【課題】 ウエーハの加工面に保護被膜を均一に被覆してレーザー加工を施すことができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】 表面に複数のデバイスがマトリックス状に形成されたウエーハのデバイスを区画する格子状のストリートに沿ってレーザー加工を施すウエーハのレーザー加工方法であって、ウエーハの加工面に液状の樹脂をスプレーで吹き付けて保護被膜を被覆する保護被膜被覆工程と、保護被膜が形成されたウエーハの加工面に保護被膜を通してストリートに沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 製品の歩留まりや品質を向上し得る複数の半導体装置を備えた半導体ウェハおよびそのダイシング方法を提供する。
【解決手段】 ウェハ２０ａは、改質領域を形成するために照射されるレーザ光Ｌが照射される前に、レーザ光Ｌの照射を予定する割断線ＤＬに対して、シリコン基板２１、酸化膜、ＳＯＩ層のうち、改質領域を形成すべきシリコン基板２１以外の層であって、シリコン基板２１に対しレーザ光Ｌの入射側に位置するＳＯＩ層が除去される（層除去工程）。これにより、前述したように、割断線ＤＬに入射したレーザ光Ｌは、ＳＯＩ層による反射や散乱を生じることなく、シリコン基板２１に入射して、改質領域による適正な割断が可能となるので、チップＤevのの歩留まりや品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ基板に対してレーザダイシングを行う場合に、ＳＯＩ層の膜厚にバラツキがあったとしてもレーザ光が的確に所望の箇所に届くようにする。
【解決手段】 ＢＯＸ３の膜厚ｄ_ＢＯＸを、レーザダイシングにおけるレーザ光がＳＯＩ層１側から、当該ＳＯＩ層１に対して実質的に平行光線として入射されるとした場合に、レーザ光の波長がλ、ｎ_ＢＯＸがＢＯＸ３の屈折率、ｍが自然数であるとして、ｄ_ＢＯＸ＝ｍ・λ／２ｎ_ＢＯＸを中心に±λ／８ｎ_ＢＯＸの範囲を満たす厚さに設定する。例えば１０００〜１２００ｎｍの厚さとする。 （もっと読む）

【課題】 加工形状を自由に制御することができるレーザエッチング装置を提供する。
【解決手段】 走査方向端部の側壁面に例えば５μｍの幅で傾斜をつけたい場合、開口４１の後端を走査開始位置Ｐ１に合わせて開口４１を初期寸法５μｍだけ開けた状態から開き始めると同時にレーザ光の照射を始め、目標寸法１０μｍ□に達するまで開く。その際、制御部は、開口４１を５μｍ／ｓｅｃの速度で開かせると共に、レーザ光を７．５μｍ／ｓｅｃの速度で走査させる。次いで、開口４１を目標寸法１０μｍ□に維持して、レーザ光を１０μｍ／ｓｅｃの速度で走査させ、開口４１の先端が走査終端位置Ｐ２よりも５ｍｍ手前に達したら開口４１を閉じ始め、開口４１が初期寸法５ｍｍまで閉まると同時にレーザ光ＬＢの照射を停止する。その際、制御部７０は、開口４１を５μｍ／ｓｅｃの速度で閉じると共に、レーザ光を７．５μｍ／ｓｅｃの速度で走査させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射によりダイシングテープが貼着されたウェーハを加工する場合において、ウェーハを保持する保持部が加熱されてダイシングテープが溶融するのを防止する。
【解決手段】ダイシングテープを介してウェーハを保持する保持面２ｃを有する保持部２ｂと保持部２ｂを支持する本体部２ａとから構成されるチャックテーブル２に保持されたウェーハにレーザ光を照射してウェーハに加工を施すレーザ加工装置において、保持部２ｂを石英ガラスで形成し、保持面２ｃを凸部２ｄと凹部２ｅとが交互に形成された形状に形成し、凹部２ｅが減圧されてウェーハが保持されるようにする。保持面に凸部２ｄと凹部２ｅとが交互に形成されていることにより、照射されたレーザ光が保持部２ｂにおいて散乱するため、保持部２ｂが発熱せず、ウェーハに貼着されたダイシングテープが溶融することがない。 （もっと読む）

【課題】改質領域が形成された板状の加工対象物がその分断工程以外の工程で小片化されることによってチッピングが生じるのを低減することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】加工対象物１における切断予定ラインに沿った部分５０において、有効部４１を含む中間部分５１ではレーザ光をパルス発振させ、中間部分５１の両側の一端部分５２及び他端部分５３ではレーザ光を連続発振させる。連続発振させた場合のレーザ光の強度は、パルス発振させた場合のレーザ光の強度に比べ低くなるため、中間部分５１には改質領域７１，７２，７３を形成し、一端部分５２及び他端部分５３には改質領域７１，７２，７３を形成しないようにすることができる。これにより、改質領域７１，７２，７３は基板４の外面に達しないため、改質領域７１，７２，７３の形成に際してパーティクルの発生を防止することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの加工面に被覆された保護被膜を通してレーザー光線を照射しても、保護被膜を剥離させることなくレーザー加工溝を形成することができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】基板の加工面に保護被膜が被覆されたウエーハに、所定の加工ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、保護被膜を加工することができるが基板を加工することができない出力に設定された第１のパルスレーザー光線を、保護被膜に加工ラインに沿って照射し、保護被膜に該加工ラインに沿って第１のレーザー加工溝を形成する第１の工程と、基板を加工することができる出力に設定された第２のパルスレーザー光線を、第１のレーザー加工溝に沿って照射し、基板に第１のレーザー加工溝に沿って第２のレーザー加工溝を形成する第２の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 加工対象基板の熱膨張に伴いレーザビームを入射すべき被入射位置がずれても、所望の被入射位置と実際に入射する位置とのずれを小さくすることができ、新規な構成を有するレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）レーザ入射により加工すべき複数の被入射位置が画定されており、少なくとも一部の被入射位置について、該被入射位置ごとに当該被入射位置との相対位置関係が決められたアライメントマークが形成されている加工対象基板を準備する。（ｂ）１つのアライメントマークを検出し、その検出された位置に基づき、当該アライメントマークに対応する被入射位置とレーザ光軸との位置合わせ情報を得る。（ｃ）この位置合わせ情報に基づき、検出されたアライメントマークに対応する被入射位置にレーザ入射を行う。（ｄ）レーザ未入射の被入射位置に対し工程（ｂ）及び（ｃ）を少なくとも１回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 加工送り手段によって移動せしめられるチャックテーブルのヨーイングを考慮して被加工物の所定位置にレーザー加工を施すことができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、チャックテーブルを加工送り方向に移動せしめる加工送り手段と、レーザー光線照射手段を加工送り方向（X）と直交する割り出し送り方向(Y)に相対移動せしめる割り出し送り手段とを具備するレーザー加工装置において、加工送り量を検出する加工送り量検出手段と、割り出し送り量を検出する割り出し送り量検出手段と、レーザー光線照射手段が照射するレーザー光線の光路を割り出し送り方向(Y)に調整する光路調整手段と、加工送り手段によって移動せしめられるチャックテーブルの加工送り方向（X）座標値に対する割り出し送り方向(Y)のヨーイングデータを格納する記憶手段を備え、加工送り量検出手段からの検出信号と記憶手段に格納されたヨーイングデータに基づいて光路調整手段を制御する制御手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの表面に損傷を与えることなくウエーハの裏面に分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザー光線を集光して照射する集光器は,レーザー光線を断面が半円状の第１のレーザー光線と第２のレーザー光線に２分割するとともに第１のレーザー光線と第２のレーザー光線の左右を入れ替える第１のプリズムと、第１のプリズムによって２分割された第１のレーザー光線と第２のレーザー光線の光路を平行に修正する第２のプリズムと、第２のプリズムによって光路が平行に修正された第１のレーザー光線と第２のレーザー光線のスポットをそれぞれ直線部を外側に円弧部を内側にして結像する結像レンズとを具備しており、結像レンズは第１のレーザー光線と第２のレーザー光線のスポットを円弧部の一部を互いに重合して矩形状に形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエーハ等の被加工物の所定位置に正確に効率よく細孔を形成することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】 加工送り量を検出する加工送り量検出手段３７４と、割り出し送り量を検出する割り出し送り量検出手段４３３と、被加工物に形成する細孔のX,Y座標値を記憶する記憶手段を備え該記憶手段に記憶された細孔のX,Y座標値と加工送り量検出手段３７４および割り出し送り量検出手段４３３からの検出信号に基づいてレーザー光線照射手段５を制御する制御手段１０とを具備し、制御手段１０は次にレーザー光線を照射すべき位置をRとし、現在のチャックテーブル３６とレーザー光線照射手段との相対速度をVとし、レーザー光線の励起時間をSとすると、レーザー光線照射手段に照射信号を出力する位置rをr＝R−(S×V)で求める。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、かつ精密に加工対象物を切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ウェハ状の加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより、加工対象物１の切断予定ライン５に沿って延在し、且つ一端及び他端が加工対象物１の外縁に到達しない改質領域を加工対象物１の内部に形成し、改質領域を切断の起点として加工対象物１を切断予定ラインに沿って切断する。 （もっと読む）

【課題】 分断箇所にマイクロクラックや切削粉等を残すことなく、レーザ光を用いて安定した基板の分断性能を発揮することができる基板の加工装置を提供すること。
【解決手段】 レーザ光を発生させるレーザ光発生手段１１と、前記レーザ光発生手段１１からのレーザ光１２を集光させて焦点Ｓを形成させる光学手段１５とが備えられ、前記レーザ光の焦点位置を、被加工基板１７の板厚方向（Ｚ−Ｚ′方向）に往復移動させると同時に、前記基板の分断予定ライン（Ｘ方向）に沿って移動させるように動作する。これにより、レーザ光の熱エネルギーにより分断予定ラインに沿って溝（スクライブライン）１７ａが形成される。前記焦点ＳのＺ−Ｚ′方向への往復移動により、前記溝１７ａを基板表面からより深い位置まで形成させることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエーハ等の被加工物に効率よく細孔を形成することができるレーザー加工装置レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、チャックテーブルを加工送り方向に移動せしめる加工送り手段と、レーザー光線照射手段を加工送り方向（X）と直交する割り出し送り方向(Y)に相対移動せしめる割り出し送り手段とを具備するレーザー加工装置において、加工送り量を検出する加工送り量検出手段と、割り出し送り量を検出する割り出し送り量検出手段と、被加工物に形成する細孔のX,Y座標値を記憶する記憶手段を備え、記憶手段に記憶された細孔のX,Y座標値と加工送り量検出手段および割り出し送り量検出手段からの検出信号に基づいてレーザー光線照射手段を制御する制御手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの裏面に所定の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの表面に損傷を与えることなくウエーハの裏面に分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成することができるウエーハのレーザー加工方法および加工装置を提供する。
【解決手段】 基板の表面に格子状に形成された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、非コヒーレント光源のレーザー光線をウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの裏面に分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等を高温で均一に加熱することができるレーザ加熱装置を提供する。
【解決手段】レーザダイオードバーを複数積層せしめて形成したレーザ発振器３と、上記レーザ発振器と被加熱物４との間に介挿した光学レンズ系５とより成り、この光学レンズ系は、レーザ発振器３の速軸方向では上記各レーザダイオードバーのレーザ出口に設けたコリメートレンズ６と、上記被加熱物側に向かうに従って順番に配置せしめた凸レンズ７、フライアイレンズ８とより成り、上記コリメートレンズにより出た平行光を、上記凸レンズ、フライアイレンズを通過せしめた後に集光せしめてからデフォーカスして被加熱物４に照射せしめ、レーザ発振器３の遅軸方向では上記レーザ出口から出たレーザ光を出射角度のまま第１の絞りにより整形し被加熱物に照射せしめ、上記レーザ発振器の速軸方向での上記光学レンズ系５の集光点近傍にレーザ光を通過する第２の絞り９を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体素子チップのチップ分割面を傾斜面とする。
【解決手段】サファイア基板１０上にIII族窒化物系化合物半導体層から成る素子層３０を形成し、素子層が形成されている側の第２の面１２に第２の分離溝２２が形成される。基板１０の垂直面に対して傾斜した方向に分離予定面４６を設定し、基板１０の上から、レーザの照射による加工変質部が断続的に形成された破断線５１〜５ｎが多段的に形成される。第１の面１１上の分割線上に第１の分離溝２１がスクライビングで形成される。各段の加工変質部分の破断線間の間隔を６０μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】先ダイシングによって分割された個々の半導体チップにダメージを与えることなく、その裏面にダイボンディング用の接着フィルムを容易に装着することができる半導体チップの製造方法。
【解決手段】半導体ウエーハ２を個々の半導体チップに分割し、半導体チップの裏面に接着フィルムを６装着する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハ２の表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝２３を形成する分割溝形成工程と、裏面を研削して裏面に分割溝２３を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、半導体ウエーハ２の裏面に接着フィルム６を貼着する接着フィルム貼着工程と、接着フィルム６に裏面側から分割溝２３に沿ってレーザー光線を照射７２２し接着フィルム６に分割溝２３に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程と、接着フィルムに張力を付与し接着フィルムを変質領域に沿って破断する接着フィルム破断工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】インゴットから切り屑なしに薄い基板を得ること。
【解決手段】柱状インゴット１の側面に側方からレーザ光１０を照射することにより胴巻き状に切り欠き９を形成し、この切り欠き９に沿ってインゴット１の長手方向からレーザ光４の集光点を合わせることによりインゴット１の切り欠き９から内部に向かって多光子吸収による加工面領域を形成し、この加工面領域を剥離面としてインゴット１の一部を剥離し基板を得ることよりなる基板の製造方法。 （もっと読む）

シリコン被加工物５は、シリコン被加工物向けのハロゲン環境を提供してレーザ加工用の活性支援ガスを形成することで０．５５ミクロン未満の波長をもったレーザビーム４を用いてレーザ２により加工する。レーザビームはシリコンの切除閾値を超える出力密度でシリコン被加工物上に集束させ、かくして支援ガスをレーザの焦点又はその近傍でシリコン被加工物と反応させ、レーザ加工速度を増大させ、加工品質における改善に起因して加工された被加工物の強度を増大させる。本発明は、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）の存在下にてシリコンウェーハを賽の目に切断し、得られるダイの強度を増大させる具体的用途を有する。
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