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Fターム[4F202AH38]の内容

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Fターム[4F202AH38]に分類される特許

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【課題】
本発明は、ベース膜厚のバラツキを低減できるスタンパ又はインプリント装置、精度のよい微細パターンを形成できる処理製品製造装置又は処理製品製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、スタンパ又は前記スタンパを用いてインプリントするインプリント装置又は前記インプリントによって処理製品を製造する処理製品製造装置又は処理製品製造方法において、前記スタンパは前記処理製品として機能を果たす正規パターンが必要とする深さ以上のダミー部分の深さを備えるダミーパターンを有する。 (もっと読む)


【課題】ナノインプリント用のモールドにおいて、レジストの厚さムラを低減することを可能とし、かつモールドに高い耐久性を付与することを可能とする。
【解決手段】微細な凹凸パターン12が形成されたパターン領域13を一方の表面11に有し、かつ、他方の表面14における高低差分布に関する3σ値が1〜6nmであるパターン付基板10と、少なくともパターン領域13に対応する部分が中抜きされた形状を有し、かつ、パターン付基板10の厚さ以上の厚さを有する中抜き基板30と、上記他方の表面14と当該他方の表面14に対向する中抜き基板30の表面とを接合するように、パターン付基板10および中抜き基板30の間に形成された金属膜20とを備える。 (もっと読む)


【課題】ドットパターンを有する領域と,ドットパターンを有しない領域と,を備えるモールドを高精度で作成可能とする。
【解決手段】実施形態のモールドの製造方法は,第1の高分子に親和な基板上に,第2の高分子に対して親和な第1の層を形成する工程と,第1の層に,第1,第2の開口を形成する工程と,第2の開口内にレジストを充填,硬化する工程と,ブロックコポリマーを含む第2の層を形成,自己組織化する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 ブロック共重合体と電気めっき用ハードマスクを用いた、パターニングされた磁気記録ディスクのナノインプリント加工用マスタディスクの作製方法を提供する。
【解決手段】 パターニングされた媒体ディスクを作製するためのナノインプリント工程用のマスタディスクの作製方法は、導電基板と、ブロック共重合体の、ブロック共重合体成分の1つの、略半径方向の線および/または略同心円状の輪のパターンを形成する誘導自己組織化を利用する。基板上の、線および/または輪によって保護されていない領域内に金属を電気めっきする。ブロック共重合体成分を除去した後に、残っている金属のパターンをエッチングマスクとして使用して、最終的なマスタディスクまたは、後にマスタディスクの製造に使用される2つの別々のモールドのいずれかを製造する。 (もっと読む)


【課題】光学部品など、ナノレベルでの精度を必要とする金型成形において、従来のような形状の改良や離型剤をスプレー塗布するような方法では、離型剤膜厚にばらつきが生じるため、精度が悪くなる。さらに、成型品に離型剤が付着すると不都合な場合もある。しかしながら、離型剤を使用しない金型は、未だ実用化されていない。
【課題を解決するための手段】
本発明の金型は、ナノレベルで膜厚が均一で、且つ表面エネルギーを制御した撥水撥油性のフッ化炭素系化学吸着膜を、離型膜として金型表面に形成したものである。このことにより、ナノメートルレベルの超微細形状を有していても、成型物の流動性や入り込み性に優れ、高精度の成形を行えるようになる。さらに離型剤塗布が不要となり、離型剤が成型品に付着するのを防止できる。 (もっと読む)


【課題】ナノインプリント用モールドの製造において、ナノインプリント装置内でも簡便に離型処理を行うことを可能にしかつ凹凸パターン表面全体の離型性を向上させる。
【解決手段】モールド1の離型処理方法において、離型剤6が塗布された離型処理用基板5を用意し、凹凸パターン13の凸部の上部のみが離型剤6に接触した接触状態となるように、吸着水2が表面に付着したモールド本体12および離型処理用基板5を互いに近づけ、吸着水2中を離型剤6が拡散することに起因して、凹凸パターン13の凸部の上面St側から凹凸パターン13の凹部の底面Sb側に向かって凹凸パターン13の側面Ssにおける離型層14の厚さが薄くなるような厚さ分布を有する離型層14が形成されるまで、上記接触状態を維持し、上記凸部の上部が離型処理用基板5上の離型剤6から分離するようにモールド本体12および離型処理用基板5を離す。 (もっと読む)


【課題】半導体装置等の製造に用いられるインプリント方法において、製造するデバイス
特性の悪化又は微細パターンの加工不良を防止することができるテンプレート及びパター
ン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
凹部及び凸部を有するパターンが形成された透光性基板と、凹部の底面及び凸部の上面に
形成された金属を含有する遮光膜と、遮光膜上に形成された金属拡散防止保護膜と、を備
えたことを特徴とするテンプレートを用いて、パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】パターン微細化が進展する状況下においても、所望形状のレジストパターンの形成を確実に行えるようにする。
【解決手段】レジスト膜に凹凸パターンを形成するパターン形成工程(S2,S3,S4)と、前記パターン形成工程(S2,S3,S4)で形成した前記凹凸パターンの凹状部分の底部に対してエッチングを行う除去工程(S6)と、を備えるレジストパターン形成方法において、前記パターン形成工程(S2,S3,S4)の後で前記除去工程(S6)の前に、前記パターン形成工程(S2,S3,S4)で形成した前記凹凸パターンの凸状部分の頂部を含む当該頂部の近傍領域に、前記除去工程(S6)での前記エッチングによる前記凹凸パターンのパターン消失を抑制する形状の保護膜を、化学的成膜処理により形成する保護膜形成工程(S5)を備える。 (もっと読む)


【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いメチルイソブチルケトンからなる溶媒Bとを含む。 (もっと読む)


【課題】所定の組成を有するレジスト層を用いて、所望の解像度を示すレジストパターンを形成する際の必要露光量の低減。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるアルコール溶媒Aと、酢酸−n−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Bとを含むレジスト現像剤。 (もっと読む)


【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い酢酸−n−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Bとを含む。 (もっと読む)


【課題】アライメントマークが形成された基板を作製するにあたって、光によるアライメントマークの検出を可能としつつ、アライメントマークを形成する時間を短縮させる。
【解決手段】基板に対してアライメントマークを形成する際の基板作製方法において、前記基板を覆うようにレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターンの描画又は露光を行う露光工程と、前記描画又は露光されたレジスト層を現像し、凹凸からなるレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターン形成工程後、前記レジストパターンを有する部分における基板の少なくとも一部に対してウェットエッチングを行い、前記一部におけるレジストパターンの凹部よりも大きく、且つ、光を用いて検出可能な大きさを有するアライメントマークを前記基板上に形成するアライメントマーク形成工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ナノインプリント用のメサ型のモールドの洗浄においてモールドの破損を抑制する。
【解決手段】ナノインプリントに使用したレジストの残渣が付着した状態のナノインプリントモールドに施される洗浄方法において、平板状の支持部11と、該支持部の一面にありかつ該一面から所定の高さを有するメサ部12を有するモールド1が凹凸パターン領域R1上にフッ素化合物を含有する離型層14を備えた状態で、上記モールド1を洗浄液に浸漬して超音波洗浄を行う。 (もっと読む)


【課題】ディスクリート型の磁気記録媒体の製造に用いられる原盤を作製する場合に、レジストパターンの倒れ等の発生を抑制する。
【解決手段】本発明は、同心円状をなす複数のトラックが溝によって分離された磁気記録媒体の製造に用いられる元型の原盤を作製する方法であり、原盤のベースになる円盤状の基板上に複数のレジストパターン32Tを形成する工程を有する。かかる工程は、基板上にレジスト膜を形成する成膜工程と、レジスト膜を露光することにより、レジスト膜の一部を可溶部とし他部を不溶部とする露光工程と、露光後のレジスト膜を現像する現像工程とを有する。露光工程においては、基板半径方向Xで隣り合うレジストパターン32T間にこれと一体構造で架橋部34が残存するように、レジスト膜を露光し、現像工程においては、レジストパターン32Tを架橋部34で支持することで倒れ等を抑制する。 (もっと読む)


【課題】高S/Nを有するビットパターンドメディアを製造でき、パターン欠陥の発生を抑制でき、製造を比較的短時間で行えるインプリントモールド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ビットパターンドメディアにおいて磁性体領域の元となるドット状の凸部が基板の主表面に形成されており、前記ドット状の凸部が前記基板の主表面において所定の方向に一定周期で形成されているインプリントモールドにおいて、前記ドット状の凸部は、前記基板の主表面を削って形成された、複数の連続的な平面視ライン状の溝が交わってなる格子状の溝部に囲まれることによって形成され、前記一定周期において、前記ライン状の溝の幅は、前記ドット状の凸部の幅よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラを解消することを可能とする。
【解決手段】基板の表面に微細な凹凸パターンを形成することにより製造されたナノインプリントモールド10において、上記基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の上記表面の表面形状であって、高低差分布に関する3σ値が1〜3nmである表面形状を有する基板12を用いて製造する。 (もっと読む)


【課題】表面が曲面形状または凹凸 形状を有する基板上に、平滑性の高い被エッチング層と熱反応型レジスト材料を積層した積層体を設けることを目的の一つとする。
【解決手段】曲面形状または凹凸形状の基板上に、フロン系ガスを用いたドライエッチング処理に用いられ、且つ元素群Ta、Mo、Nbから少なくとも1種類を含む元素及びその酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、セレン化物、シリサイドのいずれかから選択されるドライエッチング材を含むドライエッチング層と、前記ドライエッチング層の上に熱反応型レジスト層とを積層する。 (もっと読む)


【課題】化学増幅レジストの性能を引き出すことにより、高い解像性能と良好なパターン品質を有するレジストパターンが得られるレジスト付き基体の製造方法、レジストパターン付き基体の製造方法、パターン付き基体の製造方法及びレジスト処理方法を提供する。
【解決手段】基体上に化学増幅レジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記レジスト塗布工程後、レジスト塗布基体に対してベークを行うパターン露光前ベーク工程と、を有し、前記パターン露光前ベーク工程後に形成されることになるパターン未露光のレジスト層に対して現像剤による減膜処理を行うとすると前記レジスト層の残膜率が95%以上となる時間及び温度条件にて、前記パターン露光前ベーク工程を行う。 (もっと読む)


【課題】目標とする形状に変形させるのに有利な原版を提供する。
【解決手段】転写されるパターンを有する原版であって、この原版は、負の実効ポアソン比を有する。又は、この原版は、石英板の実効ポアソン比より小さい実効ポアソン比を有する。 (もっと読む)


【課題】充分な離型性を有し、元型モールド上のパターンへの被転写物の充填を良好に行い、精度良くパターンを転写させる。
【解決手段】インプリントにより所定の凹凸パターンを被転写物に転写するためのモールドに設けられる離型層において、前記モールドにおける前記凹凸パターンの凹部に前記離型層越しで前記被転写物を充填するため、エネルギーによる処理によって前記離型層の表面自由エネルギーを変動させることによる表面自由エネルギーの最適化がなされている。但し、前記エネルギーによる処理とは、熱エネルギー及び/又は光エネルギーによる処理のことである。 (もっと読む)


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