【課題】微細構造の製造のスループットを向上させる。
【解決手段】積層した第１の材料と第２の材料において、第１の材料は第２の材料よりレーザビームによるアブレーション（溶発）がし易いもので構成されている。すなわちアブレーション閾値が第１の材料の方が高いものとする。例えば第１の材料はシリコン、第２の材料はポリイミドから成るポリマーオンシリである。この積層体に非貫通孔をあける微細加工を行う除去プロセスは、まず第１の材料にレーザビームを照射して、孔底に第１の材料を少し残存させた状態で２つの材料の界面近くまで材料を除去するステップと、第２の材料側から第２の材料に影響ないレーザ光強度、すなわち第２の材料のアブレーション閾値より低いアブレーションフルエンスのレーザビームを照射して前記第１の材料の残りを除去するステップとからなる。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、かつ精密に加工対象物を切断することができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置１００は、加工対象物１が載置される載置台１０７と、パルスレーザ光であるレーザ光Ｌを出射するレーザ光源１０１と、加工対象物１の内部にレーザ光Ｌを集光し、１パルスのレーザ光Ｌの照射により、その集光点Ｐの位置で改質スポットを形成させる集光用レンズ１０５と、隣り合う改質スポット間の距離が略一定となるように切断予定ライン５に沿って形成された複数の改質スポットによって改質領域を形成するために、レーザ光Ｌの繰り返し周波数及び集光点Ｐの移動速度を略一定にして、切断予定ライン５に沿って集光点Ｐを直線的に移動させる機能を有するステージ制御部１１５及び全体制御部１２７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高品質の加工及び多重波長でのレーザエネルギーがレーザエネルギープロファイルに重なることができるより小さい可能なスポットサイズを達成するために半導体デバイス微細加工に対して目標とされる実質的にジッタのない多重波長レーザエネルギープロファイルを提供する。
【解決手段】異なる時間で異なるレーザ波長によって特徴付けられる特別に成形されたレーザパルスエネルギープロファイル（９８，１０４，１５６）は、高品質加工及びより小さい可能なスポットサイズを達成する半導体デバイスの微細加工を可能にするために軽減制御ジッタを提供する。 （もっと読む）

【課題】 単一の波長のレーザ光により、異種材料からなる積層体を切断する。
【解決手段】 レーザを透過するガラス１２及び１４は、レーザを吸収するシリコン基板１４と積層体を形成する。ガラス１２及び１４のシリコン基板１４に接する面には、デバイスチップを切断する切断線に合致した溝１３及び１７が形成されている。レーザビーム２３を、Ｎ_２ガス２７を吹き付けながら、積層体１０に照射する。ビーム２３は、シリコン基板で吸収され、溶融したシリコンが溝１３内で飛散し、溝内に付着したシリコンがレーザで加熱されることにより、ガラス１２が切断される。溶融したシリコンはまた、シリコン基板１４に生じた貫通孔を通ってガラス１４の溝１７に充填される。溝１７に充填されたシリコンがレーザで加熱されることにより、ガラス１４が切断される。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工によって内部加工領域を形成した後の被割断部材を表面の割断予定線から外れないように割断する。
【解決手段】 シリコン基板１０の内部にレーザ光を集光させて複数の内部亀裂１２ａ〜１２ｆを発生させ、このレーザ光をシリコン基板１０の割断予定線Ｃに沿って走査することで亀裂を形成する際に、内部亀裂を表面の割断予定線Ｃに導くための表面加工痕１１ａを、内部亀裂１２ｆの形成するためのレーザ光の集光によって同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の観察と基板内部の任意の位置へのレーザ光集光という機能を同時に果たすレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 基板表面１１から基板内部の所定の深度の集光点Ａにレーザ光Ｌを集光させて内部加工領域を形成する際に、レーザ光Ｌを基板内部に集光するためのアフォーカル光学系を備えた光学系と、基板表面１１を観察するための自動焦点機構５２ｃを備えた光学系と、２つの光学系に共有される対物レンズ５２ａと、により、基板内部のレーザ光集光位置の調整と自動焦点機構による基板表面１１の被照射面の観察用焦点の調整とはそれぞれ独立して調整可能である。 （もっと読む）

【課題】 インゴットから少ない切り代で薄い基板を形成できる基板製造装置および基板製造方法を提供すること。
【解決手段】 レーザー光の集光点が、インゴット１の加工面の中心近傍に位置するように、レーザー装置３および集光レンズ５の位置を、移動装置によって位置決めする。そして、インゴット１を載置しているターンテーブル２をα方向に回転させながらレーザー装置３および集光レンズ５を、インゴット１の径方向外方に所定の速度で移動させて、レーザー光の集光点を、加工面上を渦巻き状に移動させる。その後、真空チャック８によって、インゴット１からウエハ７を切除する。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 表面３に複数の回路部２が形成された基板１の内部に集光点Ｐを合わせて基板１の裏面２１側からレーザ光Ｌを照射することにより、基板１の厚さ方向から見て、隣り合う回路部２の間を通るように基板１に対して設定された複数の切断予定ライン５のそれぞれに沿って、切断の起点となる溶融処理領域１３を基板１の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光による加工が行われている被照射面の光軸の中心を自動焦点の測距の基準位置とすると、正確な被照射面と対物レンズとの間の測距を行うことができない。
【解決手段】 被照射面に加工用レーザ光Ｌ１を照射する際に、加工用レーザ光Ｌ１の光軸の中心を除いた周囲に複数のレーザ光Ｌ２の光束が位置するように各光学系を配置し、
被照射面から反射したレーザ光Ｌ２の複数の光束それぞれに基づいた被照射面に対する集光状態に関する情報から、被照射面に対する対物レンズ５２ａの自動焦点調整を行う。 （もっと読む）

【課題】 複数の機能素子を含む積層部が形成された基板を切断するに際し、特に積層部の高精度な切断を可能にするレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 積層部１６の表面１６ａに保護テープ２２を貼り付けた状態で、基板４の裏面４ｂをレーザ光入射面としてレーザ光Ｌを照射することにより、切断予定ラインに沿って改質領域７を基板４の内部に形成し、改質領域７の表面側端部７ａから基板４の表面４ａに達する亀裂２４を生じさせる。そして、このような亀裂２４が生じている状態で、エキスパンドテープを基板４の裏面４ｂに貼り付けて拡張させると、基板４だけでなく、切断予定ライン上の積層部１６、すなわち層間絶縁膜１７ａ，１７ｂを切断予定ラインに沿って精度良く切断することができる。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ状の加工対象物の厚さに拘わらず、加工対象物の精度良い切断を可能にするレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 本レーザ加工方法では、加工対象物１の内部において表面３からの深さが切断予定ライン５に沿って変化した改質領域７を形成する。そのため、改質領域７によって形成された切断起点領域８は、加工対象物１の厚さに対して広範囲に渡ったものとなる。加工対象物１の内部に切断起点領域８が形成されると、自然に或いは比較的小さな力で切断起点領域８を起点として割れが発生するが、切断起点領域８は加工対象物１の厚さに対して広範囲に渡っているため、例え加工対象物１の厚さが大きくても、切断起点領域８を起点として発生した割れは切断予定ライン５に沿って精度良く加工対象物１の表面３と裏面２１とに到達することになる。 （もっと読む）

【課題】 基板と、機能素子を含んで基板の表面に形成された積層部とを備える加工対象物を切断するに際し、特に積層部を高精度に切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 積層部１６の表面１６ａに保護テープ２２を貼り付けた状態で、基板４の裏面４ｂをレーザ光入射面としてレーザ光Ｌを照射することにより、切断予定ラインに沿って改質領域７を基板４の内部に形成し、改質領域７の表面側端部７ａから基板４の表面４ａに達する亀裂２４を生じさせる。そして、このような亀裂２４が生じている状態で、エキスパンドテープを基板４の裏面４ｂに貼り付けて拡張させると、基板４だけでなく、切断予定ライン上の積層部１６、すなわち層間絶縁膜１７ａ，１７ｂを切断予定ラインに沿って精度良く切断することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板及びダイボンド樹脂層を精度良く切断することができるとともに、半導体基板における表面又は裏面の所望の側の面において、より精度の良い切断とすることができる半導体基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１の内部に、集光点におけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｍ以下の条件で、切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射することにより、半導体基板１１の内部に形成される溶融処理領域１３により切断予定部を形成する工程と、ダイボンド樹脂層２３を介して半導体基板１１に貼られたシート２０を拡張させることにより、半導体基板１１の切断予定部に沿って、ダイボンド樹脂層２３を切断する工程とを含む半導体基板の切断方法において、切断予定部は、半導体基板１１の表面近傍に形成する。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンド樹脂層を介在させてシートが貼り付けられた半導体基板をダイボンド樹脂層と共に、精度良くかつ効率良く切断することのでき、その後、裏面にダイボンド層が密着した状態で半導体チップをピックアップすることができる半導体基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の内部に、集光点におけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｍ以下の条件で、切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射することにより、半導体基板の内部に形成される溶融処理領域により切断予定部を形成する工程と、ダイボンド樹脂層２３を介して半導体基板に貼られたシート２０を拡張させることにより、切断予定部に沿って、半導体基板及びダイボンド樹脂層２３を切断する工程と、得られた半導体チップ２５を裏面にダイボンド樹脂層２３が密着した状態で、ピックアップする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 保護テープに貼着されたウエーハにレーザー光線を照射する際に、レーザー光線がウエーハの領域を外れて保護テープに照射されても、保護テープの溶融を防止することができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】 ウエーハを環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着するウエーハ貼着工程と、保護テープに貼着されたウエーハをチャックテーブルに保持するウエーハ保持工程と、チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線照射手段から所定の波長を有するレーザー光線を照射するとともに、加工送り手段によって加工送りするレーザー光線照射工程とを含み、保護テープはレーザー光線照射手段から照射される所定波長のレーザー光線が透過する素材によって形成されたテープを用いる。 （もっと読む）

アナモフィックビーム照射システムを用いて可変非点焦点ビームスポットを形成する。この可変非点焦点ビームスポットは、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）ウェハーのような半導体ウェハーを描画するようなカッティング用途に用いることができる。例示のアナモフィックビーム照射システムは意図的に非点収差を導入して２個の主経線例えば、垂直と水平に分離された焦点を生成する光学コンポーネント群を備える。非点焦点は、尖らされたリーディング・トレーリングエッジから成る非対称だがシャープに合焦されたビームスポットとなる。非点焦点の調整によって、圧縮された焦点ビームスポットのアスペクト比を変え、レーザー出力パワーに影響を与えることなく、ターゲットでのエネルギー密度の調整を可能としている。適当に最適化されたエネルギー及びパワー密度でのウェハーの描画によって、描画速度を増大する一方、過剰な熱及び傍らの材料のダメージを最小にする。
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【課題】 ダイボンド樹脂層を介在させてシートが貼り付けられた半導体基板をダイボンド樹脂層と共に効率良く切断することのできる半導体基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１の内部に、集光点におけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｍ以下の条件で、切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射することにより、半導体基板１１の内部に形成される溶融処理領域１３により切断予定部を形成する工程と、ダイボンド樹脂層２３を介して半導体基板１１に貼られたシート２０を拡張させることにより、切断予定部に沿って、半導体基板１１及びダイボンド樹脂層２３を切断する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工装置において、レーザ光照射対象の部材の被照射部から発生する気化物や、被照射部の近傍から飛散する溶融物などの、部材への再付着によるダストの付着発生の抑制を図る。
【解決手段】 パルスレーザ光源２と、パルスレーザ光Ｌが導入される透明窓３８を有する局所加工ヘッド３と、パルスレーザ光Ｌの被照射部を有する部材５の支持台４とを有し、局所加工ヘッド３に、支持台４との間に形成される空間内における圧力及び気流を調整する排気手段３２ａ及び３２ｂと、透明窓及び被照射部に近接する局所排気部３７における圧力及び気流を調整する局所排気手段３４とが連結されたレーザ加工装置１において、局所排気部３７を規定する、被照射部に対向する局所加工ヘッド３の開口３９を、短径２ｍｍ以下の略真円形状に選定する。 （もっと読む）

本発明は、２つの溶接部分のすみ肉（１１）による溶接方法において、第１の溶接部分（１）が、すみ肉（１１）により溶接されるべきコーナーの少なくとも縁領域内の当接面により、第２の溶接部分（３）の当接面と接触させられ、およびそれに続いて、溶接過程の間に、溶接エネルギーが、第１の溶接部分（１）の縁から所定の距離を有するエネルギー供給領域内における、第１の溶接部分（１）の、当接面とは反対側の面のみに供給される、２つの溶接部分のすみ肉（１１）による溶接方法に関するものである。溶接エネルギーの供給は一方向に行われ、第１の溶接部分（１）の内側領域を向く方向の、形成されるべきすみ肉（１１）の延長線に対して直角方向を向くその方向成分が、第１および第２の溶接部分（３）の当接面の接触面と、９０°より小さい溶接角を形成する。溶接エネルギーは、少なくとも第１の溶接部分（１）のエネルギー供給領域および第１の溶接部分のエネルギー供給領域に隣接する、第２の溶接部分（３）の十分な領域と、および、さらに、エネルギー供給領域と第１の溶接部分（１）の縁との間に存在する材料供給領域とが、溶解され且つ相互に溶着されるまでの間供給される。さらに、本発明は、本方法を実行するための溶接部分と、並びに少なくとも１つのパワー半導体構造要素の冷却体と溶接されている導体路を有する電気構造ユニットとに関するものである。 （もっと読む）

レーザハードマーキング方法およびシステムが提供される。このレーザマーキングシステムは、半導体ウェハ上にハードマークを形成する。このシステムは、ウェハ上の位置にマーキングするパルスレーザ出力を生成するパルスレーザサブシステムを具える。前記パルスレーザサブシステムは、出力パルス幅をほぼ一定に維持しつつパルス反復レートと出力エネルギがある範囲で変化するよう制御される。ビーム供給システムが、前記パルスレーザ出力を前記ウェハ上の位置に供給する。 （もっと読む）