【課題】窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】厚さ１．５ｍｍ以下の窒化けい素焼結体表面に幅が１μｍ以上のマイクロクラックがなく、幅が１μｍ未満のサブミクロンクラックが単位面積１００μｍ^２当たりに０〜２個である窒化けい素焼結体から成り、一定条件下での電流リーク値が４２０ｎＡ以下、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上、残留炭素含有量が５００ｐｐｍ以下である窒化けい素セラミックス基板２に金属回路板を設け、半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、窒化けい素セラミックス基板２は、粒界相中における結晶化合物相の割合が２０％以上であり、ＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜３．０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】 バラツキが小さく、所望の大きさの気孔径を有する多孔質炭化ケイ素焼結体を製造する。
【解決手段】バラツキが小さく、所望の大きさの気孔径を有する多孔質炭化ケイ素焼結体を製造する方法を提供することを目的とし、本発明の多孔質炭化ケイ素焼結体の製造方法は、少なくとも炭化ケイ素粉末とケイ素粉末とバインダとを含む原料組成物を用いて炭化ケイ素成形体を作製する成形工程と、
上記炭化ケイ素成形体に脱脂処理を施して、炭化ケイ素脱脂体を作製する脱脂工程と、
上記炭化ケイ素脱脂体に焼成処理を施して、多孔質炭化ケイ素焼結体を作製する焼成工程とを含む多孔質炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、
上記原料組成物において、上記ケイ素粉末の含有量は、上記炭化ケイ素粉末と上記ケイ素粉末との合計量の１〜３重量％であり、
上記焼成工程において、炭化ケイ素粉末同士が相互拡散により粒子間ネックを形成しうる温度で焼成処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 炭化硼素の持つ高い比剛性を利用した高比剛性複合材料でありながら研削性が優れた複合材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素・炭化珪素・炭素源を主成分とする原料を成形して充填率が６０−８０％の成形体を製造する成形工程と、該成形体に熔融シリコンを含浸させることにより炭素を炭化珪素に転換させる反応焼結工程を備えたことを特徴とする、炭化硼素・炭化珪素・シリコンを主成分とする複合材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】使用されたディーゼル粒子フィルタの濾過性能を高めるために、カーボンブラック粒子を堆積することができる表面積をできる限り大きくする必要がある
【解決手段】ケイ素含有粒子からなる材料を、ポリアミドの存在で熱分解する、ディーゼル車両用の、再生可能なセラミックの粒子フィルタの製造方法。前記方法から製造された粒子フィルタは＞３５０ｍ²／ｌのＢＥＴ表面積を有する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱衝撃性に優れたハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】 本発明のハニカム構造体１は、セラミックス粒子と、セラミックス粒子同士を結合する結合材と、を有する多孔質セラミックスよりなるハニカム構造体１であって、セラミックス粉末は、１０％粒径（Ｄ１０）と９０％粒径（Ｄ９０）との間隔が１０μｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銃弾，砲弾等の飛翔体の貫通性能が飛躍的に高くなっているが、それらに対して、十分に防護できる防護部材を提供する。
【解決手段】受衝部２をセラミックスで構成し、受衝部２の裏面側に位置する基部３を受衝部２より熱膨張係数の低い材質で構成した防護部材１とすることにより、基部３には圧縮力がかかった状態が維持されるため、着弾した銃弾や砲弾の貫通を阻止する性能が向上する。また、受衝面２ａで発生したクラックの進行は、基部３との境界で止められるため、前記両材質の特性が十分に発揮され、相乗効果により防護性能を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本来備える高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素焼結体の製法を提供する。
【解決手段】酸素を１．７重量％以下、不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下、α相型窒化けい素を９０重量％以上含有し、平均粒径１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して２．０〜１７．５重量％，Ｍｇを酸化物に換算して０．３〜３．０重量％添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後、温度１７００〜１９００℃で焼結し、上記焼結温度から、１５００℃までの冷却速度を毎時１００℃以下にして徐冷することにより、粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合を２０％以上とすることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐チッピング性を改善した窒化珪素質焼結体および切削工具ならびに切削加工装置、切削方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素質焼結体は、窒化珪素結晶粒子を主体とする結晶相と、前記窒化珪素結晶の粒界にある非結晶の粒界相とを具備する。粒界相は、ランタン、アルミニウム、マグネシウム、珪素及び酸素を含む。前記焼結体は、ランタンを酸化物換算量で０．１質量％以上、アルミニウムを酸化物換算量で０．０５〜０．６質量％、マグネシウムを酸化物換算量で０．３質量％以上、酸素を酸素量が２．５質量％以下含有する。ランタンの酸化物換算量、アルミニウムの酸化物換算量およびマグネシウムの酸化物換算量の合計が３．５質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を利用した半導体歪みセンサと比較してさらに高感度の半導体歪みセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪素源と炭素源と触媒を含む液状混合物を容器内に供給し、容器を乾燥室内に導入し、乾燥室内で液状混合物を硬化乾燥することにより、固形物を生成し、生成された固形物を加熱炉内に導入し、加熱炉内で固形物を炭化，焼成し、炭化，焼成された固形物を粉砕することによりβ型の炭化珪素粉体を生成し、β型の炭化珪素粉体と非金属系燃結助剤を混合，造粒することにより造粒体を生成し、生成された造粒体を焼結させることにより炭化ケイ素焼結体を形成し、炭化ケイ素焼結体表面に炭化ケイ素焼結体の歪みに伴う抵抗率の変化を検出するための電極を付設する。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３０質量％含有し、気孔率が３８〜８０％の炭化珪素質多孔体である。 （もっと読む）

【課題】フィルタとして用いたときに捕集された粒子状物質（ＰＭ）を燃焼除去する際に、昇温し過ぎることを防止することができる炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】骨材としての複数の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子と、炭化珪素粒子同士を結合させる結合材とを有し、結合材の含有率（１００×結合材／（炭化珪素粒子＋結合材））が５〜７０体積％であり、開気孔率が３０〜７０％であり、結合材が、Ｔｉの珪化物、Ｚｒの珪化物、Ｍｏの珪化物及びＷの珪化物からなる群から選択される少なくとも一種を、結合材全体の６０体積％以上含有する炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】フィルタとして用いたときに捕集された粒子状物質（ＰＭ）を燃焼除去する際に、昇温し過ぎることを防止することができるとともに、熱サイクルによる強度低下の少ない炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】骨材としての複数の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子と、炭化珪素粒子同士を結合させる、複数の相からなる結合相とを有し、結合相のなかで、最も大きな体積を占める相が、Ｓｉ相又は、４０〜８００℃の線熱膨張係数がＳｉより３×１０^−６（℃^−１）以上高い値のＴｉの珪化物、Ｚｒの珪化物、Ｍｏの珪化物及びＷの珪化物からなる群から選択される少なくとも一種からなる相（金属珪化物相）の、いずれか一方であり、次に大きな体積を占める相が、Ｓｉ相又は金属珪化物相の、残りの一方であり、結合相が、Ｓｉ相を、結合相全体の２０〜８０体積％含有する炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】室温から高温度までの広い使用温度範囲において優れた構造強度，耐食性，耐久性等を有し、小型で複雑形状を有する構造体であっても高い寸法精度で容易かつ効率的に製造することが可能な反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】中子７を用いて成形され、その中子７の形状に対応する細孔５を内部に有する成形体であって、炭化ケイ素粉末と炭素粉末とを含有する成形体を形成し、この得られた成形体に対して脱バインダー処理を実施した後にこの脱脂体を加熱し、溶融シリコンを含浸して反応焼結せしめて一体の焼結体とすることを特徴とする反応焼結炭化ケイ素構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 圧力損失が低く、高い強度を有するハニカムを製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化ケイ素粉末、バインダ及び添加材を含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記原料組成物は、上記炭化ケイ素粉末として、炭化ケイ素粗粉末と上記炭化ケイ素粗粉末より平均粒子径（Ｄ５０）の小さい炭化ケイ素微粉末とを含むとともに、上記添加材として、金属酸化物粉末を含み、上記金属酸化物粉末の上記原料組成物中の配合量は、０．８〜４．０重量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気孔径のバラツキが小さく、高い強度を有するハニカム構造体を製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも炭化ケイ素粉末とバインダとを含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記脱脂処理は、脱脂温度２５０〜３９０℃、雰囲気中のＯ_２濃度５〜１３体積％で行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高強度、高靭性を得るとともに、ばらつきを抑えたシリコン／炭化珪素複合材とその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素と炭素の混合造粒粉を、成形、仮焼して、混合造粒粉間の最大空隙幅が１μｍ以下である仮焼前駆体を形成し、この仮焼前駆体を、溶融シリコンに含侵、焼成する （もっと読む）

【課題】高熱伝導率を維持しながら、基板表面の反射率を向上できる窒化アルミニウムセラミック基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数枚の窒化アルミニウムセラミックグリーンシートを積層した積層体を焼成して形成する焼成体からなる窒化アルミニウムセラミック基板１０において、焼成体が積層体を温度１６０〜２４０℃、時間１時間以上大気中で乾燥した後に焼成して形成され、焼成体の表面に直径０．５〜５μｍの多数の空隙穴を分散して有し、見掛け比重が２．８０〜３．１０からなると共に、焼成体の表面の反射率がＢａＳＯ_４を塗布した金属球における可視光領域の光の反射率を１００とした時の６０％以上からなる。 （もっと読む）

【課題】 釣糸の案内や時計等に用いられる装飾部品の色調の好みは十人十色であるが、銀色に赤みを帯びるという装飾的価値が高い色調を醸し出すとともに、耐磨耗性に優れた装飾部品用セラミックスは提供されていなかった。
【解決手段】 炭窒化チタン質焼結体からなり、表面にニッケル，クロムおよびこれらの珪化物と窒化珪素とを含む装飾部品用セラミックスである。本発明の装飾部品用セラミックスによれば、耐磨耗性に優れるとともに、炭窒化チタンが呈する金属光沢を有する茶褐色系の色調と、クロム、ニッケルおよびこれらの珪化物が呈する銀色系の色調と、窒化珪素が呈する黒色系の色調とのバランスが合って、ＣＩＥ1976Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系において、明度指数Ｌ＊が60〜71であり、クロマティクネス指数ａ＊が４〜９であり、ｂ＊が７〜10であり範囲の、銀色に赤みを帯びるという装飾的価値の極めて高い色調を醸し出すことができる。 （もっと読む）

【課題】靱性を高くすることができる炭化硼素質焼結体および防護部材を提供する。
【解決手段】炭化硼素を主成分とし、炭化珪素およびグラファイトを含む炭化硼素質焼結体であって、炭化硼素からなる主結晶粒子１の粒界に針状の炭化珪素粒子５が存在するとともに、該針状の炭化珪素粒子５と主結晶粒子１との間に、炭化珪素からなる介在結晶相６が存在するので、炭化珪素からなる介在結晶相６が針状の炭化珪素粒子５と主結晶粒子１とに接触し、炭化硼素を介在結晶相６、針状の炭化珪素粒子５で連結し、アンカー効果により靱性を向上できるとともに、仮に、クラックが発生したとしても、介在結晶相６および針状の炭化珪素粒子５でクラックの進展が抑制され、炭化硼素質焼結体の靱性を大きくすることができ （もっと読む）