平面ワークピース上に一対の平行切削を刻むためのＸ＆Ｙ二次元切削装置であって、ワークピース平面がＸ軸およびＹ軸を有する装置において、第１のビームおよび第２のビームを含む少なくとも２つのビームを発生させるレーザ装置であって、その第１のビームおよび第２のビームがワークピース上に衝突点をそれぞれ有し、その第１および第２の衝突点がワークピースのＸおよびＹ軸に対して対角線上に配置されるレーザ装置と、ワークピースに対する衝突点、および衝突点に対するワークピースのうちの少なくとも１つを移動させるための少なくとも１つのアクチュエータとを含む装置。
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【課題】 加工対象物内の任意の位置に改質層を形成し得るレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置２０では、所定波長のレーザ光Ｌを発生可能なレーザ光源と、レーザ光源から発生するレーザ光Ｌを導光可能に設けられるとともに先端ｔ１に向かって縮径する先細形状に形成された先端部Ｆｔ１からレーザ光Ｌ’をウェハＷに向けて出射可能な光ファイバＦＢ１と、光ファイバＦＢ１の先端ｔ１とウェハＷとの離隔距離Ｄ１を連続的に変更可能な光ファイバ先端部移動機構と、を備える。これにより、先細形状の先端ｔ１から出射されたレーザ光Ｌ’は、先端部Ｆｔ１により集光されて所定位置Ｄｐ１に集光点Ｐａを形成するので、光ファイバ先端部移動機構により先端ｔ１とウェハＷとの離隔距離Ｄ１を連続的に変更することで、ウェハＷの内部においても、集光点Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃの形成位置を任意の位置に連続的に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの厚さやウェハ内の不純物濃度によることなく、良好な改質層の形成を容易に行うことのできるレーザダイシング方法およびレーザダイシング装置を提供する。
【解決手段】支持基板に注入された不純物濃度の想定される範囲内における消衰係数を予め測定機器を通じて測定し、これを不純物濃度の２次関数として近似しておく。そして、貼り合せＳＯＩウェハ１０を構成する支持基板の内部に改質層を形成すべく、集光レンズ３０にて集光されたレーザ光を同貼り合せＳＯＩウェハ１０の割断予定線に沿ってレーザ光を照射する。ただしその際、貼り合せＳＯＩウェハ１０のレーザ光の入光面から同レーザ光の集光点までの深さと貼り合せＳＯＩウェハ１０の消衰係数に基づき求められた同ウェハ１０の吸収係数との乗数を指数とするネピア数の指数関数に比例するように、レーザ光源４０のレーザ光出力を同深さに応じて可変設定する。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物内の任意の位置に改質層を形成し得るレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置２０では、レーザ光源からウェハＷに向けて出射されるレーザ光Ｌの光軸Ｌｏ上に、レンズ移動機構により相対距離を連続的に可変可能な集光レンズＣＶ１および集光レンズＣＶ２が設けられる。これにより、これらの集光レンズＣＶ１、ＣＶ２により集光されたレーザ光Ｌ”は、その集光点の形成位置を任意に可変することができるので、ウェハＷの内部においても、集光点Ｐａ（比較的浅い位置）や集光点Ｐｃ（比較的深い位置）の形成位置を任意の位置に連続的に設定することができる。したがって、ウェハＷ内の任意の位置、例えば比較的浅い位置Ｐａ、ほぼ中間の位置Ｐｂ、比較的深い位置Ｐｃに、それぞれ改質層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの表面から深さ方向に複数層の改質領域を形成する際に、正常な改質領域を短時間で確実に形成可能で低コストなレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザヘッドＨＬａ〜ＨＬｃはレーザ光源ＳＬａ〜ＳＬｃおよび集光レンズＣＶａ〜ＣＶｃを備え、レーザ光Ｌａ〜Ｌｃを集光させた集光点Ｐａ〜Ｐｃの位置は、レーザ光源ＳＬａ〜ＳＬｃの波長と集光レンズＣＶａ〜ＣＶｃの開口数とによって規定される。レーザ加工装置は、各レーザ光Ｌａ〜Ｌｃの波長または集光レンズＣＶａ〜ＣＶｃの開口数の少なくともいずれか一方を調整することにより、ウェハ１０の内部における各レーザ光Ｌａ〜Ｌｃの集光点Ｐａ〜Ｐｃの深さ位置を適宜設定し、ウェハ１０の切断予定ラインＫに沿うと共に、ウェハ１０の表面１０ｂから深さ方向に離間または隣接または重複して配置された３層１組の改質領域群Ｇａ〜Ｇｃを構成する各改質領域Ｒを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】 製品（分割片）の歩留まりや品質を向上し得るダイシングシートおよびレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】 ウェハＷの裏面に接着されるエキスパンドテープ２０には、ウェハＷの割断予定線Ｄevに沿って長穴２１が形成されている。これにより、ウェハＷの割断によって発生するパーティクルを、当該エキスパンドテープ２０の長穴２１を介してエキスパンドテープ２０の他の面２０ｂ側に吸引することが可能となるので、ウェハＷを割断した半導体チップＳＣの歩留まりや品質を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 種々の積層構造を有する加工対象物を高精度に切断し得るレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 本レーザ加工方法は、間隙が設けられるように貼り合わされた複数の基板１５，１７を有する加工対象物１において、基板１５の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで基板１５の内部に改質領域７を形成すると共に、基板１７の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで基板１７の内部に改質領域７を形成し、これらの改質領域７によって、加工対象物１の切断予定ラインに沿って加工対象物１のレーザ光入射面３から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、加工対象物１に対して応力を印加することで切断起点領域を切断の起点として切断予定ラインに沿って加工対象物１を切断し、間隙が設けられるように貼り合わされた複数の基板を有する機能素子を複数得る工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 板状の加工対象物が切断されることで得られるチップにパーティクルが付着するのを確実に防止することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 エキスパンドテープ２３を介して加工対象物１に応力を印加する際に、加工対象物１の形成物質（溶融処理領域１３が形成された加工対象物１、加工対象物１が切断されることで得られた半導体チップ２５、その半導体チップ２５の切断面から生じたパーティクル等）に軟Ｘ線を照射する。これにより、半導体チップ２５の切断面から生じたパーティクルは、ランダムに飛散することなく、エキスパンドテープ２３上に落下することになる。従って、加工対象物１が切断されることで得られる半導体チップ２５にパーティクルが付着するのを確実に防止することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の基板面に反射防止膜の形成が不要で、半導体基板内部へのレーザ光の入射を抑制することなく、レーザ光の反射を抑制し、レーザ光の照射効率を向上させることができる半導体基板の分断装置を実現する。
【解決手段】 半導体基板２１をステージ１２に載置し、水１０が貯留されている浸漬槽１１の上方から浸漬する。次に、レーザヘッド３１を分断予定ラインＤＬに沿って走査し、レーザ光Ｌを基板面２１ａから照射することにより、レーザ光Ｌの集光点Ｐが走査された深さｄの経路に、改質領域Ｋが適正に形成される。半導体基板２１を水１０に浸漬することにより、基板面２１ａにおけるレーザ光Ｌの屈折率の差を小さくできるので、基板面２１ａにおけるレーザ光Ｌの反射を抑制することができ、レーザ光Ｌの照射効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの表面から深さ方向に間隔をあけた複数層の改質領域を形成する際に、正常な改質領域を短時間で確実に形成可能で、小型かつ低コストなレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】２種類の波長λａ，λｂのレーザ光Ｌａ，Ｌｂを同時に発生させて出射する１個のレーザ光源ＳＬａを用い、ウェハ１０の内部における各レーザ光Ｌａ，Ｌｂの集光点Ｐａ，Ｐｂの深さ位置を段階的に変えることにより、ウェハ１０の切断予定ラインＫに沿うと共に、ウェハ１０の表面１０ｂから深さ方向に離間または隣接または重複して配置された３組６層の改質領域群Ｇa1〜Ｇb3を、２層１組ずつ順次形成する。すなわち、２種類の波長λａ，λｂのレーザ光Ｌａ，Ｌｂを同時にウェハ１０に照射することにより、各レーザ光Ｌａ，Ｌｂにそれぞれ対応した深さの異なる２層の改質領域群（Ｇa1とＧb1、Ｇa2とＧb2、Ｇa3とＧb3）を構成する各改質領域Ｒを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を分断して得られる半導体チップの歩留まりを向上させることができる半導体チップの製造装置及び半導体チップの製造方法を実現する。
【解決手段】 半導体チップの製造装置１には、半導体チップ２２ｃを吸着して保持する吸着部材４３と、吸着部材４３を移動させる移動機構４４とが設けられている。半導体チップ２２ｃを吸着部材４３により吸着し、移動機構４４により上昇させると、半導体チップ２２ｃの分割予定ラインＤＬに対応してレーザ光の照射により導入されている改質領域に集中的に剪断応力が発生する。これにより、半導体基板２１が分割予定ラインＤＬに沿って厚さ方向に分割されて、半導体チップ２２ｃが得られる。半導体チップ２２ｃは、吸着部材４３により吸着された状態で、移動機構４４によりパッケージに搭載するための実装工程に移送される。 （もっと読む）

【課題】 被加工膜上に保護膜を形成して光加工を行う技術において、保護膜の除去を容易にする。
【解決手段】 被加工膜１０７上に有機樹脂で構成された有機膜１４９を形成する工程と、有機膜１４９の内部応力を小さくする工程と、有機膜１４９に加工光を照射し、加工領域の有機膜１４９を選択除去する工程と、有機膜１４９をマスクとして、被加工膜１０７をエッチングする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面内に一つもしくはそれ以上の離間された切断溝を形成するため、複数の同質のレーザビームを照射可能な装置を提供する。
【解決手段】一つもしくはそれ以上の離間された切断溝を基板の表面に形成するための装置であって、レーザ３から発生したレーザビーム４は、回折格子素子６に照射され二つの第一切断ビーム７に分岐され、さらに第一切断ビーム７は回折格子素子１０に照射され、それぞれ第二ビーム１２に分岐される。第二ビーム１２は光学素子１４に照射されて平行となって基板１５の表面に垂直に照射される。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ等の被加工物が貼着された粘着テープが溶融してチャックテーブルに付着しないようにしたレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】ウエーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段とを具備するレーザー加工装置であって、チャックテーブルに装着され保持面を覆う保護シートを備えた保護シート敷設手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブを用いながら高歩留まりで安定した製造が可能であると共に、耐熱性の改善された半導体素子を製造可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本件発明の半導体素子の製造方法は、基板２の表面側に半導体積層体９を形成する工程と、基板２の裏面６０側からレーザビームを照射してレーザスクライブすることにより、分割しようとする個々の半導体素子の外周に沿って分割溝５０を形成する工程と、基板２を分割溝５０に沿ってブレーキングして個々の半導体素子１に分割する工程と、を含み、レーザビームを照射した際に分割溝５０の内面に付着し、分割された個々の半導体素子１において基板２の裏面６０側の周縁部に残った付着物５２があり、付着物５２のうち半導体素子１の基板裏面から突出した突起部５２を除去し、半導体素子１の基板裏面を略全面に渡って平坦化する工程をさらに含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層体を構成する基板の材料が異なっていても、積層体を簡単に切断・分割する
ことが可能な積層体の加工方法を提供する。
【解決手段】積層体Ｐの加工方法は、複数の基板で構成された積層体Ｐの加工方法であっ
て、積層体Ｐには第１基板としての基板Ｐ１と、この基板Ｐ１と積層された第２基板とし
ての基板Ｐ２とを備えている。基板Ｐ１にレーザ光５を照射させて、材料変質部７を形成
する工程と、積層体Ｐに応力Ｆを加えて分割片Ｑを形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】積層体を構成する基板の材料が異なっていても、積層体を簡単に切断・分割する
ことが可能な積層体の加工方法を提供する。
【解決手段】積層体Ｐの加工方法は、複数の基板で構成された積層体Ｐの加工方法であっ
て、積層体Ｐには第１基板としての基板Ｐ１と、第１基板が積層された第２基板としての
基板Ｐ２と、を備えている。基板Ｐ１に第１のレーザ光５ａを照射させて、第１材料変質
部７ａを形成する工程と、基板Ｐ２に第２のレーザ光５ｂを照射させて、第２材料変質部
としてのクラック７ｂを形成する工程と、を備え、材料変質部７を形成する。 （もっと読む）

【課題】被加工物に設定された複数の加工領域にレーザー加工溝を正確に形成することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】チャックテーブルと、パルスレーザー光線発振器および繰り返し周波数設定手段と集光器とを備えたレーザー光線照射手段と、チャックテーブルを加工送りする加工送り手段とを具備するレーザー加工装置であって、被加工物に設定された加工領域における各始点位置と終点位置のX,Y座標値を記憶する記憶手段を備え、レーザー光線照射手段および加工送り手段を制御する制御手段を具備しており、制御手段は集光スポットの加工送り方向長さを(d)mm、繰り返し周波数を(H)Hz、加工送り速度を(V)mm/秒、始点位置と終点位置間の長さを(L)mm、始点位置と終点位置間 (L)mmに照射するパルスレーザー光線のスポット数を(n)個とした場合、d＋(V/H)n＝Lを満足するように(V/H)を設定し、繰り返し周波数設定手段および加工送り手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】被加工物に形成された所定のストリートに沿って複数の加工領域にレーザー加工溝を正確に形成することができるレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物に形成された所定のストリートに沿って設定された複数の加工領域にレーザー加工溝を形成するレーザー加工方法であって、被加工物のストリートに沿って設定された複数の加工領域における各始点位置と終点位置にそれぞれパルスレーザー光線を照射してレーザー加工穴を形成する加工穴形成工程と、加工穴形成工程において始点位置と終点位置に形成されたレーザー加工穴間にパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成する加工溝形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 脆性材料を割断するための初亀裂を形成する際に、材料の割断予定ラインおよび材料の厚み方向に沿う方向にのみ初亀裂を発生させるための簡易な方法を提供する。
【解決手段】 脆性材料１を割断する際の初亀裂１０を材料１に形成するための初亀裂形成方法であって、材料１の割断予定ラインＫと交差する材料側縁部１ａの個所に紫外線領域のパルスレーザＬ_Ｂを半円状に照射して、当該個所の材料を溶融または昇華させることにより、材料側縁部１ａの当該個所に初亀裂１０を形成する。 （もっと読む）