【課題】磁気記録媒体の信号雑音比が向上され及び面記録密度が増強された記録層を得る為のスパッタリングターゲット、及び該スパッタリングターゲットから形成された磁気記録媒体の記録材料を提供する。
【解決手段】ＣｏＰｔ又はＣｏＣｒＰｔ又はＣｏＣｒＰｔＢに基づく合金及び酸化物組合せを含み、前記酸化物組合せが、酸化銅（ＣｕＯ）と、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）からなる群から選択される少なくとも１つの酸化物とを含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】結晶配向セラミックスの成長のシードとして好適に用いられる鉛系圧電材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、粒子状の鉛系圧電材料であって、メジアン径が１μｍ未満であり、［算術偏差／平均］で表される粒度分布が１５％以下であり、全粒子のうち８５％以上が立方体形状を有する鉛系圧電材料によって解決される。 （もっと読む）

【課題】直流バイアス電界に対する比誘電率変化が大きく、比誘電率の温度依存性が小さく、幅広い周波数域における誘電損失が小さく、しかも、低温焼結が可能なチューナブルデバイス用誘電体セラミックスを提供すること。
【解決手段】一般式：（１−ｘ−ｙ）ＮａＮｂＯ₃−ｘＳｒＴｉＯ₃−ｙＣａＴｉＯ₃（但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）で表される組成を有するチューナルブルデバイス用誘電体セラミックス。ｘ及びｙは、０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦０．２、０＜ｘ＋ｙ≦０．２が好ましく、（ｘ、ｙ）＝（０、０．１５）、（０．０９、０．０６）、（０．０４、０．０６）、（０、０．１０）の４点で囲まれる領域内（境界線上を含む）がさらに好ましい。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の成膜に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａおよび希土類元素よりなる群から選択される少なくとも一種の金属（Ｍ金属）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄化合物は検出されるが、スピネル型化合物であるＺｎＭ_XＯ_y相およびＭ_XＯ_y相（ｘ、ｙは任意の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間で微細加工することができるとともに、制御性よく加工を停止させることができる圧電体薄膜の加工方法を提供する。
【解決手段】Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、フッ素系反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とを備えることで、圧電体薄膜を短時間で制御性良くエッチングすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波誘電共振器（ＤＲ）に使用する従来技術に係る高Ｑ誘電体は高価な材料、すなわちＴａを使用すること、１５５０〜１６２０℃もの高い焼結温度、その他によって、非常に高価なものになっていた。
【課題を解決する手段】本発明のＴａを使用しない新規なセラミックはＢａ、Ｍｇ及びＮｂを含む。このセラミックは組成式Ｂａ_４−５ｘＭｇ_５ｘＮｂ_２＋ｙＯ_９で表される。ここで、０．３５＜ｘ≦０．４７及び−０．０５≦ｙ≦０．０１であり、また共振周波数の温度係数は−５〜＋６ｐｐｍ／℃の範囲である。このセラミックの焼結温度は従来技術の当該温度よりも大幅に低く、１３６０℃未満である。 （もっと読む）

【課題】 組成物の組成均一性、及び微細組織の均一性を向上して、クラックの発生を抑制し、圧電特性の向上を可能とする、Ｓｒ_２−ｘＣａ_ｘＮａＮｂ_５Ｏ_１５系の圧電磁器組成物を提供する。
【解決手段】 Ｓｒ_２−ｘＣａ_ｘＮａＮｂ_５Ｏ_１５の基本組成に対して、（Ｓｒ、Ｃａ）とＮａの比率を変更することにより、タングステンブロンズ型構造のＳｒ、Ｃａ、Ｎａの入り得る格子における、それらの占有率を下げて、よりＳｒをその格子に入り易くし、２次相の生成を抑制する。また、Ａｌ及び／又はＳｉを所定量添加することで、焼結温度が下がるとともに、微細組織を均一化する。さらに、Ｍｎを所定量添加することで、分極を容易にする。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３を母材として、環境に優しく、圧電特性に優れるとともに、緻密性と耐湿性を向上させて、高い信頼性を有する圧電材料を提供する。
【解決手段】焼結体からなる圧電材料１ｂであって、一般式Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３で表される母材と、ガラスとを基本成分として含み、前記一般式において、０≦ｘ≦０．３、０．１≦ｙ≦０．７、０．３≦ａ≦０．９、０≦ｂ≦０．２であり、前記母材の成分におけるＫ、Ｎａ、Ｎｂを含んで一般式Ｋ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＯ_３で表される化合物を核体１０ｂとして、当該核体が、前記基本成分のうち、前記ＫＮＮ化合物を構成する成分以外の成分からなる被膜体１２ｂによって覆われている構造を有している。 （もっと読む）

【課題】 配向度の高いニオブ酸バリウムビスマスカルシウム系のタングステンブロンズ構造金属酸化物の圧電材料、それを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】 そのための本発明は少なくともＢａ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｎｂの金属元素を含み、前記金属元素がモル換算で以下の条件を満たすタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記圧電材料にＷが含有されており、前記Ｗの含有量が前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．４重量部以上２．０重量部以下であり、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物がｃ軸配向を有することを特徴とする圧電材料。Ｂａ／Ｎｂ＝ａとしたときのａが：０．３７≦ａ≦０．４０、Ｂｉ／Ｎｂ＝ｂとしたときのｂが：０．０２＜ｂ≦０．０６５０、Ｃａ／Ｎｂ＝ｃとしたときのｃが：０．００７＜ｃ≦０．１０である。 （もっと読む）

【課題】 配向度の高く圧電特性が良好なニオブ酸ストロンチウムカルシウムナトリウム系のタングステンブロンズ構造金属酸化物の圧電材料及び圧電素子を提供する。
【解決手段】 そのための本発明は、少なくともＳｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｎｂの金属元素を含み、前記金属元素がモル換算で以下の条件を満たすタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記圧電材料にＷが含有されており、前記Ｗの含有量が前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．４０重量部以上３．２０重量部以下であり、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物がｃ軸配向を有することを特徴とする圧電材料である。Ｓｒ／Ｎｂ＝ａとしたときのａが：０．３２０≦ａ≦０．４３０、Ｃａ／Ｎｂ＝ｂとしたときのｂが：０．００８≦ｂ≦０．０８６、Ｎａ／Ｎｂ＝ｃとしたときのｃが：０．１８０≦ｃ≦０．２００である。 （もっと読む）

【課題】現状のＰＺＴ薄膜に代替可能な圧電特性を有するアルカリニオブ酸化物系の圧電薄膜を用いた圧電薄膜素子および圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板上に、圧電薄膜を有する圧電薄膜素子において、前記圧電薄膜は一般式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_ｙＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１）で表されるアルカリニオブ酸化物系のペロブスカイト構造を有し、前記アルカリニオブ酸化物系の組成が０．４０≦ｘ≦０．７０かつ０．７７≦ｙ≦０．９０の範囲にあり、さらに、前記（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_ｙＮｂＯ_３薄膜の面外方向格子定数ｃと面内方向格子定数ａの比が０．９８５≦ｃ／ａ≦１．００８の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】 配向度の高いニオブ酸バリウムビスマス系のタングステンブロンズ構造金属酸化物の圧電材料を提供する。また、それを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】 そのための本発明は少なくともＢａ、Ｂｉ、Ｎｂの金属元素を含み、前記金属元素がモル換算で以下の条件を満たすタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記圧電材料にＷが含有されており、前記Ｗの含有量が前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．４０重量部以上３．００重量部以下であり、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物がｃ軸配向を有することを特徴とする圧電材料である。Ｂａ／Ｎｂ＝ａとしたときのａが：０．３０≦ａ≦０．４００、Ｂｉ／Ｎｂ＝ｂとしたときのｂが：０．０１２≦ｂ≦０．０８４ （もっと読む）

【課題】ガラスやセラミックスなどマトリックス材料と金属粒子とを混合して焼結させた電気抵抗材料について、抵抗温度係数を制御する。
【解決手段】金属材料として、抵抗温度係数が異なる二種類以上の金属材料の粒子を混合して用い、その混合した金属材料とマトリックス材料とを、それら金属材料を化合や発熱反応をさせない温度で焼結させる。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時における歪特性に優れた圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、非鉛圧電／電歪材料から構成されてなり、前記非鉛圧電／電歪材料を構成する金属成分のうちの少なくとも一種の金属成分の比率が化学量論組成からモル換算で１％以上ずれた欠陥を生じたものであるとともに、ロットゲーリング法により測定されるＣ軸の配向度が３０％以上である。また、鉛を含まない非鉛圧電／電歪材料から構成されたものであるため、焼結体からの鉛の溶出がなく、環境汚染の問題を生じることもない。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】電界強度に比して大きな変形量を示す結晶配向セラミックスを提供する。
【解決手段】結晶配向セラミックス複合体は、第１面及び第２面を有する基板と、第１面に対向するように配置された｛１００｝配向セラミックス膜と、を有する。｛１００｝配向セラミックス膜は、第１断面を備える。第１断面とは、第１面に対して垂直であって、第１面の法線に対して±２０度の範囲内であるドメイン壁を備える９０度ドメインが、第１断面の１／３以上の面積を占める断面である。 （もっと読む）

【課題】高い電圧が印加された場合であっても、過大電流が発生し難いセラミックス体を提供する。
【解決手段】ＡｌおよびＯを含むセラミックス体であって、第３遷移元素（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）および第４遷移元素（Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ）から選ばれた少なくとも１種以上の特定遷移元素の酸化物を含有し、体積固有抵抗値が１．０×１０^１３〜１．０×１０^１５Ω・ｃｍであり、かつ、表面の少なくとも一部において、表面抵抗率が１０^１０〜１０^１５Ωであるセラミックス体。 （もっと読む）

【課題】常圧焼結法により安定して一定の圧電特性を持ち緻密化した焼結体となる、アルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスおよび製造方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属含有ニオブ酸化物を含む主成分に酸化ビスマスおよび酸化亜鉛からなる焼結助剤を添加した圧電セラミックスであって、仮焼工程、主成分の仮焼粉と焼結助剤とを混合する混合工程、混合工程で得られた混合紛を焼成して焼結体とする焼成工程を経ることで常圧焼結法により緻密化したアルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスが得られる。 （もっと読む）

【課題】常圧大気中での焼結によっても、高密度の焼結体を実現できるアルカリニオブ酸系圧電セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＭＯ_３（Ａはアルカリ金属、ＭはＮｂを必須とする遷移金属、Ｏは酸素）で表わされるニオブ系圧電セラミックスの製造方法において、目的組成に対してアルカリ金属成分を１０重量％未満（但し０重量％を除く）減じた組成の粉末を合成し、当該減じた分量のアルカリ金属を含有する粉末を前記合成粉末に混合し、成形した後、９００℃以上１２８０℃以下の温度で焼成する。このような工程を経ることにより、高密度のアルカリニオブ酸系圧電セラミックスを常圧大気中での焼結によっても提供できる。 （もっと読む）

【課題】高い配向性を維持しながら、クラックの無い焼結性の良好な機能性セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物粉体を分散させた第一のスラリーを基材上に設置する工程と、前記第一のスラリーに対して磁場を印加し凝固させて第一の成形体からなる下引き層を形成する工程と、前記下引き層の上に、前記セラミックスを構成する金属酸化物粉体を含む第二のスラリーを設置する工程と、前記第二のスラリーに対して磁場を印加し凝固させて第二の成形体を形成して前記第二の成形体と前記下引き層の積層体を得る工程と、前記第二の成形体と前記下引き層の積層体から前記下引き層を除去した後に焼成するか、又は前記第二の成形体と前記下引き層の積層体を焼成した後に前記下引き層を除去して、前記第二の成形体からなるセラミックスを得る工程を有するセラミックスの製造方法。 （もっと読む）