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Fターム[4G030AA20]の内容

酸化物セラミックスの組成 (35,018) | 成分 (15,407) | 第4a〜7a族元素酸化物 (3,001) | 酸化ニオブ (358)

Fターム[4G030AA20]に分類される特許

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【課題】結晶配向セラミックスの配向度を向上できる結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】混合工程と成形工程と焼成工程とを行って結晶配向セラミックスを製造する方法である。混合工程においては、異方形状粉末と、これと反応して等方性ペロブスカイト型化合物を生成する反応原料粉末とを混合する。成形工程においては、異方形状粉末の結晶面が略同一の方向に配向するように、原料混合物を成形する。焼成工程においては、成形体を加熱することにより結晶配向セラミックスを得る。混合工程においては、一般式(1){Lix(K1-yNay)1-x}a(Nb1-z-wTazSbw)O3で表される等方性ペロブスカイト型化合物が生成する化学量論比にて異方形状粉末と反応原料粉末とを混合し、等方性ペロブスカイト型化合物1molに対する添加量が0.005〜0.02molとなるようにNb25粉末を混合する。 (もっと読む)


【課題】鉛の含有量が十分に低減されるとともに、圧電特性に十分優れた圧電磁器及び当該圧電磁器を備える圧電素子を提供すること。
【解決手段】圧電磁器1は下記一般式(1)で表される主成分と、Cr,Mn,Fe,Co,CuまたはNiを構成元素とする少なくとも一種の副成分とを含有し、主成分に対する副成分の合計の含有量が酸化物に換算して0.05〜1.0質量%である焼結体を備えている。焼結体は、酸素分圧が0.21atm未満の雰囲気中で焼成されたものであり、結晶粒の平均粒径が0.9μm以上である。
a(NaxKyLiz)[Nb(1-α)Taα]O3−bBa[Nb(1-α)Taα)2O6−cABO3・・・・(1)
[式中、a,b,c,x,y,z,αは、それぞれ、a+b+c=1、0≦b≦0.01、0≦c≦0.1、0.35≦x≦0.65、0.35≦y≦0.55、0≦z≦0.1、及び0≦α≦0.2を満足する数値であり、ABO3は、前記ペロブスカイト型酸化物を示す。]
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【課題】高い誘電率と共振周波数を有しつつ、共振周波数の温度係数を低い値に調整できる誘電体組成物および材料を得ること。
【解決手段】aATiO−bNaNbO(AはCa、Srのいずれか1種または2種)で表され、前記aおよびbが0.030≦a≦0.170かつ0.830≦b≦0.970かつa+b=1を満足する磁器組成物を主材料系として、それに誘電率などを高く保ったまま共振周波数の温度係数を低くするための組成物と混合して、焼結体または混合物を得ることにより解決した。 (もっと読む)


【課題】鉛の含有量が十分に低減されるとともに、広い温度範囲で十分に優れた圧電特性を有する圧電磁器及び当該圧電磁器を備える圧電素子を提供すること。
【解決手段】本発明の圧電素子20は、一対の電極2,3と圧電磁器1とを備える。圧電磁器1は、KNbOとBaTiOとの2成分が固溶した固溶体を主成分として含有している。そして、当該固溶体において、2成分の合計に対するKNbOのモル比率は0.5〜0.9である。 (もっと読む)


【課題】圧電性を有するNaNbO3の磁器において、広い範囲のNa/Nb比で安定して高い圧電定数を得るとともに、粒径が微細で緻密なセラミックを得ることを目的とする。
【解決手段】xNaO1/2−yNbO5/2−zCoO(ただしx+y+z=1)で、0.485≦x≦0.5、0.49≦y≦0.514、0.001≦z≦0.02の組成範囲とする。これにより広い組成範囲で、0.15以上の径方向振動の電気機械結合係数と、0.3以上の厚み振動の電気機械結合係数を有し、微細な粒径で緻密な圧電性磁器を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】鉛を含まない圧電セラミックにおいて、高い圧電定数や電気機械結合係数をもち、かつ熱処理による結合係数の劣化が低い耐熱性に優れた圧電性磁器組成物を提供する。
【解決手段】NaNbO3にBaTiO3を0.15以下固溶させ、かつ、CoOを0.002〜0.02の範囲で添加した組成とすることにより、電気機械結合係数のkrが0.2以上、ktが0.35以上得られるとともに、最も高い圧電定数として、d31が56pC/m、d33が164pC/mが得られる。 (もっと読む)


【課題】LiNbO3を主体とする固体電解質であって、600℃以上といった高温にしなくても成形可能なLiイオン伝導性の固体電解質を提供する。
【解決手段】LiNbO3を主体とするLiイオン伝導性固体電解質である。この電解質において、LiNbO3中にAl2O3が混合されている。LiNbO3中に結晶質のAl2O3が混合されていることで、常温において高いイオン伝導度を得ることができる。Al2O3の含有量は20重量%以上、40重量%以下であることが好ましい。この構成によれば、LiNbO3中にAl2O3が混合されていることで、常温において高いイオン伝導度を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】結晶の配向性を高めるに際して、シート部同士をできるだけ接しないようにし、体積効率を高めて焼成する。
【解決手段】無機粒子をシート厚さが10μm以下のシート状に形成した複数のシート部32に成形し、このシート部32の間に上部スペーサ34及び下部スペーサ35を入れて積層した積層体に貫通孔26を設け、この貫通孔26に吊棒28を挿入し吊した状態で焼成し、積層焼成体20を作製する。シート部32は、シート厚さ方向に存在する材料が限られているため、焼成などにより粒成長すると、シート面方向に結晶粒子が成長する。また、シート部32の間にはスペーサ34,35により空間が形成されているからシート部同士が接しにくい。また、シート部32を積層し吊した状態で焼成するから、強度が必要な載置部材を省略可能であり、より体積効率を高めた状態で焼成することができる。 (もっと読む)


【課題】電気的特性をさらに向上させた圧電材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の(Li,Na,K)(Nb,Ta,Sb)O系圧電材料は、焼結体の表面微構造が、粒径5μm未満の微細粒、粒径5μm以上15μm未満の中間粒、粒径15μm以上50μm以下の粗大粒からなり、面積基準で粗大粒を3%以上含むことにより、高い電気的特性(比誘電率、圧電定数、誘電損失、電界誘起歪)が得られる。微細粒、中間粒、粗大粒で構成され、粗大粒を3%以上含む圧電材料とするために、(Li,Na,K)(Nb,Ta,Sb)Oで表される組成となるように金属元素を含有する化合物を混合して仮焼した後に粉砕して仮焼/粉砕粉を得、昇温過程において、800〜950℃の範囲の一定温度で一定時間維持するキープ工程で処理した後、さらに昇温して焼結温度にて焼結して製造する。 (もっと読む)


【課題】安定した一定量の酸素欠陥を導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング複合ターゲット1は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分2と、炭素系成分3a〜3dとを有し、酸化物系成分2と炭素系成分3a〜3dが各々別体の場合は、酸化物系成分2の表面の少なくとも一部に炭素系成分3a〜3dを積層して用いる。
透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】圧電/電歪特性をより高めることができる結晶配向セラミックスを提供する。
【解決手段】結晶核が残存し特定元素を所定濃度範囲で含む結晶面に沿って少なくとも一部が層状である第1領域と、この第1領域と異なる濃度範囲でこの特定元素を含む結晶面に沿って少なくとも一部が層状である第2領域とが交互に繰り返されることにより、結晶面に対して直交する方向に組成分布を有しており、この組成分布が、Naの濃度が第2領域よりも高くKの濃度が第2領域よりも低くNbの濃度が第2領域よりも低くTaの濃度が第2領域よりも高い領域である第1領域と、Naの濃度が第1領域よりも低くKの濃度が第1領域よりも高くNbの濃度が第1領域よりも高くTaの濃度が第1領域よりも低い領域である第2領域と、が交互に繰り返されることにより形成されている。 (もっと読む)


【課題】基板の表面における可視光領域の光の反射率が高く、低抵抗性金属から成る導電体層をポストファイヤ法により形成することのできる高反射性セラミックス焼結体を用いた発光素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】原料粉体と、有機質バインダーとを混合したものを成形した後、焼成して成るセラミックス焼結体から成る基体を有する発光素子搭載用基板であって、原料粉体は、セラミックス原料と、セラミックス焼結体の内部において可視光領域の光の散乱を促進する散乱体とを含有し、セラミックス原料は、ホウ珪酸ガラス原料と、アルミナとを含有し、散乱体は、五酸化ニオビウム,酸化ジルコニウム,五酸化タンタル,酸化亜鉛から選択される少なくとも1種であり、セラミックス焼結体は、同時焼成された第1の導電体層と、ポストファイヤ法により形成された第2の導電体層とを備えることを特徴とする発光素子搭載用基板による。 (もっと読む)


【課題】紫外光から赤外光(250〜2500nmにピーク波長を有する光)を良好に反射することができ、しかも、紫外線による劣化や、酸化による変色が生じない反射材を提供する。
【解決手段】原料粉体と、有機質バインダーとを混合したものを成形した後、焼成して成るセラミックス焼結体から成る反射材であって、原料粉体は、セラミックス原料と、セラミックス焼結体の内部において可視光領域の光の散乱を促進する散乱体とを含有し、セラミックス原料は、ホウ珪酸ガラス原料と、アルミナとを含有し、散乱体は、五酸化ニオビウム,酸化ジルコニウム,五酸化タンタル,酸化亜鉛から選択される少なくとも1種であり、原料粉体の総重量を100wt%とした場合に、散乱体を5wt%以上含有し、反射材は、その内部にホウ珪酸ガラス原料から析出したアノーサイトを含有することを特徴とする反射材による。 (もっと読む)


【課題】基板の表面における可視光領域の光の反射率が高く、低抵抗性金属から成る導電体層をポストファイヤ法により形成することのできる高反射性セラミックス焼結体を用いた発光素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】原料粉体と、有機質バインダーとを混合したものを成形した後、焼成して成るセラミックス焼結体から成る基体を有する発光素子搭載用基板であって、原料粉体は、セラミックス原料と、セラミックス焼結体の内部において可視光領域の光の散乱を促進する散乱体とを含有し、セラミックス原料は、ホウ珪酸ガラス原料と、アルミナとを含有し、散乱体は、五酸化ニオビウム,酸化ジルコニウム,五酸化タンタル,酸化亜鉛から選択される少なくとも1種であり、発光素子搭載用基板は、その表面にセラミックス焼結体を焼成した後に形成した導電体層を備えることを特徴とする発光素子搭載用基板による。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、室温付近での圧電特性の変動の少ない非鉛の圧電磁器および圧電素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 圧電磁器として、組成式で(Na1−a1−bLiNbO+x{(Na0.5Bi0.5)BiNb}と表したとき、0.42≦a≦0.58、0.03≦b≦0.06、0.001≦x≦0.005である成分100質量部に対して、MnをMnO換算で0.05〜2.0質量部含有するものを用いる。
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【課題】時効処理等の長時間の処理を必要とせずに、歪率が増大した圧電/電歪体、及び圧電/電歪素子を提供する。
【解決手段】圧電/電歪体は、組成式ABO(Aは、少なくともLi、Na、Kから選択される1つ以上の元素、Bは、少なくともNb、Ta、Sb、Mnから選択される1つ以上の元素を含む)で表されて主相が正方晶であり、分極処理を施すために印加した電界の印加方向と垂直な面において、分極処理後の(00l)面の配向度が(l00)面の配向度よりも小さくなるように形成する。また、本発明の圧電/電歪体は、分極処理後の、電界の印加方向と垂直な面におけるX線回折パターンにおいて、(00l)面の回折ピーク強度I00lと(l00)面の回折ピーク強度Il00との比がI00l/Il00≦1である。 (もっと読む)


原料、および原料を調製する方法が示され、該原料は射出成形が可能であり、金属不純物の含有量が10ppm以下である。 (もっと読む)


射出成形体は、含まれる金属不純物が10ppm未満であり、正の温度係数を有するセラミック材料を含む。射出成形体を生産する方法は、含まれる金属不純物が10ppm未満である、射出成形のための原料を供給することと、原料を型に射出することと、結合材を取り除くことと、成形体を焼結することと、成形体を冷却することと、からなる。 (もっと読む)


【課題】電気的特性を向上させた圧電材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】焼結体の微構造を粒径5μm未満の微細粒、粒径5μm以上15μm未満の中間粒と15μm以上100μm以下の粗大粒で構成させることにより、高い電気的特性(比誘電率、圧電定数、誘電損失、電界誘起歪)が得られる。微細粒、中間粒、粗大粒で構成された圧電材料とするために、(Li,Na,K)(Nb,Ta)Oで表される組成となるように金属元素を含有する化合物を混合して仮焼した後に粉砕して仮焼/粉砕粉を得、昇温過程において、800〜900℃の範囲の一定温度で一定時間維持するキープ工程で処理した後、さらに昇温して焼結温度にて焼結して製造する。 (もっと読む)


【課題】低温焼結が可能であって実使用温度における高電界印加時の電界誘起歪が良好な(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】圧電/電歪アクチュエータ1の圧電/電歪体膜122は、圧電/電歪磁器組成物の焼結体である。当該圧電/電歪磁器組成物は、第1の元素としてリチウム(Li),ナトリウム(Na)及びカリウム(K)を含み、第2の元素としてニオブ(Nb)及びタンタル(Ta)を含み、第3の元素としてOを含むABO3型の組成式を有する組成物であって、第2の元素の総原子数に対する第1の元素の総原子数の比(いわゆるA/B比)が1より大きく、第2の元素の総原子数に占めるTaの原子数が10mol%以上50mol%以下である組成を有し、第1の元素をAサイト構成元素、第2の元素をBサイト構成元素とするペロブスカイト型酸化物を含む。 (もっと読む)


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