【課題】離型力が小さく、発泡による欠陥が少なく、かつ生産性に優れた膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、重合性モノマーと、光刺激によりガスを発生する感光性ガス発生剤と、を含む光硬化性組成物を塗布して塗布膜（被形状転写層１）を形成する工程と、前記塗布膜にモールド３を接触させる工程と、モールド３を介して前記塗布膜に光を照射して前記塗布膜を硬化させると共に前記塗布膜内にガスを発生させる工程と、前記塗布膜に光を照射した後、前記塗布膜からモールド３を離し、基板２上に所定のパターン形状を有する膜（硬化膜１１）を形成する工程と、を含み、前記塗布膜に光を照射する工程において、前記塗布膜に含まれる重合性モノマーの重合反応の反応速度が、前記塗布膜に含まれる感光性ガス発生剤のガス発生反応の反応速度よりも速いことを特徴とする、膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１次コイル及び２次コイルを有する絶縁層であるコイル層の製造工程を単純化し、コイル部品の製造工程性を向上させることができる、導体ライン製造用兼ビア製造用スタンプ及びこれを用いるコイル部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の導体ライン製造用兼ビア製造用スタンプは、プレート形態のインプリント本体部１０１と、インプリント本体部１０１の一面から突設され、インプリント本体部１０１の外郭側から中心側へ螺旋形態に連続したラインインプリント部１０２と、インプリント本体部１０１の一面から突設され、インプリント本体部１０１の中心側に位置したラインインプリント部１０２の端部から突設されるビアインプリント部１０３とを含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板の生産性を向上させることが可能な絶縁性基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板の製造方法は、凹状パターン２１ａを有する絶縁性基板２１の製造方法であり、相互に接近又は離反可能なステージ４１,４３と、ステージ４１に取り付けられ、凸状パターン４２１を有するインプリントモールド４２と、ステージ４３に取り付けられたガイドピン４３１と、を準備する工程と、絶縁性基板２１に形成された貫通孔２１ｂにガイドピン４３１を挿入する工程と、ステージ４１,４３を相互に接近させて、インプリントモールド４２に形成されたガイド穴４２２に、ガイドピン４３１を挿入する工程と、インプリントモールド４２とステージ４３との間に絶縁性基板２１を挟み込んで、絶縁性基板２１に凹状パターン２１ａを形成すると共に、ガイドピン４３１の先端をガイド穴４２２の底面に当接させる工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】貫通孔を高精度に形成することが可能なインプリントモールドを提供する。
【解決手段】インプリントモールド１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）から構成される熱インプリント用の金型である。支持部１１と、支持部１１から突出し、バイアホールに対応する突起部１２と、突起部１２の先端面１４１に形成された親油性膜１６と、この先端面１４１を除く全ての表面に離型膜１７を備えている。この親油性膜１６は、例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ，C6H19NSi2）、又はオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ，SiCl3C18H37）等から構成されている。一方、離型膜１７としては、例えば、フッ素系単分子膜等を例示することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチングを行わずに残膜除去処理を行うことが可能なパターン転写方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン転写方法では、被加工基板上に光反応性樹脂を形成する。さらに、前記方法では、凹凸パターンを有する透明基板と、前記凹凸パターンの表面の一部に形成された遮光膜と、を備えるモールドを前記光反応性樹脂に押印する。さらに、前記方法では、前記モールドが前記光反応性樹脂に押印された状態で、前記モールドを介して前記光反応性樹脂に光を照射する。さらに、前記方法では、前記光反応性樹脂に光を照射した後に、前記モールドが前記光反応性樹脂に押印された状態で、前記光反応性樹脂を加熱する。さらに、前記方法では、前記光反応性樹脂の加熱後に、前記モールドを前記光反応性樹脂から離型する。さらに、前記方法では、前記モールドの離型後に、前記光反応性樹脂を洗浄液で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 照明系と検出系の配置上の干渉を避け、基板と型に形成されたマークを同時に検出する検出系の検出開口数を上げて、基板と型のアライメント精度を向上させることができるインプリント装置を提供する。
【解決手段】 本発明のインプリント装置は、パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材にパターンを転写するインプリント装置であって、受光素子と、基板に形成されたマークと型に形成されたマークに光を照射し、基板に形成されたマークと型に形成されたマークから反射した光を受光素子に導く検出系と、リレー光学系と、を備え、リレー光学系は型を介してマークから反射した光をリレー光学系と検出系の間で結像させ、検出系はリレー光学系が結像させた光を受光素子に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】頂部の位置が異なるパターンの種類が増えても工数を増やすことなく作製できるインプリントモールドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持板体１１表面に所定深さの凹部１２を形成する凹部形成工程Ｓ１２と、
この凹部及び支持板体表面に開口する樹脂被覆１６Ｂをパターニングして形成する樹脂パターニング工程Ｓ１５と、
開口部１６ｂ内に充填して充填部１８を形成する充填部形成工程Ｓ１６と、
樹脂被覆を除去する樹脂剥離工程Ｓ１７と、
を有し、
凹部の深さ寸法ｈ１と充填部の高さ寸法ｈ２とを組み合わせて、凹部の底面１２ａを基準とする複数の異なる高さ寸法を有する凸部を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に塗布膜を効率よく形成し、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】ウェハ処理装置において、ウェハＷの表面Ｗ_１に紫外線を照射し、当該表面Ｗ_１を洗浄する（図１８（ａ））。その後、ウェハＷの表面Ｗ_１全面に密着剤Ｂを塗布し（図１８（ｂ））、当該密着剤Ｂを焼成した後（図１８（ｃ））、密着剤Ｂをリンスして、ウェハＷ上に密着膜Ｂ_Ｆを成膜する（図１８（ｄ））。その後、ウェハＷの密着膜Ｂ_Ｆ上に光重合開始剤を有するレジスト液Ｒを塗布する（図１８（ｅ））。その後、ウェハＷ上のレジスト液Ｒに所定の光量の紫外線を照射し、当該レジスト液Ｒを、ウェハＷ上で拡散せず、且つ凝集しないような流動性を有する半硬化状態にする。そして、ウェハＷ上に半硬化状態のレジスト膜Ｒ_Ｆを成膜する（図１８（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの形成において、残膜をエッチングする工程後のレジストパターンの凸部の幅が、残膜をエッチングする工程前におけるレジストパターンの凸部の幅以上の所望の幅となることを可能とする。
【解決手段】凹凸パターンが転写されたレジスト膜２の残膜エッチング工程が、エッチングの際に堆積物４を生成する堆積性ガスを含有する第１のエッチングガスを用いて、レジストパターンにおける凸部の側壁に堆積物４が堆積しかつ残膜がエッチングされる条件でレジスト膜２をエッチングする第１のエッチング工程を含み、堆積物４を含めた上記凸部の幅が残膜エッチング工程前における上記凸部の幅以上の所望の幅となるように第１のエッチング工程以後の工程によってレジスト膜２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】金属配線と配線基板の密着性の向上を図ることができるインプリントモールドを提供する。
【解決手段】基材２と、所定のパターンを転写可能とする基材２の主面表面に形成された凸部４とを備え、凸部４の頂部４１の周縁部４２の少なくとも一部に溝４５が設けられているインプリントモールド１。 （もっと読む）

【課題】押印工程の迅速化を図ることができるインプリント装置及び物品の製造方法を提供する。
【解決手段】インプリント装置１が、レジスト供給装置２２を制御して、モールド２と基板４との間の間隙がレジスト３で満たされるように、レジスト３を基板上に供給する。そして、インプリント装置１が、モールド２と基板４との間の間隙がモールド２で満たされた状態で、モールド２を基板４に押し付けることによって、基板４上にパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】テンプレートを剥離する際に破壊されにくいパターン形成方法及びこのパターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に、第１の感光剤及び第２の感光剤を含有した未硬化のインプリント剤２を塗布し、このインプリント剤２にテンプレート３を押し付ける。そして、インプリント剤２にテンプレート３を押し付けたまま、波長が３６５ｎｍの光を照射し、第１の感光剤を反応させて、インプリント剤２を半硬化状態とする。次に、テンプレート３をインプリント剤２から剥離する。次に、波長が２４８ｎｍの光を照射し、第２の感光剤を反応させて、インプリント剤２を全硬化状態とする。 （もっと読む）

【課題】光ナノインプリントによって形成した微細構造加工体の表面の残留層を溶媒によって除去する簡便な微細構造加工体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に光重合性前駆体を塗布する工程と、表面に微細な凹凸パターンを有するモールドを前記光重合性前駆体に押し当てる工程と、前記光重合性前駆体に光を照射する工程と、前記モールドを取り除く工程と、を含む光ナノインプリントによって形成された微細構造加工体の製造方法であって、この微細構造加工体の残留層を加水分解によって除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができる基板処理方法及びインプリント装置を提供する。
【解決手段】第１のテンプレートに形成されたパターンを、半導体基板上に配置された流動性材料としてのレジスト１５０に転写する第１のインプリント処理と、第１のインプリント処理とは異なるインプリント処理対象の第２の半導体基板の検査処理、第２のテンプレートに形成されたパターンの表面への剥離材１４０の塗布処理、及び、第１のインプリント処理前に実施された第３のテンプレートに形成されたパターンを半導体基板上に配置されたレジスト１５０に転写するインプリント処理において用いられた前記第３のテンプレートの検査と第３のテンプレートの検査により再利用可能と判定された場合に行う第３のテンプレートの洗浄を実施する検査・洗浄処理、の少なくともいずれか一つの処理と、を同一の処理チャンバ内で並行して行う。 （もっと読む）

【課題】薄膜にスタンパを押し当てて凹凸パターンを形成した場合に、基板表面の隣接する凸部間に実質的に残膜が存在しない凹凸パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板表面に形成され、硬化性材料を主成分として含む薄膜に、弾性材料から構成される凹凸型が設けられたスタンパを押し当てた状態で、加熱及び／又は光照射を付与することにより、前記基板表面に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程を含み、且つ、下式（１）を満たす凹凸パターン形成方法。
・式（１） Ｈ（薄膜）＜Ｈ（凹凸型）＜Ｈ（凸部）
〔式（１）中、Ｈ（薄膜）は、上記凹凸パターン形成工程実施前の上記薄膜の硬度、Ｈ（凹凸型）は上記凹凸型の硬度、Ｈ（凸部）は、上記凹凸パターン形成工程実施後の上記凹凸パターンを構成する凸部の硬度を表す。〕 （もっと読む）

【課題】本発明は、損傷や白化を生ずることなく、樹脂板を目標角度にシャープに折曲げることができる折曲げ装置を提供する。
【解決手段】可撓性を有する樹脂板の折曲げ端部を突出させて固定する曲げ型３１と、樹脂板を曲げ型３１のウェッジ部３５ａに沿って所定の角度に塑性変形するように折曲げる折曲げ機構部３２と、から成る折曲げ装置３であって、折曲げ機構部３２は、ウェッジ部３５ａに対して平行に対峙する曲げローラ３７と、曲げローラ３７をウェッジ部３５ａに倣って移動させて折曲げ動作させる曲げ動作機構３４と、曲げローラ３７を回転駆動するローラ駆動機構５５と、折曲げ動作において、曲げローラ３７と樹脂板との接触面において相対速度がゼロとなるように、ローラ駆動機構５５を制御する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】モールドの凹凸追随性が良好で熱処理時の膜厚減少が小さい、良好な形状のレジストパターンが得られる感光性組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも、１分子中に、以下の重合性モノマー（Ａ）を０．０１〜９９．９９質量％、１官能以上の重合性モノマー（Ｂ）（重合性モノマー（Ａ）に相当するものを除く）を０〜９８質量％、光重合開始剤を０．１〜１５質量％含有する感光性組成物であって、
前記重合性モノマー（Ａ）は、１分子中に、１種類以上のエチレン性不飽和二重結合を有する官能基Ｘと、１種類以上の官能基Ｙを有し、下記露光条件で露光した時の反応率が、官能基Ｘは５０％以上、官能基Ｙは５０％未満であり、かつ下記露光条件で露光した後、さらに、２００℃で３０分間熱処理した後の官能基Ｘおよび官能基Ｙの反応率が共に８０％以上である、感光性組成物。
露光条件：重合性官能基として、１種類の官能基のみを有する重合性モノマー１００質量部に対して、光重合開始剤として２、２−ジメトキシ−１、２ジフェニルエタン−１−オンを５質量部添加した組成物を基板上に乾燥膜厚が６μｍになるように塗布した塗膜を高圧水銀灯で１００ｍＪ／ｃｍ^２の条件で露光する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐久性に優れた微細構造転写用スタンパを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、基体１０２の片面側に形成された微細パターン１０１を被転写体に接触させて、前記被転写体の表面の樹脂層に前記微細パターン１０１を転写するための微細構造転写用スタンパ１００において、前記基体１０２の両面のうち少なくとも一方の面側に少なくとも１層の薄膜１０３が設けられ、前記基体１０２と前記薄膜１０３とは、線膨張係数が異なっており、前記基体１０２は、前記薄膜１０３に生起した内部応力によって微細パターン１０１側が凸となるように湾曲していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】位置ずれを抑制して、基板に成形部を高精度で成形することができる合成樹脂の成形装置を提供する。
【解決手段】加熱で軟化若しくは液状化させた合成樹脂５４をスタンパ金型６０で押圧して、基板５０に複数個の成形部５５を同時に成形した後に、冷却工程を伴う合成樹脂の成形装置である。スタンパ金型６０と基板５０とに、スタンパ金型６０の押圧時に相互に嵌合する凸部６０ｂと凹部５０ｂとを相対的に設ける。この嵌合部６５の位置規制により、冷却時の収縮に伴うスタンパ金型６０と基板５０との位置ずれｄを抑制する。 （もっと読む）

テンプレート、およびリソグラフィを目的とした、ナノ構造を用いてナノスケールで高アスペクト比テンプレート、スタンプおよびインプリンティングを製造する方法、ならびに材料および製品に穿孔するためのテンプレートの使用。
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