【課題】高電位勾配及び高非線形係数の両方を有する酸化亜鉛バリスタを製造する方法を提供すること
【解決手段】酸化亜鉛バリスタを製造する方法を開示し、この方法では、非等価イオンがドープされ且つ十分に半導体化された酸化亜鉛粒子と、高インピーダンス特性を有する焼結粉末とを２つの別々の手順でそれぞれ調製することによって高電位勾配及び高非線形係数の両方を特徴とする酸化亜鉛バリスタが得られる。特に、開示の方法は、２０００〜９０００Ｖ／ｍｍの電位勾配及び２１．５〜５５の非線形係数（α）を有する特定の酸化亜鉛バリスタの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】低温焼結特性を備え、純銀を内部電極に使用した多層チップ型ＺｎＯバリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎＯバリスタの製造方法は、十分な半導性を有するドープＺｎＯ粒子を調製するステップと、高インピーダンス焼結材料（またはガラス粉末）を別に調製するステップと、最後に前記ドープＺｎＯ粒子と前記高インピーダンス焼結材料を所定の比率でよく混合し、多層ＺｎＯバリスタ（または積層バリスタ（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｖａｒｉｓｔｏｒ、ＭＬＶ）とも呼ばれる）の従来の作製手法に従って、８５０℃〜９００℃の低温焼結温度下で純銀を内部電極として使用したＺｎＯバリスタを作製するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＶ積が低く、種々の特性のバラツキを小さくすることができ、しかも結晶粒子の粒成長が抑制された電圧非直線性抵抗体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として酸化亜鉛を含有し、酸化亜鉛１００モルに対して、副成分として、Ｃｏの酸化物をＣｏ換算で０．０５原子％超３０原子％未満、Ｓｒの酸化物をＳｒ換算で０．０５原子％超２０原子％未満、Ｒの酸化物（Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１つ）を、Ｒ換算で０．０１原子％超２０原子％未満、Ｓｉの酸化物をＳｉ換算で０．０１原子％超１０原子％未満、含有し、Ａｌ、ＧａおよびＩｎを含有しないことを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高い雷サージ耐量性能を有する酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛（ＺｎＯ）１００ｍｏｌ％に対して、酸化アンチモン（Ｓｂ₂Ｏ₃）２．５〜５．０ｍｏｌ％と、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）０．０５〜０．１５ｍｏｌ％とを添加し、さらに酸化コバルト（ＣｏＯ）と二酸化マンガン（ＭｎＯ₂）をそれぞれ２．０〜６．０ｍｏｌ％添加してなるバリスタ組成物により酸化亜鉛バリスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、低電力損失レベルを有する高電界バリスタ材料を提供することである。前記バリスタ材料が、他の電気特性、すなわち、特に、非線形電流−電圧曲線（または電流密度−電界強度曲線のそれぞれ）、インパルス挙動、及び耐用寿命の安定性に関する優れた性能を有することがさらなる目的である。
【解決手段】ＺｎＯ相を形成するＺｎＯ、及び粒界の酸化ビスマス相を形成するＢｉ₂Ｏ₃として表されるＢｉを含み、スピネル相をさらに含む、サージアレスタ用バリスタ材料であって、該バリスタ材料に含まれるパイロクロア相の量が、該スピネル相に対する該パイロクロア相の比が０．１５未満となる量であることを特徴とする、バリスタ材料。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛バリスタを製造するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】ドープした酸化亜鉛と高インピーダンス焼結材料を所定の比率でよく混合し、次いでこれを使用して低温の焼結（９００℃未満）によって従来技術により酸化亜鉛バリスタを作製することができるように、酸化亜鉛へのドーピングおよび酸化亜鉛粒子の高インピーダンス焼結材料との焼結を２つの独立した処理手順によって実施する。得られた酸化亜鉛バリスタは、内部電極として純銀を使用することができ、バリスタ特性、サーミスタ特性、キャパシタ特性、インダクタ特性、圧電性および磁性のうちの１つまたは複数を特に有する。 （もっと読む）

本発明は、Ｚｎを主成分として、Ｐｒを０．１〜３原子％の割合で含む、バリスタセラミックに関する。
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【課題】 サーミスタ用金属酸化物焼結体、サーミスタ素子及びサーミスタ温度センサ並びにサーミスタ用金属酸化物焼結体の製造方法において、幅広い温度範囲で測定可能であると共に、１０００℃付近の高温でも抵抗値変化が小さい特性を得ること。
【解決手段】 サーミスタに用いられる金属酸化物焼結体であって、一般式：（Ｌａ_１−ｙＹ_ｙ）_１−ｚＡ_ｚ（Ｃｒ_１−ｘＭｎ_ｘ）Ｏ_３（ただし、Ａ＝ＣａとＳｒとの少なくとも一方、０．０≦ｘ≦１．０、０．０＜ｙ＜１．０、０．０＜ｚ≦０．７）で示される複合酸化物を含む。また、サーミスタ素子３が、このサーミスタ用金属酸化物焼結体２と、サーミスタ用金属酸化物焼結体２に一端が固定された少なくとも一対のリード線１とを有する。 （もっと読む）

本発明は、以下の材料：Ｚｎを主成分として、Ｐｒを０．１〜３原子％の割合で、Ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される金属Ｍを０．１〜５原子％の割合で含む、バリスタセラミックに関する。
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【課題】低電圧駆動回路に対して低制限電圧、高インパルス耐量を備える高性能・超低圧駆動の酸化亜鉛チップバリスタを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛（ＺｎＯ）−酸化アンチモン（Ｓｂ₂Ｏ₃）−酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）の混合物と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）−ホウ酸（Ｈ₃ＢＯ₃）−酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）の混合物とをあらかじめ熱処理した後に添加し、それに所定のドナー元素を添加してなる材料によって高インパルス耐量化と低制限電圧化した酸化亜鉛チップバリスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】高密度実装が可能であり、優れたバリスタ特性を有しつつ抵抗のバラつきが十分に低減されたバリスタを提供すること。
【解決手段】バリスタ１は、バリスタ素体１０と、バリスタ素体１０の一方の主面上に一対の外部電極３０ａ，３０ｂと、当該主面上に抵抗体６０とを備え、抵抗体６０は一対の外部電極３０ａ，３０ｂを連結するように設けられている。バリスタ素体１０は、主成分として酸化亜鉛、副成分としてＣａ酸化物とＳｉ酸化物と希土類金属の酸化物とを含んでおり、主成分１００モルに対するＣａ酸化物のＣａ原子換算の比率Ｘが２〜８０原子％、主成分１００モルに対するＳｉ酸化物のＳｉ原子換算の比率Ｙは１〜４０原子％、Ｘ／Ｙは下記式（１）を満たし、外部電極及び抵抗体は、酸化ビスマス及び酸化銅とは異なる酸化物を含む。
１≦Ｘ／Ｙ＜３ （１） （もっと読む）

【課題】温度の変動に際しての容量特性の変動の小さな電圧非直線性抵抗体素子を得る。
【解決手段】この電圧非直線性抵抗体素子層２としては、ＺｎＯを主成分とした焼結体（セラミックス）が用いられる。この焼結体には、Ｐｒ、Ｃｏ、Ｃａ、及びＮａが添加される。このための範囲としては、Ｐｒが０．０５〜５．０原子％、Ｃｏが０．１〜２０原子％、Ｃａが０．０１〜５．０原子％、Ｎａが０．０００１〜０．０００８原子％である。この範囲の場合に、温度が２５℃の場合を基準とした８５℃での容量変化率を１０％以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 空乏層内の酸素イオンが気化することを抑制し、非線形特性機能の低下を未然に防止する。
【解決手段】 主成分のＺｎＯと所定の添加物で組成され、多数のＺｎＯ粒子およびＺｎＯ粒子間に形成された粒界層からなる多結晶質酸化物としての避雷器用非線形抵抗素子において、前記ＺｎＯ粒子のショットキー障壁の高さを０．５ＲＴ（Ｒ：気体定数、Ｔ：絶対温度）以上とする。 （もっと読む）

【課題】温度特性の安定化を図ることができるバリスタ素子を提供する。
【解決手段】バリスタ素子１では、バリスタ素体３内のＺｎＯを主成分とする粒子２０の粒内２１にＣａが存在しており、粒界２２にもＣａが存在している。これにより、バリスタ素体３では、ＺｎＯを主成分とする粒子２０の粒内２１の酸素欠陥がＣａによって置き換えられ、セラミック組織が緻密なものとなっている。また、粒子２０の粒界２２において、例えば焼成助剤であるＳｉなど、バリスタ素子１の温度特性の安定性を低下させる傾向を持つ元素の存在比も低下することとなる。この結果、バリスタ素子１では、温度特性の安定化が図られ、温度の変化に対する容量やｔａｎδの変化を小さくすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系透明薄膜の成膜工程において、パーティクルおよび異常放電の発生を抑制しうる酸化亜鉛系焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ピロ燐酸亜鉛または燐酸亜鉛水和物と酸化亜鉛とからなる比表面積が３〜２０ｍ²／ｇの原料粉末を混合しつつ粉砕した後に、急速乾燥造粒を行い、得られた造粒物を成形し、得られた成形体を、６００〜１０００℃の温度範囲を０．５〜１０℃／ｍｉｎで昇温し、１０００〜１２００℃にて１０〜３０時間、焼成することにより、リンと亜鉛の元素比Ｐ／Ｚｎが０．００６〜０．０６であり、焼結密度が５．４ｇ／ｃｍ³以上であって、リン化合物の径が５μｍ以下である酸化亜鉛系焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】１２００℃未満の低温度で焼成しても、従来品と同等のバリスタ電圧と大電流平坦率とを有する電圧非直線抵抗体およびその製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明電圧非直線抵抗体は、焼成体構成元素として亜鉛、ビスマス、アンチモン、マンガン、コバルト、ニッケル、アルミニウム、および硼素を含み、上記焼成体構成元素の総量中における亜鉛量が少なくとも９０モル％であり、ビスマスとアンチモンの合計量が０．９〜３モル％であってビスマス１モルに対するアンチモンが０．２５〜０．５モルであり、硼素量が０．０３〜０．１モル％である。 （もっと読む）

【課題】分散の良いセラミックス焼結体の材料として、微細な炭化物を酸化物粉末に被覆した粉末の提供。
【解決手段】酸化物表面が、平均粒子径１００nｍ以下のＷ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｖなどの金属の炭化物によって被覆された粉末は、金属とそれに配位した有機物とからなる組成物と、酸化物粉末を溶媒中で混合後、乾燥し、非酸化物雰囲気中にて８００〜１８００℃で金属を炭化することにより得られる。この酸化物複合材料は、炭化物による酸化物結晶の粒成長抑制効果により酸化物の結晶粒子が従来に比べ微細化され、炭化物粒子の接触点でも容易に焼結が進行してマイクロポアの発生も抑制される。容易に光学的鏡面でき、研磨速度も大きいため、生産の効率化に寄与する。更に、焼結体はイオン加工においても優れた表面粗さが得られ、強度や破壊靭性（耐クラック発生・伝播性）に優れ、加工時のクラック発生や粒子脱落（プルアウト）が無い。 （もっと読む）

【課題】薄いシートを複数層積層した構造の酸化亜鉛積層チップバリスタにおいて、制限電圧特性とインパルス耐量特性が共に優れた酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛(ZnO)100mol%と、酸化ビスマス(Bi₂O₃)を0.1〜1.5mol%と、酸化アンチモン(Sb₂O₃)を0.01〜2.0mol%と、酸化コバルト(CoO)および酸化マンガン(MnO₂)の内一種類以上を0.1〜1.5mol%と、酸化クロム(Cr₂O₃)を0.01〜2mol%と、ホウ酸(H₃BO₃)を0.01〜2mol%と、酸化アルミニウム(Al₂O₃)濃度が10〜1000ppmになるように、原料を準備し、この原料のうち、酸化ビスマス(Bi₂O₃)および酸化アンチモン(Sb₂O₃)の全量と、酸化亜鉛(ZnO)0.1〜1.0mol%を含む仮焼原料に700〜1000℃の温度範囲で熱処理を行い、該仮焼原料とその他の原料とを加えてグリーンシートを形成し、該グリーンシートを積層し、切断してグリーンチップを形成後、焼成する。 （もっと読む）

【課題】過電圧保護装置の小型化が実現できる高い抵抗値と優れた熱安定性を有し、非直線抵抗特性、寿命特性に優れた電流−電圧非直線抵抗体を得る。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビスマス、コバルト、マンガン、アンチモン、ニッケルをそれぞれＢｉ_２Ｏ_３、Ｃｏ_２Ｏ_３、ＭｎＯ、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＮｉＯに換算して、Ｂｉ_２Ｏ_３を０．３〜１．５ｍｏｌ％、Ｃｏ_２Ｏ_３を０．３〜２．０ｍｏｌ％、ＭｎＯを０．４〜３ｍｏｌ％、Ｓｂ_２Ｏ_３を０．５〜４ｍｏｌ％、ＮｉＯを０．５〜４ｍｏｌ％、Ａｌ^３＋を０．００１〜０．０２ｍｏｌ％含み、かつ、イットリウム、ユウロピウム、エリビウム、ツリウム、ガドリニウム、ジスプロジウム、ホルミウム、イッテリビウムのうち少なくとも一種の希土類元素Ｒの酸化物をＲ_２Ｏ_３に換算して０．０５〜１．０ｍｏｌ％含み、さらに、ＺｎＯの含有量が９０ｍｏｌ％以上の焼結体からなる。 （もっと読む）

【課題】避雷器の小型化のために、電流−電圧非直線抵抗体において電流−電圧非直線性、寿命特性およびエネルギー耐量に優れるとともに、雷サージエネルギー吸収後の低電流域非直線抵抗特性の劣化が抑制される優れた電流−電圧非直線性抵抗体を提供する。
【解決手段】ＺｎＯを主成分とし、副成分としてＢｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、ＢおよびＡｇを、それぞれＢｉ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｃｏ_２Ｏ_３、ＭｎＯ、ＮｉＯ、Ｂ_２Ｏ_３およびＡｇ_２Ｏに換算して、Ｂｉ_２Ｏ_３を０．３〜２ｍｏｌ％、Ｓｂ_２Ｏ_３を０．８〜７ｍｏｌ％、Ｃｏ_２Ｏ_３を０．３〜１．５ｍｏｌ％、ＭｎＯを０．４〜６ｍｏｌ％、ＮｉＯを０．５〜５ｍｏｌ％、Ｂ_２Ｏ_３を０．００５〜０．１ｗｔ％、およびＡｇ_２Ｏを０．００５〜０．１ｗｔ％含み、上記Ａｇ_２Ｏに対するＢ_２Ｏ_３の含有量が重量比で０．０５以上０．５以下である焼結体からなる。 （もっと読む）