【課題】 レーザー加工溝の外側を被加工物の加工面に対して垂直状に形成することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、チャックテーブルとレーザー光線照射手段を相対移動する加工送り手段とを具備するレーザー加工装置であって、レーザー光線照射手段の集光器は、レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を断面が半円状の第１のレーザー光線と第２のレーザー光線に２分割するとともに第１のレーザー光線と第２のレーザー光線の左右を入れ替える第１のプリズムと、第１のプリズムによって２分割された第１のレーザー光線と第２のレーザー光線の光路を平行に修正する第２のプリズムと、第２のプリズムによって光路が平行に修正された第１のレーザー光線と第２のレーザー光線のスポットをそれぞれ直線部を外側に円弧部を内側にして結像する結像レンズとを具備している。 （もっと読む）

ダイシング装置に、ダイシング部と、ダイシングシートを伸張してダイシングされた個々のチップ同士の間隔を拡張するエキスパンド部と、ウェーハのダイシング状態及びエキスパンド状態を確認する検査手段とを設けた。これにより、ダイシング開始からエキスパンド終了までの処理を短時間で行うことができると共に、既にダイシングされたウェーハの状態を確認しながら次のウェーハをダイシングすることができる。
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【課題】 レーザ光の照射によるアブレーション現象の発生を抑制し，被加工物に貼り付けられたテープの溶融を防止可能な，高い平坦度を有する被加工物保持装置を提供する。
【解決手段】 テープが貼り付けられた被加工物にレーザ光を照射して被加工物を加工するレーザ加工装置の被加工物保持装置３６は，被加工物のテープが貼り付けられた面を保持する被加工物保持部３６１を備えている。この被加工物保持部３６１は，平面加工精度の高いＰＣＴＦＥから形成されたＰＣＴＦＥ層３６１ｂの上に，ＰＣＴＦＥ層３６１ｂと比べて厚さの薄いＰＴＦＥ層３６１ｃを積層した積層体からなる。ＰＴＦＥ層３６１ｃを形成するＰＴＦＥはビームエネルギーの吸収率が小さいため，レーザ光の照射を受けてもアブレーション現象が発生しにくく，被加工物に貼り付けられたテープが溶融することもない。さらに，チャックテーブルの平坦度を維持することもできる。 （もっと読む）

【課題】ベルトコンベヤー及びコンベヤーサポートビームの振動によるスクライビング工程のエラーを防止して、生産性を向上させるようにした基板の切断装置及びこれを用いた基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 基板を載置して移動させる第１、第２ベルトコンベヤーと、第１、第２ベルトコンベヤーの間に一定の間隔を有して構成され、上記基板が到達すると、切断予定線に沿ってスクライビングを実施するスクライブ手段と、上記基板にスクライビングをする時、第１、第２ベルトコンベヤーの間に基板のスクライビング方向と同一の方向に構成され、上記基板を支持する基板支持手段とを含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、参照画像との比較により基板に生じた欠陥を検出する欠陥検出部（４１）と、駆動回路素子（２３）上や配線（２１，２２）上にある欠陥に対して修正の禁止領域（ＫＡ）を設定する禁止領域設定部３９と、禁止領域（ＫＡ）に掛かる部分を除く欠陥部分と、禁止領域（ＫＡ）に関わらない欠陥と、を修正領域として設定する修正領域設定部（４４）と、修正領域に対して修正順の優先度を設定する優先度設定部（５）と、優先度に従って欠陥を修正する修正部（３１）とで構成される欠陥修正装置及びその欠陥修正方法である。
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【課題】レーザーマーキングにより発生した飛散粒子を効率良く除去でき、高品質に製造することができるレーザーマーク付き半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】レーザーマークを付した半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、単結晶棒をスライスし、得られた半導体ウェーハにラッピングを施した後、該半導体ウェーハの表面にラッピングパウダー層が残留している状態で前記半導体ウェーハの表面にレーザーマーキングを施し、その後、前記レーザーマーキングにより発生した飛散粒子を前記ラッピングパウダー層とともに除去するアルカリ性水溶液による洗浄を施すレーザーマーク付き半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】精密エネルギ制御用のレーザによる物質加工方法が提供され、バルクアッテネータは、ＲＦドライバ出力により切り替えられ、ＲＦ出力全体を大幅に低くし、パルスごとのレーザエネルギを生成する。アッテネータの値により、実現可能なエネルギの範囲、すなわちｐｊまたはｐｊの端数を決定する。１以上のアッテネータおよびスイッチは、複数のエネルギ範囲を実現するために利用できる。バルクアッテネータが切り替えられた後に、レーザエネルギは大幅に減らされ、ＲＦドライバは、ＳＮＲが非常によいＲＦパワーがほぼ最大の状態で再び動作できる。また、ＤＡＣからの入力電圧は非常に高く、ＳＮＲが小さいためにノイズが多いダイナミックレンジの最低位ではない。この方法およびシステムは、高いＤＡＣ入力電圧とＲＦドライバの高いＳＮＲにより、拡大されたダイナミックレンジ、優れた減衰（実行可能な低いエネルギ）、優れた精度、および安定性を提供する。 （もっと読む）

【課題】 被割断部材１０の表面に設けられた付加構造体１によって、レーザ光の内部集光により形成した内部加工領域１２からの亀裂の進行が妨げられることなく、良好な被割断部材の割断・分離を行なう。
【解決手段】 被割断部材１０に外力を加えることによって内部加工領域１２と表面１０Ｆとを亀裂１０３で連絡する際に、内部加工領域１２の表面１０Ｆに近い先端１２１から表面１０Ｆまでの間隔をｄ、被割断部材の劈開面と面の垂線とのなす角度をθとした場合に、亀裂の先端１２１から表面１０Ｆに下ろした垂線と付加構造体１との距離がｄ×ｔａｎθ以上となるように亀裂１０３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、半導体基板１の切断予定ラインに沿って延在し、且つ一端及び他端が半導体基板１の外縁に到達しない改質領域による切断起点領域９ａ，９ｂを半導体基板１の内部に形成し、改質領域による切断起点領域９ａ，９ｂを切断の起点として半導体基板１を切断予定ラインに沿って切断する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの損傷や熱的な大きなダメージを与えることを防止し、精密な切断を可能にする半導体材料基板の切断方法を提供する。
【解決手段】半導体材料基板１１の内部に、集光点におけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｍ以下の条件で、レーザ光を照射することにより、半導体材料基板１１の内部に、溶融処理領域１３を切断予定ラインに沿って形成する工程と、次いで、半導体材料基板１１に人為的な力を印加することにより、半導体材料基板１１を切断予定ラインに沿って切断する工程とを含み、溶融処理領域１３は、半導体基板１１の表面付近に形成する。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光の多光子吸収アブレーションにより被加工物を加工する場合に、高精細・高精度に加工でき、かつ分解物による被加工物表面の汚染を効果的に抑制することのできるレーザー加工用粘着シートを提供すること。また、前記レーザー加工用粘着シートを用いて生産効率よくかつ容易にレーザー加工品を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 レーザー光の多光子吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用するレーザー加工用粘着シートにおいて、前記粘着シートは、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられているものであり、前記基材は、パルス幅が１０^−１２秒以下の超短パルスレーザー光を照射した際のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^２）〕未満であることを特徴とするレーザー加工用粘着シート。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光の赤外吸収アブレーションにより被加工物を加工する場合に、分解物による被加工物表面の汚染を効果的に抑制することのできるレーザー加工用保護シートを提供すること。また、前記レーザー加工用保護シートを用いたレーザー加工品の製造方法を提供すること。
【解決手段】 レーザー光の赤外吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用するレーザー加工用保護シートであって、前記保護シートは、少なくとも基材を有しており、かつ前記基材のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が２×１０^−４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^２）〕以上であることを特徴とするレーザー加工用保護シート。 （もっと読む）

【課題】 より精度高く、効率よく分割をするための加工を行えるような基板加工方法及
びその加工方法に基づいた、基板に形成される素子の製造方法を得る。
【解決手段】 基板１０を分割しようとする予定分割線のうち、第１の予定分割線と交差
してＴ字形状を成す第２の予定分割線に沿って、第１の予定分割線との交差地点から所定
の長さ及び深さでエッチング加工を行い、エッチング加工を行なっていない予定分割線の
部分に対して基板１０を分割するためのスクライブ、改質、切断等のレーザ加工を行うも
のである。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、かつ精密に加工対象物を切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ウェハ状の加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することで、加工対象物１の切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に改質スポットを複数形成し、複数の改質スポットによって、切断の起点となる改質領域を形成する。このとき、加工対象物１の厚さ方向と略直交する断面において、隣り合う改質スポット間の距離は、切断予定ライン５に沿った方向の改質スポットの長さと略同等又はそれ以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 構造体を表面に設けた被割断部材をレーザ光の内部への集光により割断する際の、内部加工領域の形成のばらつきを抑える。
【解決手段】 被割断部材１０の表面に入射するレーザ光ＬＢの光束の中に、被割断部材の表面に設けられた構造体２Ｆが入らないようにレーザ光を被割断部材の表面に照射する。被割断部材の内部へ向かって照射されるレーザ光束側の構造体２Ｆの端部の高さをｈ、レーザ光が被割断部材の外部で表面１２の垂線となす角度をθ１、レーザ光が被割断部材の内部で表面１２の垂線となす角度をθ２、被割断部材の表面１２のレーザ光照射面から内部のレーザ集光点Ａまでの距離をＬとした場合において、割断線Ｃと構造体２Ｆとの間の距離をａとすると、ａ＞ｈ×ｔａｎθ１＋Ｌ×ｔａｎθ２とする。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ウェハ状の加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザＬ光を照射することにより、加工対象物１の切断予定ライン５に沿って延在し、且つ一端及び他端が加工対象物１の外縁に到達する改質領域を加工対象物１の内部に形成し、改質領域を切断の起点として加工対象物１を切断予定ライン５に沿って切断する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工によって形成された内部亀裂を起点とする割れを基板表面の割断予定線に確実に誘導するために、内部亀裂の長さを制御する。
【解決手段】 シリコン基板１０の内部にレーザ光を集光させて複数の内部亀裂１２ａ〜１２ｃを発生させるが、亀裂の長さは基板の深さ方向の位置によって適切な長さに変えるように、時間的、空間的に集光位置をずらしたレーザ光束を用いる。 （もっと読む）

【課題】 チャックテーブルの加工送り開始位置から加工送り終了位置までの全区間に渡って被加工物にパルスレーザー光線を照射して均一な加工を施すことができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブル３６と、チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５と、チャックテーブルとレーザー光線照射手段を相対的に加工送りする加工送り手段３７とを具備するレーザー加工装置であって、チャックテーブルの加工送り量を検出する送り量検出手段と、送り量検出手段からの検出信号に基づいてレーザー光線照射手段を制御する制御手段１０とを具備し、制御手段は送り量検出手段からの信号に基づいて所定加工送り量毎に該レーザー光線照射手段に照射信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの損傷や熱的な大きなダメージを与えることを防止し、精密な切断を可能にする半導体材料基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 半導体材料基板１１の内部に、集光点におけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｍ以下の条件で、レーザ光を照射するとともに、半導体材料基板１１の切断予定ラインに沿って、集光点と半導体材料基板１１を相対的に移動させることにより、半導体材料基板１１の内部に、半導体材料が一旦溶融後に再固化した領域を含むものである溶融処理領域１３を切断予定ラインに沿って形成することにより、その後の人為的な力を印加することなしに、半導体材料基板１１を切断予定ラインに沿って切断する。 （もっと読む）

【課題】微細構造の製造のスループットを向上させる。
【解決手段】積層した第１の材料と第２の材料において、第１の材料は第２の材料よりレーザビームによるアブレーション（溶発）がし易いもので構成されている。すなわちアブレーション閾値が第１の材料の方が高いものとする。例えば第１の材料はシリコン、第２の材料はポリイミドから成るポリマーオンシリである。この積層体に非貫通孔をあける微細加工を行う除去プロセスは、まず第１の材料にレーザビームを照射して、孔底に第１の材料を少し残存させた状態で２つの材料の界面近くまで材料を除去するステップと、第２の材料側から第２の材料に影響ないレーザ光強度、すなわち第２の材料のアブレーション閾値より低いアブレーションフルエンスのレーザビームを照射して前記第１の材料の残りを除去するステップとからなる。 （もっと読む）