【課題】 ターゲットに割れがなく、かつ、ホットプレス１チャージあたりの製造枚数を向上させることが可能な透明導電性薄膜作製用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する
【解決手段】 酸化インジウムを主成分として、ケイ素、チタン、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、スズおよびタングステンからなる群より選ばれた１種以上の金属酸化物または複合酸化物を添加した原料粉末に、冷間静水圧プレスを施し、得られた塊を粉砕した後、粉砕された混合粉末にホットプレスを施す。 （もっと読む）

【課題】 イオン化し易い未反応のアルカリ金属等の含有量が低減された非鉛系圧電性物質及び、該非鉛系圧電性物質を簡便に得ることができる非鉛系圧電性物質の製造方法を提供すること。
【解決手段】 アルカリ金属或いはアルカリ土類金属を構成成分として含んでなる圧電性能を有する粉末状の非鉛系圧電性物質を製造する方法において、原料を充分に粉砕混合した後、該混合物を８００〜１１００℃で１回目の焼成を行い、更に、得られた焼成物を粉砕した後、該粉砕物を８００〜１１００℃で焼成することを１回以上行って結晶性の高い粉末状の焼成物を得ることを特徴とする非鉛系圧電性物質の製造方法、及び非鉛系圧電性物質。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属等にかかる未反応成分等の残存イオン分を少なくした非鉛系アルカリ含有圧電性物質を更に改良して、該物質中にわずかに残存する水に可溶なアルカリ金属等にかかる未反応成分等のイオン溶出を抑制した、圧電体として利用した場合に、より安定した圧電特性を実現できる非鉛系アルカリ含有圧電性物質を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属元素或いはアルカリ土類金属元素を構成成分として含んでなる圧電性能を有する粉末状の焼成物からなる非鉛系圧電性物質において、その粒子表面がカルボキシ基を有する親油性物質で撥水処理されていることを特徴とする非鉛系圧電性物質及び、その製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ＥＩＡＪ規格で規定するＸ７Ｒ特性及びＪＩＳ規格で規定するＢ特性のいずれも満足するといった静電容量の温度安定性が良好であり、かつ、絶縁抵抗値、比誘電率などの特性が良好で、さらに絶縁抵抗の加速寿命が長い積層セラミックコンデンサなどの電子部品を得ることが可能なセラミック原料粉体を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムで構成される主成分粒子の表面に副成分添加物で構成される被覆層を有するセラミック原料粉体であって、前記主成分粒子の平均半径をｒとし、前記被覆層の平均厚みを△ｒとしたときに、前記△ｒを、０．０１５ｒ以上０．０５５ｒ以下の範囲内に制御することを特徴とするセラミック原料粉体。
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【課題】 低温焼成でき、十分な比誘電率を保持しつつ、高い無負荷Ｑ値が得られるＢｉ−Ｚｎ−Ｎｂ系酸化物からなる低温焼成誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体部品を提供する。
【解決手段】 本低温焼成誘電体磁器組成物は、Ｂｉと、２価の金属元素であるＭ（例えばＺｎ）と、Ｎｂ及びＴａのうちの少なくともＮｂと、Ｏとを含有し、且つ、ｘＢｉＯ_３／２−ｙＭＯ−ｚ（Ｎｂ_ａＴａ_ｂ）Ｏ_５／２と表した場合に、０．４５５≦ｘ≦０．５４５、０．１５５≦ｙ<０．１９、０．３０５≦ｚ≦０．３６２、０<ａ≦１、且つ、０≦ｂ<１を満たす。更に、本発明の誘電体部品１は、本発明の低温誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器部１１１、１１２及び１１３と、この誘電体磁器部の表面及び／又は内部に同時焼成された導体部１２１、１２２及び１２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】任意の場所に任意の形状で、誘電体組成物を形成すること。
【解決手段】現像液に少なくとも一部が溶解する無機フィラーと、樹脂を含む誘電体組成物であって、無機フィラーの量が、誘電体組成物中に含まれる固形分全量の６０体積％以上であり、膜状の該誘電体組成物を現像し、パターン化したときの膜断面のテーパーの角度が７０°以上１１０°以下であることを特徴とするパターン化された誘電体組成物および該誘電体組成物上にマスクパターンを形成し、酸と過酸化水素を含む混合溶液を用いて誘電体組成物中のフィラー成分を溶解してパターン化することを特徴とするパターン化された誘電体組成物の製造方法。 （もっと読む）

電解質ペロブスカイトおよび電解質ペロブスカイトを合成する方法が、本願明細書において記載されている。基本的には、当該電解質ペロブスカイトは、０‐４００℃の温度範囲において１０‐⁵Ｓ／ｃｍ²よりも大なるイオン伝導率を有する固体であり、該イオンはＬｉ⁺、Ｈ⁺、Ｃｕ⁺、Ａｇ⁺、Ｎａ⁺またはＭｇ²⁺である。たとえば、Ｌｉ_1/8Ｎａ_3/8Ｌａ_1/4Ｚｒ_1/4Ｎｂ_3/4Ｏ₃（５．２６ｘ１０⁴Ｓ／ｃｍ）およびＬｉ_1/8Ｋ_1/2Ｌａ_1/8ＮｂＯ₃（２．８６ｘ１０³Ｓ／ｃｍ）は、本発明により形成された２つのペロブスカイトであり、２０℃で高いＬｉ⁺伝導率を有している。両組成物とも、同様に、Ａｇ⁺およびＨ⁺イオンを伝導することが試験により確認された。本発明は、電解質ペロブスカイト内にあるイオンをプロトンに置換することで形成できる固体陽子伝導体も含む。電解質ペロブスカイトおよび固体陽子導体は、燃料電池、膜反応器、電流測定型炭化水素センサまたは蒸気電気分解装置を含む多種多様な用途および装置に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングターゲットの強度を向上させることができ、スパッタリングターゲットの割れがなく、高密度のスパッタリングターゲットを製造することが可能な透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 比表面積が１ｍ²／ｇ以上２０ｍ²／ｇ以下である酸化インジウム粉末に、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、スズ（Ｓｎ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれた少なくとも一種以上の金属粉末または酸化物粉末を混合し、得られた混合粉末を使用して、ホットプレスを行う。好ましくは、酸化インジウム粉末の比表面積が、１５ｍ²／ｇ以下であり、さらに好ましくは、６ｍ²／ｇ以下である。 （もっと読む）

一般式：Ｂａ｛Ｍ_ｘ（Ｍｇ_１−ｔＺｎ_ｔ）_ｙ（Ｔａ_１−ｕＮｂ_ｕ）_ｚ｝_ｖＯ_ｗ（ただし、Ｍは、Ｓｎ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種でありｘ＋ｙ＋ｚ＝１であって、０．０１５≦ｘ≦０．６０、１．６０≦ｚ／ｙ≦２．４０、１．００≦ｖ≦１．０５、０＜ｔ＜１、および０≦ｕ＜１の各条件を満足し、ｗは電気的中性を保つための正の数である。）で表される組成を主成分とする、透光性セラミック。この透光性セラミックは、直線透過率が広い波長帯域にわたり高く、屈折率が大きく、屈折率およびアッベ数の調整範囲が広く、複屈折がないため、これを用いて構成されたレンズ（２）は、小型化および薄型化が要求される、たとえば光ピックアップ（９）等に有利に適用できる。 （もっと読む）

自動車の排気処理などの高温の用途に適する低熱膨張特性を有する組成および物品と、かかる物品の製造方法とが開示される。
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一般式：Ｂａ｛Ｔｉ_ｘ１Ｍ_ｘ２（Ｍｇ_１−ｔＺｎ_ｔ）_ｙ（Ｔａ_１−ｕＮｂ_ｕ）_ｚ｝_ｖＯ_ｗ（ただし、Ｍは、Ｓｎ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種であり、ｘ１＋ｘ２＋ｙ＋ｚ＝１であって、０．０１５≦ｘ１＋ｘ２≦０．９０、０＜ｘ１≦０．９０、０≦ｘ２≦０．６０、１．６０≦ｚ／ｙ≦２．４０、１．００≦ｖ≦１．０５、０＜ｔ＜１、および０≦ｕ≦１の各条件を満足し、ｗは電気的中性を保つための正の数である。）で表される組成を主成分とする、透光性セラミック。この透光性セラミックは、直線透過率が広い波長帯域にわたり高く、
屈折率が高く、屈折率およびアッベ数の調整範囲が広く、複屈折がないため、これを用いて構成されたレンズ（２）は、小型化および薄型化が要求される、たとえば光ピックアップ（９）等に有利に適用できる。 （もっと読む）

本発明は、ｐ型熱電変換材料の一端とｎ型熱電変換材料の一端とを電気的に接続してなる熱電変換素子を複数個用い、該熱電変換素子のｐ型熱電変換材料の未接合の一端を、他の熱電変換素子のｎ型熱電変換材料の未接合の端部に接続する方法で複数の熱電変換素子を直列に接続してなる熱電発電モジュールと、該熱電発電モジュールの一方の面を加熱するように配置された触媒燃焼式熱源とを備えてなる熱電発電装置を提供するものである。本発明の熱電発電装置は、携帯用機器などの電源として適した携帯性に優れた電源装置であり、長時間安定した性能で電力を供給することが可能である。 （もっと読む）

セラミック体を製造するためのポリマースリップが開示される。このスリップは、ポリマー、界面活性剤、分散剤、および約５０〜７０容量％のセラミック粉末を含む。このスリップは、閉じた鋳型内で硬化され得る。別の実施形態において、本発明は、素地を製造する方法に関する。この方法は、セラミック粉末をポリマーに接触させて、スリップ混合物を形成する工程、このスリップ混合物を混合する工程、このスリップ混合物を鋳型内に射出する工程、およびこの混合物を約２０〜４０℃の温度にて鋳型内で硬化させる工程を包含する。このスリップ混合物は、約５０〜６５容量％のセラミック粉末を含有する。
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高い比誘電率ε_rと高いＱ値を有し、また共振周波数の温度係数τ_fが０ｐｐｍ／℃を中心に任意に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとする。
組成式：ｘＣａＴｉ_aＯ_1+2a−ｙＣａ（Ａｌ_b/2Ｎｂ_c/2）Ｏ_1+(3b+5c)/4−ｚＣａ（Ｍｇ_d/2Ｗ_e/2）Ｏ_1+(d+3e)/2で表わされる組成を有し、上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅ（ただしｘ、ｙ、ｚはモル比である）は、０．４７５≦ｘ≦０．５８、０．２１≦ｙ≦０．５０５、０．０１８≦ｚ≦０．２５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０００、０．９≦ａ≦１．０５、０．９≦ｂ≦１．１、０．９≦ｃ≦１．１、０．９≦ｄ≦１．１、０．９≦ｅ≦１．０５の範囲内にある。
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使用温度において酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態、より具体的には、立方相、ホタル石相、オーリビリウスタイプのペロブスカイト相、褐色針ニッケル鉱相またはパイロクロア相の形態にある、ドープされたセラミック酸化物から選ばれる複合電子／酸素Ｏ^２−アニオン伝導性化合物（Ｃ_１）少なくとも７５ｖｏｌ％、および
酸化物タイプのセラミック、非酸化物タイプのセラミック、金属、金属合金またはこれらタイプの物質の混合物から選ばれる、化合物（Ｃ_１）とは異なる化合物（Ｃ_２）０．０１〜２５ｖｏｌ％、および式：ｘＦ_ｃ１＋ｙＦ_ｃ２→ｚＦ_ｃ３（式中、Ｆ_ｃ１、Ｆ_ｃ２およびＦ_ｃ３は、化合物Ｃ_１、Ｃ_２およびＣ_３それぞれの実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の比の数値を表す）により表される少なくとも１の化学反応から生成する化合物（Ｃ_３）０ｖｏｌ％〜２．５ｖｏｌ％を含む複合物（Ｍ）。本発明は、複合物の製造方法、並びにメタンまたは天然ガスの接触酸化により合成ガスの合成のために使用することが意図された触媒膜反応器用の複合伝導性複合物としての、および／または空気から酸素を分離するために使用することが意図されたセラミック膜のための複合伝導性複合物としてのその使用にも関する。 （もっと読む）

１０００℃以下の温度で焼結させることができ、焼結体の比誘電率が５５０以上であり、容量変化率の温度特性がＪＩＳ規格のＢ特性を満足し、電圧印加時においても比誘電率が実質的に変化しない、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ系の誘電体セラミック組成物を提供する。 主成分がＡｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３で表される組成を有し、Ａｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３において、０．７≦ａ≦０．９５、０．０５≦ｂ≦０．３、０．４≦ｃ≦０．６、および０．４≦ｄ≦０．６の各条件を満足するとともに、０．９５≦（ａ＋ｂ）／（ｃ＋ｄ）≦１．０２の条件を満足する、誘電体セラミック組成物。 （もっと読む）

完全非鉛であるとともに、ＰＺＴ系セラミックスを主流とする従来の実用化されている圧電材料よりも飛躍的に高い変位特性を示す環境に優しいペロブスカイトニオブ酸カリウムナトリウム（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３とペロブスカイト型酸化物Ｍ１Ｍ２Ｏ_３或いは単純酸化物Ｍ３_２Ｏ_３を含有するペロブスカイト固溶体組成物。 Ｍ１は、ペロブスカイトＡサイトに選択的に入りうる鉛を除く、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒなどの金属イオンを、Ｍ２は、ペロブスカイトＢサイトに選択的に入りうる、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｆｅ等などの４価または３価金属イオンを、Ｍ３はペロブスカイトＡ或いはＢサイトに選択的に入りうる、Ｂｉ、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｆｅ等の３価金属イオンを表す。ｘは、０．４≦ｘ≦０．６の範囲の数値を表す。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率および高強度を有する絶縁基板からなり、放熱性と機械的強度の高い配線基板を提供する。
【解決手段】ガラスおよび／またはそれが結晶化したマトリックス中に、アスペクト比が４以上、かつ配向度が５０％以上のセラミックフィラーを分散してなるガラスセラミックスからなる絶縁基板２の表面および／または内部に配線層３を形成してなる半導体素子収納用パッケージ（配線基板）１を作製する。 （もっと読む）