【課題】 高密度および高強度を有し、窒化チタン系の膜を成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化チタン粉と酸化チタン粉とを焼結したスパッタリングターゲットであって、Ｎ：３０〜４３ａｔ％、Ｏ：９〜２７ａｔ％を含有し、残部がＴｉおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｏ／Ｔｉ原子比が２未満の酸化チタンを含む焼結体からなり、該焼結体の密度が４．４ｇ／ｃｍ^３以上である。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、窒化チタン粉と酸化チタン粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結する工程とを有し、前記酸化チタン粉の少なくとも一部をＯ／Ｔｉ原子比が２未満の酸化チタン粉とし、この酸化チタン粉を窒化チタン粉と混合する。 （もっと読む）

【課題】本発明では、電気抵抗率の温度変化依存性が抑制されたハニカム構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】セル壁によって区画されたセルを有する柱状のハニカムユニットを含むハニカム構造体であって、前記セル壁は、炭化ケイ素粒子を含み、前記炭化ケイ素粒子の表面には、窒素含有層が形成されていることを特徴とするハニカム構造体。 （もっと読む）

【課題】大面積樹脂フィルム上への連続的かつ均一な窒化チタン膜の工業的な成膜を可能とする。
【解決手段】平均粒径が０．４〜１．５μｍのＴｉＮ粉末を用い、分散剤を、ＴｉＮ粉末１００質量部に対して０．５〜２．０質量部添加し、湿式粉砕し、噴霧乾燥し、９８〜２９４ＭＰａの圧力で成形し、大気圧還元性雰囲気で４００〜１０００℃で還元処理した後、大気圧窒素雰囲気中で、１８００〜２１００℃の温度で焼成し、加工し、一般式：ＴｉＮ_xにおいて０．８≦ｘ≦１．０、相対密度：９３〜１００％、平均空孔径が０．１〜１．５μｍの窒化チタンスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】常圧で焼結することによって緻密な焼結体を得ることできるため生産性が高い導電性セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の導電性セラミックスの製造方法は以下の工程を備えている。第１のＺｒＢ₂粉末と第１のＳｉＣ粉末と第１の焼結助剤と第１の有機バインダーとを混合した混合粉末を圧縮して圧縮体が作製される（Ｓ１１）。圧縮体を一部液相化するように加熱焼結して焼結体が作製される（Ｓ１２）。焼結体が冷却される（Ｓ１３）。焼結体を粉砕して原料粉末が作製される（Ｓ１４）。原料粉末と、第２のＺｒＢ₂粉末、第２のＳｉＣ粉末および第２の焼結助剤の少なくともいずれかと、第２の有機バインダーとを混合して成形体が作製される（Ｓ１５）。成形体が常圧で焼結される（Ｓ１６）。 （もっと読む）

【課題】 常温のみならず高温においても体積抵抗率を高い値に維持することができる窒化アルミニウム焼結体、及び該窒化アルミニウム焼結体を少なくとも部分的に用いた半導体製造装置用又は検査装置用のウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブを内部に含んだ窒化アルミニウム粒子からなる窒化アルミニウム焼結体であって、その常温及び５００℃における体積抵抗率がそれぞれ１.０×１０^１３Ω・ｃｍ以上及び１.０×１０^８Ω・ｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】導電性と高い熱伝導率を有すると共に、高剛性で耐摩耗性に優れたＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ／Ｓｉ複合材料は、ＳｉＣ粒子の間にＳｉが充填された構造を有し、ＳｉＣの充填率ξが８６〜９４体積％であり、断面組織におけるＳｉスポットの最近接重心間距離が１０〜８０μｍである。そして、断面組織におけるＳｉスポットの平均直径が１〜２０μｍである。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び／または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び／または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び／または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相１０と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相２０とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 （もっと読む）

【課題】
高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
本発明によれば、バリウムと平均粒径５ｍｍ以下のシリコン粉末を用いて、珪化バリウム多結晶体とすることで、珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の最大直径が１５０μｍ以下であって、密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体を製造する。 （もっと読む）

【課題】信頼性や精度の高い複雑な形状も含みうる無機繊維結合セラミックス部品、及び短期間に低コストでクラックや欠け等の欠陥がなく、複雑形状の形成も可能な該部品の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ、Ｍ、Ｃ及びＯを含む非晶質物質、並びにβ−ＳｉＣ、ＭＣ及びＣを含む結晶質微粒子とＳｉＯ_２及びＭＯ_２を含む非晶質物質との集合体、のうち少なくとも１つからなる無機繊維と、Ｓｉ及びＯを含む非晶質物質、並びに結晶質のＳｉＯ_２及びＭＯ_２を含む結晶質物質、のうち少なくとも１つからなる無機物質と、Ｃを主成分とする境界層と、から構成される無機繊維結合セラミックス、及び主としてＳｉＣの焼結構造からなり、０．０１〜１質量％のＯ、及び特定の金属原子を含有する無機繊維と、Ｃを主成分とする境界層と、から構成される無機繊維結合セラミックスを放電加工する無機繊維結合セラミックス部品の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】導電性セラミックス焼結体は、ドーパントを含む半導体セラミックスの第一相１０と、非導電性セラミックスの第二相２０とを具備し、第二相が第一相に取り囲まれて散在している海島構造を有する。上記構成において、第一相は、第一相全体におけるドーパントの平均濃度よりドーパントの濃度が高く、第二相を被覆しているＤ高濃度相１１と、第一相全体におけるドーパントの平均濃度よりドーパントの濃度が低いＤ低濃度相１２とからなるものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】
低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
窒化ガリウムと金属ガリウムが成形物中で別の相として存在しており、かつ前記成形物全体におけるＧａ／（Ｇａ＋Ｎ）のモル比が５５％以上８０％以下であることを特徴とする金属ガリウム浸透窒化ガリウム成形物。 （もっと読む）

【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素発熱体，ハニカムを製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の製造方法は、炭化ケイ素と、ケイ素と、炭素と、アルミニウム原料と、を混合する工程と、混合物を焼成する工程と、を有する製造方法である。そして、アルミニウム原料の割合，焼成条件を調節することで、優れた抵抗値特性が得られるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】
高温状態から温度が下がってもイオン伝導度の低下を抑制することができるリチウムケイ素窒化物焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
リチウムケイ素窒化物焼結体は、主相にＬｉ_ＸＳｉ_ＹＮ_{１／３（Ｘ＋４Ｙ）}（但し、Ｘ＞０,Ｙ＞０）で表される組成を有するリチウムケイ素窒化物焼結体であって、上記リチウムケイ素窒化物焼結体はカルシウムを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造部材等の用途において必要な高密度、高硬度の二硼化チタン焼結体を製造するに際し、焼結温度をより低くして製造コストをより低くする。
【解決手段】Al₃Tiまたは、MをNi,Cr,Fe,Mo,Cuの１種類または２種類以上の組み合わせとして、(Al,M)₃Tiを主成分とした焼結助剤を用い、焼結助剤の重量割合を１０％以上５０％以下とし、TiB₂を主成分とした金属硼化物基本成分との混合粉末とした焼結材料を１０００℃で焼結しビッカース硬度５００以上、曲げ強度２００ＭＰａ以上の高緻密性、高硬度の二硼化チタン系焼結体を製造することができる。(Al,M)₃Tiを主成分とした焼結助剤の重量割合を２０％以上４０％以下とすることにより、１０００℃の温度の焼結温度でビッカース硬度８００以上、曲げ強度３００ＭＰａ以上の高緻密性、高硬度、高強度の二硼化チタン系焼結体とすることができる。 （もっと読む）

【課題】簡易に製造することができ、電気抵抗値を種々とすることが可能な導電性ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】導電性ハニカム構造体１は、導電性を有するセラミックスの焼結体で形成され、単一の軸方向Ｚに延びて列設された複数の隔壁１４により区画された複数のセル１５を備える基体１０と、基体の軸方向の一端に開口し、他端に至ることなく軸方向に延びるスリット部１１と、スリット部の内部に充填された、電気絶縁性または前記基体より電気伝導率の小さい、非焼結の充填材１２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、電気抵抗を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、窒化珪素粉末と炭素質物質とからなり珪素と炭素のモル比が０．５〜１．５である炭化珪素生成原料、及び、骨材としての炭化珪素粉末を含む混合原料で、単一の軸方向Ｚに延びて列設された複数の隔壁１４により区画された複数のセル１５を備えるハニカム構造の成形体を成形する成形工程と、成形体を非酸化雰囲気で焼成し、導電性の基体１０とする焼成工程と、基体を、軸方向の一端から軸方向に沿って他端に至ることなく切断してスリット部１１を形成する切断工程と、スリット部を、電気絶縁性または基体より電気伝導率の小さい充填材１２で充填する充填工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で製造することができ、広い範囲内で種々の比抵抗値をとることが可能な炭化珪素質セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】導電性を有する多孔質の炭化珪素質セラミックス焼結体であって、粒子表面に二酸化珪素層が形成されている。また、二酸化珪素層は、酸素濃度として０．４質量％〜４．８質量％が形成されている。更に、炭化珪素質セラミックス焼結体は、単一の方向に延びて列設された隔壁により区画された複数のセルを備えるハニカム構造に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、比抵抗値を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、導電性を有する多孔質の炭化珪素質セラミックスの焼結体を、所定の加熱温度で所定加熱時間にわたり酸化雰囲気下で加熱し、炭化珪素質粒子の表面に二酸化珪素層を形成させる酸化処理工程を具備し、該酸化処理工程における加熱温度及び／または加熱時間を変化させることにより比抵抗値の異なる導電性炭化珪素質多孔体を製造するものである。 （もっと読む）

【課題】 所望の導電特性に制御することができる炭化けい素質多孔体の製造方法を実現する。
【解決手段】 骨材としての炭化けい素粉末に、窒化けい素中のけい素成分とカーボンのモル比（Ｓｉ／Ｃ）が０．５〜１．５である窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末を所定量混合して成形し、得られた成形体を窒素雰囲気で焼成することにより、けい素源の窒化けい素と炭素源の炭素質固体とが反応して炭化けい素が生成して骨材をつなぐネックが形成された炭化けい素質多孔体を製造する製造方法であって、炭化けい素粉末に対する窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末の混合比により導電特性を制御する。 （もっと読む）

【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供すること。
【解決手段】 本発明の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、アルミニウムを含むアルミ原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の炭化ケイ素焼結体は、請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法を施してなることを特徴とする。 （もっと読む）