【課題】接合部同士の短絡が生じにくく、めっきやスパッタよりも接合強度が高い、金属焼結膜により金属部品同士を銅微粒子の焼結により接合する方法を提供する。
【解決手段】セラミック板表面に、銅微粒子（Ｐ）と分散媒（Ａ）を含む加熱接合材料からなるパターン化物を配置し、更に該パターン化物上に導電性金属板を配置後、該加熱接合材料を加熱、焼結して銅微粒子（Ｐ）焼結体からなる接合層（Ｌ）を形成することにより、
セラミック板と導電性金属板とが接合層（Ｌ）を介して接合されたセラミック接合体であって、前記銅微粒子（Ｐ）が平均一次粒子径２〜５００ｎｍの銅微粒子（Ｐ１）を含み、接合層（Ｌ）の空孔率が３〜３０体積％で平均空孔径が５〜５００ｎｍであり、厚みが０．００５〜０．５００ｍｍであることを特徴とする、セラミック接合体。 （もっと読む）

【課題】 高い精度で熱膨張が制御可能な金属基複合材料を実現する。
【解決手段】 本発明のある態様においては、少なくともある温度範囲で負の熱膨張を示す逆ペロフスカイト型マンガン窒化物の粉末と、金属相となる組成の単体金属または金属合金の粉末とを混合した混合粉を密閉状態において加熱することにより、金属相と逆ペロフスカイト型マンガン窒化物とが焼結により複合化されている熱膨張制御金属複合材料が提供される。また、熱膨張制御金属複合材料の製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と導体パターン層との強固な接合性を得ることができ、組立作業性を向上させることができるパワーモジュール用基板用の導体パターン部材を提供する。
【解決手段】導体パターン部材１０は、導体パターン層６とろう材箔９とを積層状態に仮固定してなり、導体パターン層６の表面にろう材箔９を溶接することにより形成された溶接部１２が、導体パターン層６の外縁の少なくとも対向する二辺に沿って又は前記二辺の端部に位置するように複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程のみによってセラミックス基材とアルミニウム合金等とを充分な強度で接合しつつ、優れた熱サイクル疲労特性が得られるセラミックスとアルミニウムとの接合方法を提供する。
【解決手段】２００〜４００℃に加熱した作動ガスとアルミニウム粉末とを、スプレーガンのノズルから噴出させ、セラミックス基材に衝突させてセラミックス基材上にアルミニウム皮膜を形成する工程と、アルミニウム皮膜とアルミニウム又はアルミニウム合金とをろう付けする工程と、を備えることを特徴とするセラミックスとアルミニウムとの接合方法を選択する。 （もっと読む）

【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２１と、第一の金属板２２と、第二の金属板２３と、を備えたパワーモジュール用基板２０であって、第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成されており、第二の金属板２３は、耐力が３０Ｎ／ｍｍ^２以下のアルミニウムで構成されており、第二の金属板２３とセラミックス基板２１との接合界面には、Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｇａ，Ｌｉのうちのいずれか１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、第二の金属板２３のうち接合界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】強磁場中で望ましくない干渉を引き起こす可能性のある強磁性特性を全く有しない強磁場中で使用するための筐体用の金属被覆及び低コストで信頼性の高いＳＡＷフィルタチップを取り付けるのに適する密閉マイクロ空洞を提供する。
【解決手段】セラミック１０用の金属被覆３０は、金属を有する基底層１２と、パラジウムを含み、層厚さが０．１〜５μｍの間にある接着層１４と、非強磁性材質のはんだづけ可能層１６と酸化保護層２０とを含み、接着層１４の材質がはんだづけ可能層１６の材質と異なる。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、金属板１２，１３には、Ａｇが固溶されており、金属板１２，１３のうちセラミックス基板１１との界面近傍におけるＡｇ濃度が０．０５質量％以上１０質量％以下の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メタライズ膜とセラミック枠体の接合強度が高いと共に、セラミック枠体の反りの発生を防止でき、メタライズ膜とＮｉめっき被膜の界面強度が高く、接合体の接合信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】ヒートシンク板１１と、セラミック枠体１２と、外部接続端子１３を有する高放熱型電子部品収納用パッケージ１０において、ヒートシンク板１１と外部接続端子１３に接合するセラミック枠体１２の当接部分に設けられるメタライズ膜１４が第１と第２のメタライズ膜１４ａ、１４ｂの２層構造からなり、セラミック枠体１２に設けられる第１のメタライズ膜１４ａがＷ、Ｍｏ、又はこれらの両方を含む高融点金属にセラミック枠体１２を構成するセラミック粉末を含有してなり、この上面に設けられる第２のメタライズ膜１４ｂがセラミック粉末を含有しない高融点金属からなる。 （もっと読む）

【課題】 ろう材を含む接合材を介した、セラミック基板と金属枠体との接合の信頼性が高い電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】 上面に電子部品の搭載部１ａを有するセラミック基板１と、セラミック基板１の上面にろう材５を含む接合材３を介して接合された、搭載部１ａを取り囲む金属枠体２とを備え、金属枠体２はろう材５よりも熱膨張係数が小さく、接合材３は、熱膨張係数が金属枠体２の熱膨張係数以下の金属粉末が加圧成型されてなる枠状のコア材４と、コア材４の表面を覆うとともに少なくともその表面近傍の金属粉末の間に含浸したろう材５とからなる電子部品収納用パッケージである。コア材４により接合材３の熱膨張係数を低減でき、接合強度を向上できるため、接合材３に作用する熱応力を小さくして接合材３の破壊を抑制することができるので、接合の信頼性が高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】金属部材とセラミッ部材との信頼性の高い接合が可能で、かつセラミック部材にクラックが発生することのない接合構造体、及びそのような接合構造体を備えた高信頼性の半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】金属からなる第１の部材１１と、この第１の部材１１に接合される、表面に金属層１２ａを有するセラミックからなる第２の部材１２と、第１の部材１１上から第２の部材１２の金属層１２ａ上に跨って配置される金属からなる第３の部材１３と、第１の部材１１および第２の部材１２の金属層１２ａと、第３の部材１３との間に配置されるろう材１４と、第３の部材１３の周囲にろう材１４により形成されるフィレット１５，１６とを具備し、第３の部材１３は、第１の部材１２と対向する部分にのみろう材１４の溜まり部となる面取部１７を備える接合構造体、及びこのような接合構造体を有する半導体素子収納用パッケージ。 （もっと読む）

【課題】最終製品だけでなく、レジスト膜印刷時にも反りのない状態とする、あるいは、必要に応じて若干の反りを生じさせるなどの反りを制御する。
【解決手段】セラミックス基板２の表裏両面に金属板６，７がろう付け接合されるとともに、その表面側の金属板６に回路パターンが形成されてなるパワーモジュール用基板３であって、両金属板６，７のうちの少なくとも表面側の金属板６の表面に、内部応力を圧縮応力とした反り制御用めっき被膜８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】気体のリークを防止できるほど良好な気密性を有し、かつ、接合部の強度が高いＡｌ合金-セラミックス複合材料接合体を提供する。
【解決手段】Ｍｇを０．５〜５質量％含んだＡｌ合金をマトリックスとしたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士が、その組成がＡｌ、Ｚｎおよび、その他不純物成分からなり、ＡｌとＺｎの質量比Ａｌ／Ｚｎが０．８５〜２．３３である接合材を用いてなる接合層を介して接合された接合体であって、前記接合層に接したＡｌ合金−セラミックス複合材料のマトリックスのＡｌ合金中に前記接合材のＺｎが拡散した拡散層を有する。 （もっと読む）

【課題】銀の融点より低温で接合でき、熱サイクルに対して優れた耐久性を備える接合層を得られる熱膨張係数が異なる部材の接合方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径５０ｎｍ以下の銀粒子３と、銀箔４または銀よりも縦弾性係数の小さい金属箔４とを、少なくとも一方は銀よりも熱膨張係数が小さい２種の部材１，２間に配置して加熱し、両部材１，２を接合する。平均粒子径５０ｎｍ以下の銀粒子と、平均粒子径２０μｍ以上の銀粒子または銀よりも縦弾性係数の小さい金属粒子とからなる混合粉末であり、且つ該銀粒子または金属粒子を該混合粉末全体の１０〜４０％の範囲の体積分率で含むろう材３を、両部材１，２間に配置して加熱し、両部材１，２を接合する。金属箔４、前記金属粒子は、表面に銀被覆層を備える。一方の部材１がＳｉまたはＳｉＣからなり、他方の部材２がＡｌまたはＣｕからなる。 （もっと読む）

【課題】多くの不純物酸素を含む低品位のケイ素粉末を出発原料として用いることができ、従来の成形、焼成プロセスを用いて、優れた機械特性と高熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素焼結体を製造し、パワーモジュール用基板に適した高熱伝導窒化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末に、ケイ素を窒化ケイ素に換算した際の比率において、０．５〜７ｍｏｌ％の希土類元素の酸化物と、１〜７ｍｏｌ％のマグネシウム混合物とを、上記ケイ素粉末に含まれる不純物酸素とマグネシウム化合物からの酸素との総量が０．１〜１．８質量％となるように混合し、該混合物を成形して窒化し、得られた窒化体を０．１ＭＰａ以上の窒素中で加熱して相対密度が９５％以上になるように緻密化し、得られた板状の窒化ケイ素焼結体の少なくとも一方の面に、マグネシウム、チタン、ジルコニウムのうち少なくとも一種の金属元素を含むろう材を用いて金属板を接合する。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール等の大電力電子部品の実装に好適な耐ヒートサイクル性に優れた金属セラミック回路基板及びこの基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体実装用絶縁基板においてはセラミックス基板の少なくとも一部の面にアルミニウムを主とするシリコン、銅、亜鉛またはニッケルを含有する金属層を形成し、金属層のビッカース硬度が25以上、40未満とする。セラミックス基板はアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素から選ばれる一種とする。セラミックス基板の他面に半導体チップを設けパワーモジュールとする。 （もっと読む）

【課題】 金属−セラミックス接合基板に金属ベース板を固定した後に、セラミックス基板にクラックが生じるのを防止することができる、金属−セラミックス接合基板を提供する。
【解決手段】 セラミックス基板１０、１１０の一方の面に、接合面の面積が８０ｍｍ^２以上の大きい銅板１４、１１４と、各々の接合面の面積が８０ｍｍ^２未満であり且つ互いに１ｍｍ以下の間隔で離間して配置された複数の小さい銅板１４、１１４とがろう材１２、１１２を介して接合するとともに、大きい銅板の周縁部に段差が設けられて薄肉部が形成され、あるいは、大きい銅板の周縁からろう材がはみ出してフィレット部が形成されている。また、セラミックス基板の他方の面に接合した銅板の周縁部に段差が設けられて薄肉部が形成され、あるいはセラミック基板の他方の面に接合した銅板の周縁からろう材がはみ出してフィレット部が形成されている。 （もっと読む）

多種多様な多くの部材間の組合せの接合、特には、従来技術で接合が容易でなかった部材同士の接合、例えば、セラミックス部材と金属部材の接合、金属部材を中に挟んで両側面に金属部材又はセラミックス部材或いは半導体部材を配した所謂サンドイッチ構造の３層接合、に対して容易に適用し得る、特には、接合しようとする部材の他に接合の目的のみで用いる介在物を要さず容易に適用し得る、接合部材の製造方法及びその接合部材を提供することを目的とする。接合しようとする両部材の少なくとも一方の部材の少なくとも表層部が水素を吸蔵した水素吸蔵性部材であるそれぞれの部材を、その水素吸蔵面が両部材の界面を構成するように圧接し、圧接しながら加熱することによってその吸蔵水素を放出せしめる方法であって、この水素吸蔵性部材を両部材接合の接合材として機能せしめることに最大の特徴がある。従って、本発明は又、特には接合しようとする部材の他に、特殊な接合材やフラックス等、即ち、接合の目的のみで用いる介在物を用いることもなく実施できるという特徴を有する。 （もっと読む）

本発明は、金属とセラミックスとをろう付する際に使用するろう付用活性バインダーを提供する。又、該バインダーが塗布されたろう付用セラミック部品、及び、ろう付されたろう付製品も提供される。金属−セラミックスろう付製品を製造する際に使用される箔状のろう付材も開示されている。 本発明の活性バインダー中には活性金属あるいはその化合物（好ましくは水素化チタン）の粉末が添加混合されており、本発明のろう付用部品では、セラミックスより成る部品の少なくともろう付部位に、活性金属あるいはその化合物の粉末がバインダーを介して固着されている。本発明のろう付製品を製造する際には、上記のろう付用部品のろう付部位と、金属部品のろう付部位とを重ね合せた後、炉中で加熱してろう粉末を溶融させてろう付する。 （もっと読む）