【課題】 １本のパルスレーザ光を２本のパルスレーザ光に分岐させ、分岐されて得られた２本のパルスレーザ光の一方を他方に対して遅延させて出射させる光学装置の汎用性を向上させる。
【解決手段】 光源１がＰＢＳ４に対してＰ偏光である主パルスレーザ光Ｌを出射する。１／４波長板２に主パルスレーザ光Ｌが入射する。保持機構３は１／４波長板２を回転させ得る。これにより、１／４波長板２から出射する主パルスレーザ光のＳ偏光成分とＰ偏光成分の強度比を変化させ得る。ＰＢＳ４が１／４波長板２を通過した主パルスレーザ光ＬをＳ偏光たる第１のパルスレーザ光Ｌ_ＳとＰ偏光たる第２のパルスレーザ光Ｌ_Ｐとに分岐させる。第２のパルスレーザ光Ｌ_Ｐは遅延光路Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄを経由するので、第２のパルスレーザ光Ｌ_Ｐの試料面Ｐへの到達時点が、第１のパルスレーザ光Ｌ_Ｐの試料面Ｐへの到達時点よりも遅延する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の正確な配線接続として、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光を用いることにより、非熱的加工方法による高精度および微細な配線接続加工を行うレ−ザ加工方法及びレ−ザ加工装置を提供する。
【解決手段】配線接続加工する際、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光Ｌを紫外線レ−ザ発振機１、紫外線レ−ザ光Ｌのビ−ム直径を拡大するためのビ−ム・エキスパンダ２、紫外線レ−ザ光Ｌのエネルギ−量を調整するためのアッテネイタ３、紫外線レ−ザ光Ｌの走査を行うためのガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置４、紫外線レ−ザ光Ｌを集光させるためのｆθレンズ５で構成されるレ−ザ加工装置本体６から被加工対象物７の配線接続部である被加工箇所の金属配線の上面または斜め側面または近傍に集光させ、その集光光をガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置で移動させる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハチャックが配置されたカップを水平方向に移動させ、ウエハの表面に液体を介在させてレーザー光により例えばダイシングを行い、その後に基板を回転させて液体を振り切る装置において、カップに接続される排気管の引き回しによる不利益を解消すること。
【解決手段】 カップの底部に廃液ポートと排気ポートとを設け、カップがＸ、Ｙ方向に移動するときの廃液ポートの移動領域をカバーするように廃液受け皿を設ける。またウエハを振り切り乾燥させる位置に対応して排気部を設け、振り切り乾燥を行う段階でその振り切り位置に移動したカップの排気ポートに排気部を接続する構成を採用して、排気管の引き回しを避けるようにする。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜が溶融して、結晶化する状態をリアルタイムで観察することが可能であり、半導体薄膜の、例えば、成長速度及び成長方向を正確に測定することが可能な結晶化装置及び結晶化方法を提供する。
【解決手段】 結晶化装置１は、基板２６に設けられた非単結晶半導体薄膜２７にエネルギー光を照射して、この非単結晶半導体薄膜２７を溶融して結晶化する結晶化用光学系２を具備する結晶化装置１であって、前記エネルギー光の光路外に配置され、測定用の照明光を照射する測定用照明光学系３０と、測定光を複数の測定光に分割する光学素子４１と、各々の測定光を光検出器の受光面に前記非単結晶半導体薄膜２７の像としてそれぞれ結像するレンズ４５Ａ，４５Ｂと、前記光検出器を含み、前記受光面の像のそれぞれを結晶化情報に変換する複数の計測器５０Ａ，５０Ｂと、前記結晶化情報を処理する画像処理装置とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 効率的にかつ高精度に半導体ウェハを劈開することができる半導体ウェハの劈開装置及び方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハ10の所定位置に基準辺11Aと斜辺11Bとを有するV型の切欠11をレーザ切断により形成する。次に、このウェハ10のうち、基準辺11Aの延長線よりも劈開により除去される側を押圧して、実質的に基準辺11Aの延長線に沿ってウェハ10を劈開する。切欠11の形状をV型とすることで、脆性材料であっても適正な劈開を容易に行うことができる。また、切欠11の形成にレーザ切断を用いることで、劈開に必要な切欠11を正確に、かつウェハ10の損傷を生じることなく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 基材上にマトリックス状にインレットを搭載してＲＦ−ＩＤメディアを製造する場合においても、基材上の精細な位置にインレットを容易に搭載する。
【解決手段】 ステージ６に搭載されたシート基材３０ｂ上にインレット１１０を搭載する際に、移動制御部８の制御によって、ステージ６をインレット搭載機５によるインレットの搭載位置についてＸ−Ｙ方向に移動制御し、それにより、インレット搭載機５によって搬送されてきたインレット１１０を、ステージ６に搭載されたシート基材３０ｂ上にマトリックス状に搭載する。 （もっと読む）

本発明は、レーザアニール装置に用いられる光照射装置であり、制御部（９）を備え、この制御部により回転軸（７ａ）の回転が右回りから左回りに変化した後に回転角が＋βとなった旨を検出して固体レーザ（４）のパルスをオンとし、続いて回転角が−βとなった旨を検出して固体レーザのパルスをオフとし、回転軸の回転が左回りから右回りに変化した後に回転角が−βとなった旨を検出して固体レーザのパルスをオンとし、続いて回転角が＋βとなった旨を検出して固体レーザのパルスをオフとする。制御部は、さらに、可動ステージ（３）を定速移動方向へ定速移動させ、アニール対象物（２）に対して定速移動方向の一端から他端まで光ビームが照射された後に、可動ステージを、所定距離移動方向へ所定の距離だけ移動させ、被照射物の全面を均一なエネルギーで照射する。
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【課題】異種基板を剥離する工程を含む窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子の製造方法において、異種基板剥離時の窒化物半導体層の破断を抑制する方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる異種基板１６上に成長された窒化物半導体層１８から、前記異種基板１６−窒化物半導体層１８界面に酸又はアルカリであるエッチング溶液を供給しながら、異種基板１６側から前記窒化物半導体層１８のバンドギャップ波長よりも短波長のレーザ光を照射することによって異種基板１６の剥離を行う。 （もっと読む）

【課題】一度に大きな面積を所望の温度分布に加熱することができるレーザ加熱装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源と、このレーザ光源から放射されるレーザ光を導く光導波部材２とからなり、上記光導波部材２が上記レーザ光を入射せしめる一端面９と、上記レーザ光を放射せしめる、上記一端面９より広い面積を有する他端面１０とを有する構造にし、さらに他端面１０を管状面にすることで被加熱物を広範囲に加熱することができる。 （もっと読む）

【課題】 １回のレーザー加工によって形成されるレーザー加工溝の加工深さを深くすることができるとともに、レーザー光線を照射することにより発生するデブリが既にレーザー加工させている加工溝に堆積することなく加工することができるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】 被加工物に形成された分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線は集光スポットが楕円形に形成され、該楕円形の集光スポットにおける長軸を分割予定ラインに沿って位置付け、集光スポットと被加工物とを分割予定ラインに沿って相対的に加工送りする。 （もっと読む）

【課題】ヒューズの切断不良に起因する被害（ＬＳＩの歩留りの低下、原因究明の長時間化、これに伴う対策の遅れやＬＳＩ製造の遅延、現場の作業効率の低下等）を最小限に抑える。
【解決手段】レーザートリミング装置に、カメラ１２および非接触温度測定器１３を設け、ヒューズ切断加工中に、ヒューズの画像ならびに表面温度を測定し、ヒューズ切断の成否判定部１４にて、切断の成否判定を行う。不具合が生じたと判定された場合には、制御部８が、切断作業を直ちに中止する。 （もっと読む）

標本からの材料の高速除去は、様々な円形（５０）及びスパイラル状（７０，９０、１１０）レーザツールパターンに沿ってレーザビーム軸を指向するのにビーム位置決め器を使用する。材料除去の好ましい方法は、ビームの軸と標本との間に相対運動を引き起こすこと、入口セグメント加速度で入口軌跡（１８，５２）に沿ってレーザビームパルス放射（５８）が開始される標本内の入口位置（１６，５４）へビーム軸を指向すること、標本の円形セグメント（４０）に沿って材料を除去するために標本内の円形周囲加速度でビーム軸を移動すること、そして入口セグメント加速度を２倍未満の円形周囲加速度に設定することを要する。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物に照射されるレーザビームの断面内における光強度分布の変動を抑制できるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置は、レーザビームを出射するレーザ光源１と、外部から入力される制御信号に基づいて、前記レーザ光源から出射したレーザビームの拡がり角を変化させる拡がり角調節器３と、前記拡がり角調節器から出射したレーザビームの断面内の光強度分布を測定する測定器９と、前記測定器が測定した光強度分布に基づき、光強度分布が目標とする分布に近づくように、前記拡がり角調節器を制御する制御装置１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光源は、拡がり角を有する光線束を射出するため、アレイレンズの１つのレンズ部分には、光路差生起部材の複数の段差部分を透過したレーザ光が入射し、被照明物体に結像するとき、干渉することを免れ得ない。
【解決手段】 拡がり角θを有する光線束としてのレーザ光１を射出するレーザ光源Ａに対し、一側面視でレーザ光１を複数に分割・縮小して分割光線９となした後、各分割光線９を個別の縮小光線束にして縮小分割光線１０を得る分割・縮小手段（２，３）と、各縮小分割光線１０を分割面側での反射を低減させて個別に透過させ、コヒーレント性を調節するように相互に光路差を生起させるブロック部７ａを備える光路差生起部材７と、光路差生起部材７を透過した縮小分割光線１０を集光させる集光レンズ５とを備えさせ、集光レンズ５を透過させて重畳したレーザ光によつて被照射面６を照明させる。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物の高精度な切断を可能にするレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 本発明のレーザ加工方法では、板状の加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射する。まず、加工対象物１の第１の切断予定ライン５ａに沿って、切断の起点となる第１の改質領域７１を形成する。次に、切断予定ライン５ａと交差する第２の切断予定ライン５ｂに沿って、改質領域７１の少なくとも一部と交差するように、切断の起点となる第２の改質領域７２を形成する。次に、切断予定ライン５ｂに沿って、切断の起点となる第４の改質領域７３を形成する。次に、改質領域７１とレーザ光Ｌが入射する加工対象物１の入射面１ａとの間に、切断予定ライン５ａに沿って、改質領域７３の少なくとも一部と交差するように、切断の起点となる第３の改質領域７４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光の紫外吸収アブレーションにより被加工物を加工する場合に、高精度かつ高速で加工でき、分解物による被加工物表面の汚染を効果的に抑制することができ、さらに加工後の被加工物を容易に回収することができるレーザー加工品の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材上に少なくとも粘着剤層を有しており、前記粘着剤層は、芳香族炭化水素基含有化合物を含有しない粘着剤からなり、かつ吸光係数比（レーザー加工用粘着シートの紫外領域波長λにおける吸光係数／使用する被加工物１の紫外領域波長λにおける吸光係数）が１未満であるレーザー加工用粘着シート２を使用し、前記被加工物１のレーザー光出射面側に該レーザー加工用粘着シート２の粘着剤層を貼付する工程、レーザー光６を照射して被加工物９を加工する工程、及びレーザー加工用粘着シート２を加工後の被加工物１から剥離する工程を含むレーザー加工品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光の紫外吸収アブレーションにより被加工物を加工する場合に、分解物による被加工物表面の汚染を効果的に抑制することのできるレーザー加工用保護シートを提供すること。また、前記レーザー加工用保護シートを用いたレーザー加工品の製造方法を提供すること。
【解決手段】 レーザー光の紫外吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用するレーザー加工用保護シートにおいて、前記保護シートは基材上に少なくとも粘着剤層が設けられているものであり、粘着剤層は芳香族炭化水素基含有化合物を含む粘着剤からなり、かつ基材及び粘着剤層のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）がそれぞれ０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^２）〕以上であることを特徴とするレーザー加工用保護シート。 （もっと読む）

【課題】 シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該ウエーハを区画するストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成し、該レーザー加工溝の両側で積層体の剥離が生じても実質的にデバイスに影響を及ぼすことがない大きさに抑えることができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイス２２が形成されたウエーハ２の該複数のデバイス２２を区画するストリート２３に沿ってパルスレーザー光線を照射し、該ストリート２３に沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、 パルスレーザー光線のパルス幅が１００〜１０００ｎｓに設定されている。 （もっと読む）

ターゲット表面材料を加工するレーザ式方法およびシステム並びにこれにより作成された製品が提供される。このシステムは、ワークピースのある領域のターゲット表面材料を、近接するターゲットでない材料部分の望まない変化を避けつつ加工する。このシステムは、ある波長と１ｎｓより短いパルス幅を有する１以上のパルスを含むパルスレーザ出力を生成する第１のレーザ源を有する第１のレーザサブシステムを具える。供給サブシステムが、前記ワークピースのターゲット表面材料に、当該ターゲット表面材料をテクスチャリングする１以上のパルスを有するパルスレーザ出力を照射する。このパルスレーザ出力は、前記ターゲット表面材料の少なくとも一部を除去し始めるのに十分な合計フルエンスを有し、前記パルス幅は、前記領域とその材料を取り巻くターゲットでない材料のスラグを実質的に除去するのに十分に短い。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、より品質の高い切断面が得られ、かつ加工速度が十分に速く、Ｔ字型に交わる切断線に沿った切断も可能な、レーザ照射による基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板（１０）を切断予定線（１００）に沿って切断する基板の切断方法であって、切断予定線（１００）に沿って基板にミシン目状の孔（２０２）を形成する工程と、切断予定線（１００）に沿ってレーザを照射する工程と、を含む切断方法を提供する。さらに、本発明は、基板（１０）を切断予定線（１００）に沿って切断する基板の切断方法であって、切断予定線（１００）を含む溝（９０）を形成する工程と、切断予定線（１００）に沿ってレーザを照射する工程と、を含む切断方法を提供する。 （もっと読む）