【課題】エアベアリング面の段差の低減を図れかつ表面平滑性の高い磁気ヘッドスライダ用焼結体、これを用いた磁気ヘッドスライダ、及び磁気ヘッドスライダ用焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＴｉＣ及びＸＣの少なくとも一方と、Ｔｉ及びＸを含む炭化物と、Ａｌ_２Ｏ_３と、遊離炭素とを有し、１００体積部のＡｌ_２Ｏ_３に対して、ＴｉＣ及びＸＣの少なくとも一方、及び、Ｔｉ及びＸを含む炭化物を合わせた総炭化物を２５〜１６０体積部含み、Ａｌ_２Ｏ_３及び総炭化物の合計１００体積部に対して遊離炭素を１〜１５体積部含む磁気ヘッドスライダ用焼結体（但し、ＸはＴａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ及びＣｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素である。）。 （もっと読む）

【課題】肉厚のパイプ等であっても、内部までケイ化反応した多孔質ＳｉＣ焼結体を提供すること。
【解決手段】本発明は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）と炭素（Ｃ）とを含み、かつ、気孔率が40〜85％の成形体中に、ＳｉＯガスを透過させることを含む多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法であって、ＳｉＯガスを発生させる原料を、成形体中の炭素（Ｃ）と原料中のＳｉとのモル比（Ｃ：Ｓｉ）が１：３〜１：７となるような量で用い、かつ、成形体中にＳｉＯガスを透過させる際の成形体の温度が1800〜2000℃である、多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガス分離材における支持体（基材）等に適した窒化ケイ素多孔質体を形状精度よく製造し得る方法、及び、係る多孔質体を用いたガス分離材を提供する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素多孔質体の製造方法では、金属Ｓｉ粉末と金属Ａｌ粉末と酸化イットリウム粉末Ｙ₂Ｏ₃と酸化アルミニウム粉末Ａｌ₂Ｏ₃とを含む成形用材料を所定の形状に成形し、該成形体を仮焼した後、窒化可能な雰囲気中で反応焼結させる。このときの仮焼温度及び反応焼結温度は、Ｘ線回折パターンにおける酸窒化物のピーク強度Ｘ_ONとβ型窒化ケイ素のピーク強度Ｘ_SiNとの強度比（Ｘ_ON／Ｘ_SiN）が２０〜４０であり、且つ、３点曲げ強度（２５℃）が７０ＭＰａ以上である窒化ケイ素多孔質体が形成されるように決定される。本発明のガス分離材は、該多孔質体から構成される基材１４と、その上に形成されたガス分離膜１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】様々な形状及び寸法を有する炭素を含有する多孔質の中間品を、高品質で、また特に、明確な相組成と高度の均質性とを有する成形体として製造することのできる、ケイ素浸透方法を提案する。
【解決手段】ケイ素及びバインダ材料を含有する均質な被着物質から成る可撓性を有する薄層体を、圧延成形、型成形、または押出成形により製作するステップと、炭素を含有する成形体に、前記薄層体を被着するステップと、前記薄層体を被着した前記成形体を、真空下で、ケイ素浸透度の目標値に応じて制御される数分間から数時間の加熱処理時間に亘って、１４００℃以上の温度で加熱処理するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 焼結後のセラミックス基材内の焼結助剤分布を均一化することによって、以上述べた焼結後の熱処理による増加変形量を低減すること、即ちセラミックス基材の高温での熱処理時に生ずる変形量を小さくする。
【解決手段】 焼結助剤を含むセラミックス基材であって、蛍光Ｘ線によるその一方の主面側および他方の主面側の主成分元素の検出強度に対する焼結助剤成分元素の検出強度の比を、それぞれａおよびｂとし、ａ＞ｂとした場合に、ａ／ｂ≦１．３であるセラミックス基材を提供する。 （もっと読む）

【課題】 反りや変形がなく、寸法精度に優れた板状の窒化アルミニウム焼結体、及びその表面に金属化層を設けた半導体用基板として好適な窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 成形体の厚み方向及び表面方向の密度バラツキを制御し、この成形体を焼成することにより、反り量が３５μｍ／１０ｍｍ以下、厚みのバラツキが１６０μｍ／ｍｍ以下の窒化アルミニウム焼結体を得る。密度のバラツキを制御した上記成形体は、表面粗さがＲａで０.１μｍ以下の成形面を有する成形型を用い、成形体の加圧方向断面積Ａ（ｍｍ^２）と成形圧力Ｓ（ｋｇ／ｍｍ^２）とがＳ／Ａ≧０.００２の関係を満たす条件下で成形する。 （もっと読む）

【課題】 直接窒化法による、歪みや転位あるいは亜粒界の量が多いＡｌＮ原料粉末を用いて、高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を安価に提供する。
【解決手段】 Ｘ線回析におけるＡｌＮの（２１３）面の２θの半値幅が０．３５ｄｅｇ以上であるＡｌＮ原料粉末７０〜９９．９重量％と、半値幅が０．３５ｄｅｇ未満であるＡｌＮ原料粉末３０〜０．１重量％とを混合し、混合物を形成して焼結することにより、単一粒子内の転位密度が１０μｍ／μｍ^３以下で熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程あるいは液晶パネル製造工程で用いられる基板処理装置用部材等を構成する窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】
β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とし、β−ＲＥ_２Ｓｉ_２Ｏ_７（ＲＥは周期律表第３族元素）を３体積％以上、２０体積％以下の範囲で含有してなり、室温における熱膨張係数が１．４×１０^−６／Ｋ以下、室温における熱伝導率が２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素質焼結体を提供することができ、特に半導体製造装置用部材・液晶製造装置用部材として用いた際に、温度変化が生じた際においても熱膨張の非常に小さい焼結体であるため、位置精度を高いものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素焼結体本来の特性である高強度、耐摩耗性、耐熱性等を損なうことなく、さらに酸やアルカリ等の化学薬品に対しても優れた耐薬品性（耐腐食性）を示す窒化けい素焼結体の製造方法、それを用いた耐薬品性部材の製造方法および軸受部材の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ・Ａｌ_２Ｏ_３スピネル構造体を０．５〜６重量％、炭化けい素を０．１〜２０重量％、酸化けい素を１重量％以下、酸化アルミニウムを０．５〜３重量％含み、残部が実質的に窒化けい素から成るセラミックス混合体を調製し、得られたセラミックス混合体を成形後、焼成することを特徴とする窒化けい素焼結体の製造方法である。得られる窒化けい素焼結体は、耐薬品性部材や軸受部材１，２，３として使用される。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム質焼結体の強度、靭性を向上させる。
【解決手段】窒化アルミニウム粉末に周期律表第３ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜３０重量％含み、第４ａ族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜３０重量％含み、さらに第６ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜５重量％含む窒化アルミニウム質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】 高温下でハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに曝されても腐食や摩耗が少なく、かつパーティクルの発生が極めて少ない窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム質焼結体中にＡｌ、Ｎ、Ｏを合計で９９．５重量％以上含み、ＡｌＮを主結晶相とするとともに、他の結晶相として上記Ａｌ、Ｎ、Ｏの３成分を含む化合物を含有し、上記焼結体をＸ線回折（Ｘ線の発生源：銅）にて測定した時、上記ＡｌＮの回折ピーク強度Ｉ１（面間隔：２．６８乃至２．７１）に対する上記化合物の回折ピーク強度Ｉ２（面間隔：２．５６乃至２．６２）の強度比（Ｉ２／Ｉ１）が１〜８％で、かつ面間隔：１．５２乃至１．５３７と上記ＡｌＮの（１０１）面の面間隔乃至上記ＡｌＮの（００２）面の面間隔とに回折ピーク強度を実質的に持たないようにする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率および反射率がともに高い発光素子収納用窒化アルミニウム焼結体の提供
【解決手段】窒化アルミニウムを主成分とし、窒化ホウ素を含有することを特徴とする発光素子収納用窒化アルミニウム焼結体。窒化ホウ素は、常圧相窒化ホウ素、なかでも六方晶窒化ホウ素であることが望ましい。また、窒化ホウ素の含有量は0.5〜10質量％であることが望ましい。
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有機元素プレカーサーポリマーの熱分解によりプレカーサーセラミックを製造する方法が提案されている。この場合、炭素ナノチューブがプレカーサーセラミックと結合され、かつ有機元素プレカーサーポリマーの分解の際に生成される遊離炭素の量を調節して、プレカーサーセラミック中で化学量論的炭素含有量又は化学量論から大きく異なる炭素含有量が存在するように前記結合を実施する。 （もっと読む）

【課題】 強度や破壊靭性などの機械的特性及び耐熱衝撃性を向上させた弁部材を提供すること。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなり、液体の流路の少なくとも一部を構成する溝または穴部を備えた液体用の弁部材であって、該弁部材を成す窒化珪素質焼結体は、窒化珪素を主成分とする結晶相と、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｕのうち少なくとも１種の第１の金属元素の珪化物からなる第１金属珪化物および上記第１の金属元素よりも融点の高い第２の金属元素の珪化物からなる第２金属珪化物を含む粒界相とを有し、且つ上記溝または穴部の表面における上記第１の金属珪化物および第２の金属珪化物のそれぞれの濃度が上記窒化硅素質焼結体の内部より低いことで耐熱衝撃性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】例えば容積が３０００ｃｍ^３以上の大形品にして３０ＭＰａの曲げ強度を有する窒化ホウ素焼結体を、焼結助剤を用いなくても、容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素粉を含む一軸加圧成形体に、第１と第２の少なくとも２回の冷間等方圧加圧処理を増圧して行った後、焼成することを特徴とする窒化ホウ素焼成体の製造方法。この場合において、第２の冷間等方圧加圧処理の圧力が、第１の冷間等方圧加圧処理の圧力の１．５〜５倍であることなどが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム溶湯等への浸漬において珪素の溶出を抑えることができる被膜付き多孔質構造体および被膜付き多孔質構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 被膜付き多孔質構造体は、実質的に炭化珪素、炭素またはこれらのうち少なくとも一方と珪素とからなる複合材料により構成され、３次元的な網目構造を形成する骨格部と、実質的に窒化珪素により構成され、骨格部の表面を被覆する被膜と、を備える。表面が窒化珪素の被膜により被覆されているため、表面の金属への付着性（ぬれ性）を低くし、金属溶湯への珪素の溶出を低減することができる。たとえばアルミニウム等の溶湯へ浸漬したときに珪素の溶出を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 導電体や抵抗体として有用な導電性窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム−希土類化合物、窒化アルミニウム−アルカリ土類化合物、又は窒化アルミニウム−希土類化合物−アルカリ土類化合物系にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を外掛けで０．３〜１２重量％含む混合物を成形し、焼結してなる導電性窒化アルミニウム焼結体であり、相対密度９５％以上の窒化アルミニウム焼結体の粒界部にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含む窒化アルミニウム燒結体である。
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【課題】各種性能に優れるメタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体を製造する
【解決手段】表面に配線パターンを形成した２枚以上の窒化アルミニウム粉末のグリーンシートを積層し、1100〜1500℃の温度範囲で、かつ実質的に窒素および水素からなる雰囲気下で連続的に脱脂および脱炭を行い、カーボン炉を用い、脱炭後の窒化アルミニウム成形体を耐火性金属からなるセッター２上に載置して、これらを酸化物系セラミックス焼結体の容器３に収容し、1700〜1900℃の温度範囲で、かつ窒素雰囲気下で行ってメタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体１を製造する。
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【課題】より低誘電率を有する絶縁層を形成可能にする絶縁ペーストを提供する。
【解決手段】窒化窒化硼素化合物、ガラス粉末および有機ビヒクルを含むことを特徴とする絶縁ペーストとする。窒化硼素化合物は黒鉛化指数3.5以下の窒化硼素であることが好ましく、ガラス粉末の非誘電率が7以下であることが好ましい。 （もっと読む）