【課題】マーキングインターロック機能を備えた半導体ウェーハマーキング装置及びこれを用いた半導体ウェーハマーキング方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ上にマーキングのためのレーザー光を発生させるレーザー光源とレーザー光源から発生する前記レーザー光が照射されるレーザー照射領域を有するフローセルとを備えるレーザーヘッドユニットを備える半導体ウェーハマーキング装置。光学系は、前記レーザーヘッドユニットの前記フローセルから分散されるレーザー光をレーザービームに生成して前記半導体ウェーハに照射する。冷却水貯蔵ハウスは、冷却水を保存する。フローセルのレーザー照射領域の温度を一定に保持させる冷却水を循環させる配管は、冷却水貯蔵ハウスの入口及び出口に連結されてフローセルの内部に埋め込まれる。 （もっと読む）

裏面ウェハマーキングシステムにおけるレーザ処理性能を決定するためのシステムが開示される。このシステムは、目標ウェハの裏面上にパターンマークを生成するためのレーザマーキングシステムと、目標ウェハの主面を通してパターン特徴を検出するための検出システムとを含む。目標ウェハは、目標ウェハを通る検出システムの見かけの焦点領域が目標ウェハの主面に実質的に近くなるような厚さ、屈折率および２つの実質的に平坦な表面を含む。
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【課題】 ウエーハの分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射して変質層を形成し、変質層が形成された分割予定ラインに沿って分割する分割方法において、抗折強度を低下させることなく容易に分割することができるウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】 表面に格子状に形成された分割予定ラインとによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線をウエーハの厚さ方向中間部に照射し、ウエーハの厚さ方向中間部に内部変質層を形成する内部変質層形成工程と、パルスレーザー光線をウエーハの少なくとも一方の面付近に分割予定ラインに沿って間欠的に照射し、ウエーハの少なくとも一方の面に間欠的に露出する露出変質層を形成する露出変質層形成工程と、内部変質層および露出変質層が形成されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを露出変質層を割断起点として内部変質層に沿って分割する分割工程とを含む。 （もっと読む）

レーザ切削加工される加工物（１２）の表面は、レーザ切削加工で生み出される切削屑が、その表面に付着するのを減らすことで、レーザビーム（１４）を用いる切削加工の間に生み出される切削屑（１５）から、界面活性剤膜（１１）で保護される。この界面活性剤膜は、好ましくは後で、この界面活性剤膜上に被着した切削屑（１５１）といっしょに除去される。
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【課題】 サファイヤ基板の表面に形成された発光素子を損傷することなく、サファイヤ基板の裏面に分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成することができるウエーハのレーザー加工方法および加工装置を提供する。
【解決手段】 サファイヤ基板の表面に複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に発光素子が形成されたウエーハの裏面に、分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線の集光スポットにおけるエネルギー密度は、１J／cm²以上に設定されている （もっと読む）

【課題】 表面へ噴出す加工分解物の増加を抑えて、加工時間全体の短縮化と切断線から外れることのない安定したレーザ照射を行う。
【解決手段】 被切断部材１０を切断するに際してレーザ光の照射を用いるレーザ切断方法であって、被切断部材の内部にレーザ光を集光して当該内部に深さ方向に延びる内部加工領域１２の形成と、被切断部材の表面１１もしくは内部にレーザ光を集光して深さ方向に延びる溶融領域Ｍの形成と、を行なう。 （もっと読む）

【課題】 ２つ以上のレーザを使用してレーザ微細加工システムの処理量を増加させる方法及びシステムを提供すること。
【解決手段】 ２つ以上のパルスレーザビーム（５６、５８）が結合され、次に、システムが工作物（２０）の多数の場所において、元の独立したレーザビームの各々のパルスエネルギー以上のパルスエネルギーを維持するパルスレートであって独立して動作するレーザで達成可能なパルスレートより大きいパルスレートで同時に動作することを可能にする多数のレーザビーム（８０、８２）に分離される。ほとんどのレーザ微細加工適用は、工作物を加工するために多数の連続パルスを要求した。パルスエネルギーを維持しつつ、パルスレートを増加させることは、材料除去をより迅速にし、それにより、レーザ微細加工システムの処理量を増大させる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光線（３０）を照射することによって生成されるデブリ（３６）を可及的に被加工物（２）外に排出して溝側面に残留するデブリを可及的に少なくし、これによってデブリに起因する熱歪の生成を回避乃至抑制し、かくして被加工物における抗折強度の低下を充分に回避乃至抑制することができる、レーザ光線を利用した加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】 集光点（３２Ａ）の幅がＤ１である第一のレーザ光線（３０Ａ）と、集光点（３２Ｂ）が第一のレーザ光線の集光点よりも光線進行方向において上流側であり、第一のレーザ光線の集光点における光線スポットの幅がＤ１よりも大きいＤ２（Ｄ２＞Ｄ１）になる第二のレーザ光線（３０Ｂ）とを重複せしめて被加工物に照射せしめる。 （もっと読む）

プレート型偏光ビーム・スプリッタ２２は、入射レーザビーム２１を分割して、第１のレーザビーム２４と第２のレーザビーム２５を形成する。第１のレーザビームが、第２のレーザビームのものとは異なる発散または収束を持つように、第１のレーザビーム２４を、円弧状のリフレクタ２３を用いて光学的に修正する。第１のレーザビーム２４を、集光レンズ２６の光軸上の第１の焦点２７に集束させ、また、第２のレーザビーム２５を、この光軸上の第２の焦点２８に集束させて、加工物を切削加工する。この装置は、ガルバノメータ・スキャナで操向されたレーザビームを用いて切削加工するのに適している。
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【課題】 被加工物の内部にレーザー光線の入光面から深い位置に所定の厚さの変質層を形成することができるレーザー加工方法
【解決手段】 レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を対物集光レンズを通して被加工物の内部に集光し、被加工物の内部に変質層を形成するレーザー加工方法であって、レーザー光線の対物集光レンズによる蹴られ損失が２５〜３５％になるようにレーザー光線を対物集光レンズに入光せしめる。 （もっと読む）

本発明は、レーザー切断によって、共有の（shared）キャリア（carrier）から製品、特に半導体回路を分離する方法に関する。また、本発明は、この方法に用いる装置に関する。さらに、本発明は、そのような方法を用いて、レーザービームによって分離された製品、特にキャリア上に載せられた（mounted）半導体に関する。
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【課題】 半導体ウエーハ等の板状体にレーザビームを照射して板状体を切断する方法において、切断速度を上げて、分割により製造される電子部品のスループットを向上する。
【解決手段】 板状体１に対して吸収性を有する第１の波長のレーザビームと、板状体に対して透過性を有する第２の波長のレーザビームとを同時に集光して板状体に照射する。集光光学系を調整して、第１の波長のレーザビームの集光点７を板状体表面部に形成させ、第２の波長のレーザビームの集光点８を板状体内部に形成させる。表面部は線形吸収により分解または組成の変質を生じ、内部は多光子吸収により組成の変質を生じてそれぞれ応力発生領域が形成される。分割線に沿ってレーザビームを照射した後に、機械的衝撃力を加えて、レーザビームの走査軌跡に沿って板状体を分割する。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、被加工物の加工状況を良好にモニタすることが可能であり、加工の制御性を高めることができる、レーザ加工装置、及びレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ発振器１１とビーム形状変換機構１２とを有するレーザ照射部１０と、レーザ照射部１０から出射された特定の波長のレーザによる被加工物２からの反射光を検出する光検出部４０と、光検出部４０の検出結果に基づきレーザ発振器１１とビーム形状変換機構１２との少なくとも一方を制御するレーザ制御部５０と、を具備し、光検出部４０は、特定の波長の光を選択的に検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ等の被加工物に対して文字やパターン等のマーキングを行うレーザマーキング装置を提供する。
【解決手段】レーザマーキング装置１０で、載置台２７上のウエハ３１を位置付し、反射ミラー１６及び角度制御機構２３により撮像カメラ２５の撮像エリアＣをウエハ３１の全面又は全外周を走査し、画像処理装置２６により画像認識処理を行い、ウエハ３１の全体の位置情報を検出し、レーザ発振器１１のレーザ光Ｌを、反射ミラー１２，１３、集光レンズ１４、ビームスプリッタ１５及び反射ミラー１６を介して伝送し、ウエハ３１上に照射し、反射ミラー１２，１３，１６を、制御装置２８による制御の下で角度制御機構２１，２２，２３によりその反射角度を制御し、検出されたウエハ３１の全体の位置情報に基づいて、ウエハ３１の表面内の特定の箇所にてレーザ光Ｌを二次元的に走査し、特定の箇所に文字やパターン等のマーキングを行う。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ 残膜に対し化学溶液（加工液）中でレーザー照射することにより、銅を除去加工し、非接触で平坦化加工を行うことを目的としている。
【解決手段】 本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。これによって、半導体ウェーハ上に形成された銅膜を選択的に除去加工することができる。半導体ウェーハを加工液中に浸け、銅を除去すべき箇所に、集束レーザー光を選択的に照射し、銅膜を選択的に除去加工する。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムを短くすることができる１ロット複数のワークを加工するレーザ加工装置を得ること。
【解決手段】ＸＹテーブル５に搬入されるワークＷの数をカウントし、同一ロットのワークの１番目が搬入されたときは、測定制御手段９に指令してずれ測定処理を行わせた後、メモリＭに格納されたずれ測定値に基づいて、集光走査平面３ａを前記ワークの被加工面に一致させるように加工ヘッド１及び前記ＸＹテーブルを制御して１番目のワークの加工を行なわせ、同一ロットの２番目以降のワークが搬入されたときには、前記メモリに格納された前記１番目のワークのずれ測定値に基づいて、前記集光走査平面を前記被加工面に一致させるように前記加工ヘッド及び前記ＸＹテーブルを制御して前記２番目以降のワークの加工を行なわせる運転制御手段８を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って効率よく分割することができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】ウエーハ２０に形成された分割予定ライン２０１に沿ってパルスレーザー光線を照射し、ウエーハ２０を該分割予定ライン２０１に沿って分割するウエーハのレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線の集光スポット径をDとし、隣接する集光スポットとの中心間の間隔をLとした場合、D＜L≦4Dの範囲でパルスレーザー光線を照射することにより、ウエーハ２０に分割予定ライン２０１に沿ってレーザー加工孔２０３を形成するとともに、レーザー加工孔２０３間に亀裂２０４を生じせしめる。 （もっと読む）

【課題】被加工物の加工ラインに沿って均一なレーザー加工を施すことができるレーザー加工装置を提供。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、パルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、これらを相対的に移動せしめる加工送り手段と、これらの手段を制御する制御手段とを具備するレーザー加工装置であって、レーザー光線照射手段はパルスレーザー光線のスポットの形状を楕円形に整形し、楕円の短軸と長軸との長さの比を１：５〜１：２０の範囲に設定しており、そのスポットの長軸を加工送り方向に位置付ける手段を具備し、制御手段は楕円形のスポットの長軸をL(μm)とし、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をH(Hz)とし、加工送り速度をV (μm/秒)とした場合、楕円形のスポットの重なり率{1−V／(H×L)}×１００％＝７５〜９５％の範囲になるようにレーザー光線照射手段および加工送り手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】 結晶系半導体基板を用い、該基板を切断加工して製造される光起電力装置において、変換効率の高い光起電力装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】 結晶系半導体基板１の一主面１ａの上に、ｐｎ接合を形成した光起電力装置２０において、一主面１ａと他主面１ｂに挟まれる少なくとも１つの側面１０が切断加工面から形成されており、該切断加工面が他主面１ｂ側から一主面１ａ側に向って延びる、レーザ加工によって形成されたレーザ加工領域１１と、一主面１ａ側から他主面１ｂ側に向って延びる、折曲切断によって形成された折曲切断領域１２とから構成されており、レーザ加工領域１１と折曲切断領域１２との境界線に、一主面１ａ側に突き出る凸部１１ａによる凹凸が形成されており、凸部１１ａの周囲に該凸部１１ａを起点とする折曲切断の際の放射状の応力集中痕１２ａが形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの加工面に保護被膜を均一に被覆してレーザー加工を施すことができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】 表面に複数のデバイスがマトリックス状に形成されたウエーハのデバイスを区画する格子状のストリートに沿ってレーザー加工を施すウエーハのレーザー加工方法であって、ウエーハの加工面に液状の樹脂をスプレーで吹き付けて保護被膜を被覆する保護被膜被覆工程と、保護被膜が形成されたウエーハの加工面に保護被膜を通してストリートに沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程とを含む。 （もっと読む）