【課題】 ダイボンド樹脂層を介在させてシートが貼り付けられた半導体基板をダイボンド樹脂層と共に効率良く切断することのできる半導体基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１の内部に、集光点におけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｍ以下の条件で、切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射することにより、半導体基板１１の内部に形成される溶融処理領域１３により切断予定部を形成する工程と、ダイボンド樹脂層２３を介して半導体基板１１に貼られたシート２０を拡張させることにより、切断予定部に沿って、半導体基板１１及びダイボンド樹脂層２３を切断する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工装置において、レーザ光照射対象の部材の被照射部から発生する気化物や、被照射部の近傍から飛散する溶融物などの、部材への再付着によるダストの付着発生の抑制を図る。
【解決手段】 パルスレーザ光源２と、パルスレーザ光Ｌが導入される透明窓３８を有する局所加工ヘッド３と、パルスレーザ光Ｌの被照射部を有する部材５の支持台４とを有し、局所加工ヘッド３に、支持台４との間に形成される空間内における圧力及び気流を調整する排気手段３２ａ及び３２ｂと、透明窓及び被照射部に近接する局所排気部３７における圧力及び気流を調整する局所排気手段３４とが連結されたレーザ加工装置１において、局所排気部３７を規定する、被照射部に対向する局所加工ヘッド３の開口３９を、短径２ｍｍ以下の略真円形状に選定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板が種々の積層構造を有する場合においても加工対象物を高精度に切断することのできるレーザ加工による半導体基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１５の裏面２１をレーザ光入射面としてレーザ光を照射することにより、半導体基板１５の内部に溶融処理領域１３を形成し、この溶融処理領域１３によって、半導体基板１５の切断予定ラインに沿って切断起点領域を形成する工程と、切断起点領域を起点として半導体基板１５を複数の部分に切断する工程を有する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ビームスポットを一方向で任意の長さに可変出来るレーザ集光ユニット及びそれを備えたレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 集光ユニット１２において、上方のシリンドリカルレンズ２０は固定レンズ保持部２７に保持され、下方のシリンドリカルレンズ２２は本体２４の空洞部２５内で鉛直方向（光軸方向）に移動可能な可動レンズ保持部３４に保持される。可動レンズ保持部３４は、それよりも径が一回り大きい回転リング４２の上に支持されている。回転リング４２を回すと、回転リング４２が回転方向に応じて垂直上方もしくは垂直下方へ移動し、それによって可動レンズ保持部３４および可動シリンドリカルレンズ２２も垂直上方もしくは垂直下方へ移動する。可動シリンドリカルレンズ２２の光軸上の位置を変えることでレーザ光の線状ビームスポットの長さを可変することができる。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物に対してより高い精度で効率良く精密な切断を行うこと。
【解決手段】 光学系（対物レンズ３）を介して、プラズマを発生させないエネルギ強度のパルスレーザ光Ｌを加工対象物１の表面７上方に集光照射し、加工対象物１に対して広がったダイバージェンス角で入射するパルスレーザ光Ｌｄと加工対象物１の材料との相互作用により、加工対象物１の表面７にＶ字形の損傷５を形成することにより、１回または２回の照射走査による加工対象物１の切断を可能にした。
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【課題】 基板の一面上に、基板側から順に、着色層、オーバーコート層（平坦化層）、ＩＴＯ膜を積層し、ＩＴＯ膜を表面層としている液晶表示装置用のカラーフィルタ基板に対し、そのＩＴＯ膜に、所定のレーザ光を所定形状に選択的に照射することにより、ＩＴＯ膜を前記所定形状にパターンニングするＩＴＯ膜のパターンニング方法で、生産性の面、品質面、製造の費用の増加の面の問題を解決できるパターンニング方法を提供する。
【解決手段】 所定のレーザ光として、加工用基板の加工対象とするＩＴＯ膜に対して非熱的な光分解反応であるアブレーションを起し、ＩＴＯ膜およびＩＴＯ膜下の有機材層に対して低発熱の紫外線波長のエキシマレーザ光を用い、ＩＴＯ膜の下のＩＴＯ膜以外のものに損傷等の品質的なダメージを与えないレーザ光の照射条件にて、前記加工用基板のＩＴＯ膜に対して前記レーザ光を選択的に照射し、照射領域において、ＩＴＯ膜を除去し、抜きパターンをＩＴＯ膜に形成するものである。 （もっと読む）

【課題】 加工用レーザ光の入射面が凹凸面である板状の加工対象物の高精度な切断を可能にするレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 このレーザ加工方法では、板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで、切断予定ライン５に沿って、切断の起点となる改質領域７１〜７７を形成する。加工対象物におけるレーザ光の入射面ｒは凹凸面である。切断予定ライン５は入射面ｒの凹領域面ｒ２及び凸領域面ｒ１に渡っている。改質領域７１は凹領域面ｒ２から所定距離内側に形成される。凸領域面ｒ１上の部分５１ａに沿ってレーザ光を照射する際には、加工対象物の外部に集光点を合わせる。改質領域７２は凸領域面ｒ１から所定距離内側に形成される。凹領域面ｒ２上の部分５１ｂに沿ってレーザ光を照射する際には、加工対象物の外部に集光点を合わせる。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウエーハの内部に分割予定ラインに沿って良好な変質層を形成することができるシリコンウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】 シリコンウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、シリコンウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成するシリコンウエーハのレーザー加工方法であって、レーザー光線の波長が1１００〜２０００nmに設定されている。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光線を同一光軸上に変位した２つの集光点に集光させても、集光点が浅い一方のレーザ光線によって集光点が深い他方のレーザ光線が阻害されることのないレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 パルスレーザ光線発振手段が発振するパルスレーザ光線を交互に第１の経路と第２の経路に分配する経路分配手段を備え、一方の経路を通り一つの集光レンズによって集光される一方のレーザ光線と他方の経路を通り一つの集光レンズによって集光される他方のレーザ光線を、光軸方向に変位せしめられた異なる集光点に時間差を設けて交互に照射せしめる。 （もっと読む）

【課題】 研削中に破損することなく、かつ、外周縁にナイフエッジが生ずることなく所定の厚さに研削することができるウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】 外周面が円弧状に面取りされているウエーハの被研削面を研削する研削方法であって、ウエーハの一方の面側から外周縁より所定量内側の位置で外周縁に沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの外周部を除去する外周部除去工程と、外周部が除去されたウエーハの被研削面を研削して所定の仕上がり厚さに形成する研削工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 集光点が浅いレーザ光線が集光点が深いレーザ光線の照射を阻害することなく、複数の変質層を所望の厚さで同時に形成することができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に該被加工物に対して透過性を有するレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段と、チャックテーブルとレーザ光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを具備し、レーザ光線照射手段がレーザ光線発振手段と、レーザ光線発振手段が発振するレーザ光線を伝送する光学伝送手段と該光学伝送手段によって伝送されたレーザ光線を集光せしめる一つの集光レンズを備えた伝送・集光手段とを含んでいるレーザ加工装置であって、伝送・集光手段はレーザ光線発振手段から発振されたレーザ光線を一つの集光レンズを通して光軸方向および加工送り方向に変位せしめられた少なくとも２個の集光点に集光せしめる。 （もっと読む）

【課題】 マーキングの良否を素早く安価に検査できるようにする。
【解決手段】 光学式センサ８が所定の基準位置設定領域Ｘｃにマーキングされる基準マークＸｂの位置に対応した所定の検査領域Ｘｄの光量を検出する。ＣＰＵ３がこの所定の検査領域Ｘｄの光量の変化に基づいてマーキング領域Ｘａにマーキングされたマーキング情報の位置が正常であるか否かを判定する。 （もっと読む）

本発明は、レーザ装置を有して基板をダイシングする方法に係る。当該方法は、少なくとも２つのダイにおいて基板（１）をダイスするようレーザ装置から基板までレーザビーム（１５）を送る段階を有する。第１のアシストガスは、ダイシング方法の第１のフェーズ中に基板において供給され、第２のアシストガスは、ダイシング方法の第２のフェーズ中に基板において供給される。該方法は、基板のダイシングに対して低減された幅をもたらし、その結果として費用のかかる基板範囲を減じる。本発明はまた、レーザダイシングシステム、該方法を実行するコンピュータプログラムプロダクト、及び該方法によって得られ得るシリコンダイに係る。
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【課題】 簡便な方法で、歩留り向上にも寄与することが可能な微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細構造体の製造方法は、基板１０上に複数の半導体デバイスを形成する工程と、基板１０上に、該基板１０の外周部が接着部となるようにエッチング保護膜１８を貼り合わせる貼合せ工程と、該基板１０をエッチング処理する工程と、エッチング保護膜１８のうち基板１０と貼り合わせられていない非接着部に形成されたエッチング保護膜１８ａを除去する工程と、エッチング保護膜１８のうち接着部であって、基板１０の分割予定線上に形成されたエッチング保護膜１８ｂを除去する工程と、基板１０を分割して個々の半導体デバイスを得る工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

レーザーを利用した半導体基板の処理システム及び方法が開示される。保存装置には半導体基板がローディングされるスロットに対して設定された処理工程についての制御データが保存される。工程制御装置は、半導体基板がローディングされているスロットの識別情報を検出し、保存装置でから検出されたスロットの識別情報に対して設定されている制御データを読み取って半導体基板の処理工程を制御する。基板処理装置は、読み取られた制御データにより所定のエネルギーを持つレーザービームで半導体基板を処理する。本発明によれば、多様な特性を持つ半導体基板に加わる多様な処理工程を一つの装置内で別途の操作なしに行える。

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【課題】 簡便な方法で、歩留り向上にも寄与することが可能な微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細構造体の製造方法は、半導体基板１０上に微細構造体を形成する工程と、半導体基板１０上に、該半導体基板１０の外周部が接着部２４となるようにエッチング保護膜１８を貼り合わせる貼合せ工程と、半導体基板１０をエッチング処理する工程と、エッチング保護膜１８のうち半導体基板１０と貼り合わせられていない非接着部に形成されたエッチング保護膜を除去する除去工程とを含み、前記除去工程は、エッチング保護膜１８のうち接着部２４の内周をレーザ照射することにより、当該エッチング保護膜１８を切断除去するものであって、レーザ照射は光源５２から射出されたレーザ光５５を分岐することにより複数の照射点を有するように行うことを特徴とする。 （もっと読む）

レーザ加工装置（２０）は、ビームエキスパンダ（３４）とレンズホルダ（２９）の第１の光通過孔（３２）とを結ぶレーザ光（Ｌ１）の光路上に、第１の光通過孔（３２）と同径の第２の光通過孔（３９）を有する絞り部材（３８）が配置されている。絞り（３８）は、レンズホルダ（２９）から離間しているため、第２の光通過孔（３９）の周囲部分でカットされるレーザ光（Ｌ１）により、絞り部材（３８）が加熱されても、絞り部材（３８）からレンズホルダ（２９）への熱伝達が防止される。
したがって、レンズホルダ（２９）の加熱によるレーザ光（Ｌ１）の集光点（Ｐ１）の位置変動を小さく抑える。
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【課題】 １本のパルスレーザ光を２本のパルスレーザ光に分岐させ、分岐されて得られた２本のパルスレーザ光の一方を他方に対して遅延させて出射させる光学装置の汎用性を向上させる。
【解決手段】 光源１がＰＢＳ４に対してＰ偏光である主パルスレーザ光Ｌを出射する。１／４波長板２に主パルスレーザ光Ｌが入射する。保持機構３は１／４波長板２を回転させ得る。これにより、１／４波長板２から出射する主パルスレーザ光のＳ偏光成分とＰ偏光成分の強度比を変化させ得る。ＰＢＳ４が１／４波長板２を通過した主パルスレーザ光ＬをＳ偏光たる第１のパルスレーザ光Ｌ_ＳとＰ偏光たる第２のパルスレーザ光Ｌ_Ｐとに分岐させる。第２のパルスレーザ光Ｌ_Ｐは遅延光路Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄを経由するので、第２のパルスレーザ光Ｌ_Ｐの試料面Ｐへの到達時点が、第１のパルスレーザ光Ｌ_Ｐの試料面Ｐへの到達時点よりも遅延する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の正確な配線接続として、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光を用いることにより、非熱的加工方法による高精度および微細な配線接続加工を行うレ−ザ加工方法及びレ−ザ加工装置を提供する。
【解決手段】配線接続加工する際、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光Ｌを紫外線レ−ザ発振機１、紫外線レ−ザ光Ｌのビ−ム直径を拡大するためのビ−ム・エキスパンダ２、紫外線レ−ザ光Ｌのエネルギ−量を調整するためのアッテネイタ３、紫外線レ−ザ光Ｌの走査を行うためのガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置４、紫外線レ−ザ光Ｌを集光させるためのｆθレンズ５で構成されるレ−ザ加工装置本体６から被加工対象物７の配線接続部である被加工箇所の金属配線の上面または斜め側面または近傍に集光させ、その集光光をガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置で移動させる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハチャックが配置されたカップを水平方向に移動させ、ウエハの表面に液体を介在させてレーザー光により例えばダイシングを行い、その後に基板を回転させて液体を振り切る装置において、カップに接続される排気管の引き回しによる不利益を解消すること。
【解決手段】 カップの底部に廃液ポートと排気ポートとを設け、カップがＸ、Ｙ方向に移動するときの廃液ポートの移動領域をカバーするように廃液受け皿を設ける。またウエハを振り切り乾燥させる位置に対応して排気部を設け、振り切り乾燥を行う段階でその振り切り位置に移動したカップの排気ポートに排気部を接続する構成を採用して、排気管の引き回しを避けるようにする。 （もっと読む）