程とによって行う。 （もっと読む）

本発明の方法およびレーザ装置は、加工物(20)上のターゲット位置(16)に光ビームの形態(28)で加熱エネルギを照射することにより、加工物から迅速な材料除去を行い、その寸法安定性を維持しながら温度を上昇させる。加工物のターゲット部が加熱される場合に、レーザビーム(12)は加熱されるターゲット位置上に入射するように向けられる。このレーザビームは、加工物からターゲット材料の除去を行うのに適切な加工レーザ出力を好適に有する。ターゲット位置上の加工レーザ出力および加熱エネルギの組み合わされた入射は、加工レーザ出力が、ターゲット材料が加熱されない時に実現可能な材料除去速度よりも高い材料除去速度で、ターゲット材料の一部を除去することを可能にする。
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特別形態の時間的パワープロファイルのレーザパルスは、従来の時間的波形又はほぼ正方形の波形の変わりに、ICリンクを切断する。特別形態のレーザパルスは、好適に、レーザパルスの開始でのオーバーシュート又はレーザパルスの持続時間内のスパイクパルスのいずれかを有する。スパイクピークのタイミングは、リンク部がほぼ完全に除去されるときの時間の前に、好適に設定される。特別形態のレーザパルス・パワープロファイルは、例えば、緑色、UV域などの、レーザパルスの広いパワー範囲と、短いレーザ波長の使用を可能とし、基板及びリンクの側部及び下部のいずれかに配置する不動態化構造部に、ほぼダメージを与えることなく、リンクを切断する。
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本発明は、所望の分割線に沿ったレーザによる熱の一時的かつ局所的な適用の結果と、これに続いて、冷却剤による熱の一時的かつ局所的な除去の結果として生じる応力に起因する分離亀裂の誘発によって平坦なセラミック加工物を分割するための方法に関し、ビームスポット長が以下の公式ｌ＝８×ｄ×２４／ＷＬＦから計算され、式中、ｌはビームスポットの長さであり、ＷＬＦは分割されるセラミックの熱伝導率であり、ｄは分割されるセラミックの厚さであり、その結果、レーザによって加工物上に形成されるビームスポットの長さが、セラミックの熱伝導率および加工物の厚さに応じて選択される。特に、高い内部応力を有する加工物に関して、レーザ出力または前送り速度などの工程変数は、誘発される熱応力の大きさに影響を及ぼすために、工程を通じて変更される。 （もっと読む）