【課題】、有害物であるＰｂを含まず、水溶性のアルカリイオンを含まず、配向した焼結性の良好な圧電材料を提供する。
【解決手段】少なくともＢａ，Ｂｉ，Ｃａ，Ｎｂの金属元素を含み、前記金属元素がモル換算で以下の条件を満たすタングステンブロンズ構造金属酸化物からなり、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物がｃ軸配向を有する圧電材料。Ｂａ／Ｎｂ＝ａ：０．３６３＜ａ＜０．３９９、Ｂｉ／Ｎｂ＝ｂ：０．０１１０＜ｂ＜０．０６５０、Ｃａ／Ｎｂ＝ｃ：０．００５＜ｃ＜０．１０５。前記タングステンブロンズ構造金属酸化物が、（１−Ｘ）・Ｃａ_１．４Ｂａ_３．６Ｎｂ_１０Ｏ_３０−Ｘ・Ｂａ_４Ｂｉ_０．６７Ｎｂ_１０Ｏ_３０（０．３０≦ｘ≦０．９５）からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 キュリー温度が高く、絶縁抵抗性・機械品質係数に優れ、圧電特性に優れたタングステンブロンズ構造の化合物を提供する。
【解決手段】 そのために、下記一般式（１）で表されるタングステンブロンズ構造酸化物を含む化合物。
ｘ（ＢａＢ_２Ｏ_６）−ｙ（ＣａＢ_２Ｏ_６）−ｚ｛（Ｂｉ_１／２Ｃ_１／２）Ｂ_２Ｏ_６｝（式中、ＢはＮｂとＴａのうちの少なくとも１種の元素である。ＣはＮａ、Ｋのうちの少なくとも１種の元素である。ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、ｘは０．２≦ｘ≦０．８５、ｙは０≦ｙ≦０．５、ｚは０＜ｚ≦０．８の数値を表す。）を提供する。 （もっと読む）

【課題】圧電定数の高い圧電磁器およびそれを用いた圧電素子を提供。
【解決手段】圧電磁器１，１１として、組成式を｛（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_１−ｙＬｉ_ｙ｝（Ｎｂ_{１−ｚ−ｗ}Ｔａ_ｚＳｂ_ｗ）Ｏ_３＋αＢｉ_２．５Ｎａ_３．５Ｎｂ_５Ｏ_１８と表したとき、０．４０≦ｘ≦０．５０、０．０３≦ｙ≦０．０８、０．０５≦ｚ≦０．４０、０．０４≦ｗ≦０．２０、０．０００１≦α≦０．００１０であるものを用いる。さらに、圧電素子として、前記圧電磁器が対向面を有し、該対向面に、互いを対向させて配置した一対の電極２，３，１２，１３を備えるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】温度変動による圧電特性の低下を十分に抑制し、優れた圧電特性を維持することが可能な圧電磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物を含有する圧電磁器組成物であって、ペロブスカイト型酸化物は、ＡサイトにＮａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｂａ及びＳｒ、並びにＢサイトにＮｂ、Ｔａ及びＺｒを有し、−５０〜１５０℃の温度範囲内において結晶相転移をするものであり、結晶相転移に伴う吸熱量が４Ｊ／ｇ以下である圧電磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、バリヤーメタル等を堆積するための工程が不要な簡略化されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる第１金属群Ｍ１から選ばれた１種又は２種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第２金属群Ｍ２から選ばれた１種又は２種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。この透明導電膜を画素電極として利用することによって、ソース電極７等との接触抵抗を小さく抑えることができる。更に、バリヤーメタル等を用いる必要がなくなったため、バリヤーメタル等を堆積する工程をなくすことができ、ＴＦＴ基板の製造工程が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】ドメインエンジニアリングに好適な擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向したＢｉＦｅＯ_３を含有する圧電セラミクスを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物からなるセラミクスであって、擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向しているセラミクス。


（式中、Ａ及びＢは一種または複数の金属イオンで、Ａは１価、２価または３価の金属イオン、Ｂは３価、４価または５価の金属イオンを表す。ただし、ｘは０．３≦ｘ≦１である。） （もっと読む）

【課題】デラミネーション及びクラックの発生を抑制することができ、耐久性に優れた積層型圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】グリーンシート形成工程と電極印刷工程と積層工程と圧着工程と焼成工程とを行うことにより、圧電セラミック層５１と、電極部５２１及び電極非形成部５２２とからなる内部電極層５２とを複数交互に積層してなるセラミック積層体５を有する積層型圧電素子６を製造する方法である。グリーンシート形成工程においては、圧電セラミック粉末と、バインダ及び可塑剤を含有するセラミックスラリーを成形してグリーンシートを作製する。このとき、圧電セラミック粉末の２次粒子の平均粒径Ｄ50及びＤ90が所定の範囲にあり、粒度シフト量が所定の範囲にあり、バインダー量及び可塑剤量が所定の範囲にあるセラミックスラリーを採用する。 （もっと読む）

【課題】液相系の製造方法であって、ニオブ酸アルカリ金属塩微粒子のサイズや形状を制御できるニオブ酸アルカリ金属塩微粒子の製造方法、及び形状や大きさが制御されたニオブ酸アルカリ金属塩微粒子の提供。
【解決手段】
Ｎａ_ｘＫ_{（１−ｘ）}ＮｂＯ_３ （１）
で表されるニオブ酸ナトリウム・カリウム塩粒子の製造方法であって、特定の４つの工程を含み、アルカリ溶液としてＮａ^＋イオン及びＫ^＋イオンを含有する高濃度アルカリ溶液を用いるニオブ酸ナトリウム・カリウム塩粒子の製造方法、及び形状や大きさが制御されたニオブ酸ナトリウム・カリウム塩粒子。 （もっと読む）

【課題】レンズまたはプリズムのような光学要素に要求される優れた光学品質を有する透明、多結晶セラミックス及びその製造方法の提供。
【解決手段】化学量論A2+XBYDZE7、ここで、−1,15≦x≦＋1.1および0≦Y≦3、および0≦Z≦1.6、ならびに3x＋4y＋5z＝8で、Ａは希土類イオンの群から選択される少なくとも１つの３価カチオンであり、Ｂは少なくとも１つの４価カチオンであり、Ｄは少なくとも１つの５価カチオンであり、およびＥは少なくとも１つの２価アニオンである、結晶組成を含む透明、多結晶セラミックスからなり、少なくとも９５重量％の立方晶黄緑石または蛍石構造を有する結晶を含む。光学セラミックスの平均粒子寸法は好ましくは５から３００μｍの範囲で、出発物質にSiO2,TiO2,ZrO2,HfO2,Al2O3およびフッ化物からなる群から選択される少なくとも１つの焼結助剤を含む。 （もっと読む）

【課題】交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜として有用な酸化マグネシウム膜を、電子ビーム蒸着法により形成するのに有利に用いることのできる酸化マグネシウム蒸着材を提供する。
【解決手段】金属元素の価数が３価、４価又は５価のいずれかである金属酸化物を０．０１〜６モル％の範囲にて含む酸化マグネシウム蒸着材。または、酸化マグネシウム以外のアルカリ土類金属酸化物と、金属元素の価数が３価、４価又は５価のいずれかである金属酸化物とをそれぞれ金属元素量に換算して０．００５モル％以上で、かつその合計量が金属元素量に換算して６モル％以下となるように含む酸化マグネシウム蒸着材。 （もっと読む）

【課題】活性化元素でドープされ、かつ高透過性、高密度および高有効原子数を有する光学セラミックスを得る。
【解決手段】少なくとも１つの光学的に活性体中心を持つ、対称、立方体構造の単一粒子を有する透明、多結晶光学セラミックスを得るため、前記光学セラミックを、次の式：A_2+xB_yD_zE₇、（ただし、-1.15≦x≦0および0≦y≦3並びに0≦z≦1.6、その上3x+4y+5z=8で、ここでＡは希土類イオンの群からの少なくとも１つの３価カチオンであり、Ｂは少なくとも１つの４価カチオンであり、Ｄは少なくとも１つの５価カチオンであり、かつＥは少なくとも１つの２価アニオンである）、となるような構成とする。 （もっと読む）

【課題】高配向度及び高密度を兼ね備え、優れた圧電特性を発揮することができる結晶配向セラミックスの製造方法、及び該結晶配向セラミックスを製造するための異方形状粉末を提供すること。
【解決手段】前駆体１を酸処理し加熱して得られ、結晶面｛１００｝面が配向する配向粒子からなる異方形状粉末、及びこの異方形状粉末を用いて得られる結晶配向セラミックスである。異方形状粉末は、次のようにして得られる。まず、所定の組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物を前駆体１の目的組成とし、この目的組成とは異なる配合割合で原料を混合して原料混合物を作製する。次いで、原料混合物を加熱することにより、前駆体１を合成する。前駆体１を３時間以上酸処理して酸処理体を得る酸処理体に、Ｋ源及び／又はＮａ源を添加し、フラックス中で加熱することにより、異方形状粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】優れた配向度を示すことができる結晶配向セラミックスの製造方法及び積層型圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】異方形状粉末１１と反応原料粉末１２とを焼結させて、多結晶体を構成する結晶粒１６の結晶面｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックス１の製造方法及び該結晶配向セラミックスを圧電セラミック層として有する積層型圧電素子である。反応原料粉末１２のＸ線回折パターンにおいて、反応原料粉末１２の主相の｛１１０｝面に由来するピーク強度をＡ₀とし、タングステンブロンズ構造を有する異相の｛１１０｝面に由来するピーク強度をＡ₁とすると、反応原料粉末１２としては、ピーク強度比Ａ（Ａ＝Ａ₁／Ａ₀）が０．０２５以下であるものを採用する。 （もっと読む）

【課題】 分散性が良好で成形体の高密度化が可能なセラミックス粉末を提供する。
【解決手段】 ラジカル種を生成可能な液体状の媒質中に、表面修飾剤によって予め修飾された原料セラミックス粉末を投入し、前記原料セラミックス粉末が投入された前記媒質を流動させた状態で、当該媒質中にて前記ラジカル種を生成する。 （もっと読む）

【課題】電気的導通性に優れた電極部と、高密度の圧電セラミック層とを兼ね備える積層型圧電素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電セラミック層２と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる電極部３１を含む電極層３とを一体焼成してなり、圧電セラミック層２と電極層３とが交互に積層された積層型圧電素子１及びその製造方法である。圧電セラミック層２は、一般式（１）[Ａｇ_h{Ｌｉ_x(Ｋ_1-yＮａ_y)_1-x}_1-h]_j(Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w)Ｏ_3-kで表される等方性ペロブスカイト型化合物からなる。積層型圧電素子１の積層方向の断面に露出する内部電極３２の全長に対する電極部３１の長さの合計の割合は６０％以上である。圧電セラミック層２の断面積に対する空隙の面積の割合が１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】緻密性に優れた結晶配向セラミックスを製造することができる結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】異方形状粉末２と微細粉末３とを混合して原料混合物１を作製し、次いで原料混合物を成形し、焼成してなる結晶配向セラミックスの製造方法である。その製造にあたっては、異方形状粉末２として、平均粒径が２倍以上異なる少なくとも２種類の粉末２１、２２を採用する。また、異方形状粉末２は、平均粒径が１０μｍ〜１４μｍの第１配向粒子からなる第１異方形状粉末２１と、平均粒径が５μｍ〜７μｍの第２配向粒子からなる第２異方形状粉末２２との少なくとも２種類の粉末を主成分とすることが好ましい。また、全異方形状粉末量を１００重量部とすると、第１異方形状粉末２１を５０〜９０重量部、及び第２異方形状粉末２２を１０〜５０重量部含有する異方形状粉末２を採用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】所望の誘電率３０〜４０を有するＬｉＮｂ_３Ｏ_８セラミックスの低損失特性を維持しつつ低温焼成化が可能な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、主成分として、組成式ＬｉＮｂ_３Ｏ_８で表される成分を含み、主成分に対する副成分として、Ｂ_２Ｏ_３を０．５〜３．０重量％の範囲で含む。さらに、副成分として、必要に応じて、Ｂｉ_２Ｏ_３をわずかに含む。また、電子部品は、上記誘電体磁器組成物と内部配線とを含む。 （もっと読む）

【課題】誘電特性及び圧電特性の良好な圧電体又は誘電体磁器組成物を得ることで、多岐に渡る圧電体デバイス及び誘電体デバイス開発の要望に答え、延いてはＰＺＴを主成分とする圧電体又は誘電体磁器組成物を代替し、環境負荷を低減する。
【解決手段】主成分が組成式（１−ｘ）ＫＮｂＯ_３＋ｘＫＭｅＯ_３で表される圧電体又は誘電体磁器組成物あって、０＜ｘ≦０．０５であり、Ｍｅが、４価のＴｉ、３価のＭｎ、２価のＭｎ及び２価のＺｎから選ばれるいずれかの金属元素と、６価のＷとの組み合わせであり、組み合わせたときの総価数が５価であることを特徴とする。前記主成分を１００ｍｏｌとしたときに、副成分としてＭｎをＭｎＯ換算で１．０〜２．０ｍｏｌ含有していることが好ましい。また、前記圧電体磁器組成物を用いた圧電体デバイス及び前記誘電体磁器組成物を用いた誘電体デバイスである。 （もっと読む）

【課題】可視光線を高効率で反射することができ、しかも、紫外線による劣化や、大気中の硫化物との化学反応による変色が生じない高耐久性を有するガラスセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】原料粉体と、有機質バインダーとを混合したものを成形した後、焼成して成るガラスセラミックス焼結体であって、原料粉体は、ホウ珪酸ガラス原料又はホウ珪酸ガラスと、アルミナと、金属ニオビウム又は酸化ニオビウムと、２族元素とを含有し、ガラスセラミックス焼結体１は、２族元素とニオビウムの化合物２を含有することを特徴とするガラスセラミックス焼結体による。 （もっと読む）

【課題】室温付近での圧電特性の変動の少ない非鉛の圧電磁器および圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電磁器として、組成式で（１−ｘ）（Ｎａ_ａＫ_１−ａ）_１−ｂＬｉ_ｂＮｂＯ_３＋ｘＢａ（Ｃａ_０．５Ｔｅ_０．５）Ｏ_３と表したとき、０．４２≦ａ≦０．５８、０．０３≦ｂ≦０．１５、０．０００５≦ｘ≦０．０１００であるものを用いる。組成が（ＮａａＫ１−ａ）１−ｂＬｉｂＮｂＯ３である圧電磁器では室温付近にある相転移点により−４０〜＋１００℃の範囲内で急激な圧電特性の変化を生じるが、該発明の圧電磁器は−４０〜＋１００℃での圧電特性の変化が緩やかになる。 （もっと読む）