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Fターム[4G031AA33]の内容

酸化物セラミックスの組成 (18,827) | 成分 (10,922) | 第3b〜6b族元素酸化物 (1,974) | 酸化リン (18)

Fターム[4G031AA33]に分類される特許

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【課題】 機械的強度および比誘電率を向上させた誘電体セラミックスおよびフィルタとしてこの誘電体セラミックスを備える共振器を提供する。
【解決手段】 Ln,Al,Me,Ti(Ln=La,Nd,Smから選ばれる1種、Me=CaまたはSr)の酸化物の多結晶体100質量%に対し、リンを五酸化二リン換算
で0.7質量%以下(0質量%を除く)含有する誘電体セラミックスである。この誘電体セ
ラミックスは、リンを五酸化二リン換算で0.7質量%以下(0質量%を除く)含有するこ
とにより、リンを含有しない、およびリンを五酸化二リン換算で0.7質量%を超えて含有
する、Ln,Al,Me,Tiの酸化物の同じモル比の多結晶体からなる誘電体セラミックスと比較して、機械的強度を向上させることができるとともに、比誘電率を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】低温劣化を抑制することが可能なジルコニア焼結体を提供すること、並びに、該ジルコニア焼結体の前駆体となる焼結用組成物及び仮焼体を提供すること。
【解決手段】ジルコニア焼結体の焼成面におけるX線回折パターンにおいて、正方晶由来の[200]ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さに対する立方晶由来の[200]ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さの比が0.4以上であり、焼成面からの深さが100μm以上の領域におけるX線回折パターンにおいて、正方晶由来の[200]ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さに対する立方晶由来の[200]ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さの比が0.3以下である。 (もっと読む)


【課題】低温劣化を抑制することが可能なジルコニア焼結体を提供すること、並びに、該ジルコニア焼結体の前駆体となる焼結用組成物及び仮焼体を提供すること。
【解決手段】ジルコニア焼結体は、部分安定化ジルコニアをマトリックス相として有し、ホウ素を、ジルコニア焼結体の質量に対して、3×10−4質量%〜3×10−1質量%含有する。ジルコニア焼結体は、ビスマス、スズ、ゲルマニウム、及び硫黄のうち少なくとも1つのをさらに含有し、ビスマスを含有する場合、ジルコニア焼結体の質量に対して0.001質量%〜1質量%含有し、スズを含有する場合、ジルコニア焼結体の質量に対して0.001質量%〜1質量%含有し、ゲルマニウムを含有する場合、ジルコニア焼結体の質量に対して0.001質量%〜1質量%含有し、硫黄を含有する場合、ジルコニア焼結体の質量に対して0.001質量%〜1質量%含有する。 (もっと読む)


【課題】寿命信頼性を向上し得る、強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中、0.9<x<1.3、0≦y<0.1、0≦z<0.9)で示される複合金属酸化物に、Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及びCsからなる群より選ばれた1種或いは2種以上の元素から構成される金属酸化物がある一定の割合で混合した混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜が、2〜23層の焼成層を積層して構成され、焼成層の厚さtが45〜500nmであり、焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均xが200〜5000nmであり、焼成層のいずれにおいても1.5t<x<23tの関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】破壊靱性のより高いジルコニア焼結体、並びに該ジルコニア焼結体の前駆体となる焼結用組成物及び仮焼体を提供すること。
【解決手段】ジルコニア焼結体は、安定化剤を含有する部分安定化ジルコニアをマトリックス相として有し、ジルコニア焼結体の試料表面において、10μm×10μmの領域を256マス×256マスの格子状に区分した各マスにおける安定化剤の濃度を質量%で表記した場合に、安定化剤の表面濃度の標準偏差が0.8以上である。 (もっと読む)


【課題】より強度の高い、透明基板などの透光性構造体を形成する材料としての透光性スピネルセラミックス、および当該透光性スピネルセラミックスを用いた透光性スピネルセラミックス構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】透光性スピネルセラミックス構造体を形成するための透光性スピネルセラミックス20は、スピネル粒子と、α型アルミナ粒子22とを備えており、スピネル粒子中に、TiO、Pからなる群から選択される少なくとも1種をさらに含む。透光性スピネルセラミックス20におけるα型アルミナ粒子は、スピネル粒子とα型アルミナ粒子22との質量の和の3mol%以上50mol%以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高温における電気抵抗率が大きく、昇温時に耐火物表面が部分的に欠落するチップオフ現象を示さず、かつ溶融した低アルカリガラスとの接触においても成分の抜け出しが少ないため、操業時に亀裂が発生しにくい、電気溶融窯用に適した高ジルコニア質耐火物を提供する。
【解決手段】化学成分として、質量%で、ZrOを内掛けで85〜95%、SiOを内掛けで3.0〜10%、Alを内掛けで0.85〜3.0%、NaOを実質的に含まず、KOを外掛けで0.01〜0.5%、SrOを内掛けで1.5〜3.0%、並びにNb及び/又はTaを「(Nbの含有量)+(Taの含有量/1.66)」で得られる値として内掛けで0.1〜2.0%含有する高ジルコニア質耐火物。 (もっと読む)


本発明は、下記化学式1で表されるチタン酸バリウム系粉末に関する。
[化学式1]
(Bar1r2)(Tir3r4)O
(前記Rは、イットリウム(Y)、ランタン族元素からなる群から選択される1種以上であり、前記Rは、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)からなる群から選択される1種以上であり、前記Rは、リン(P)及びニオブ(Nb)からなり、前記Rは、アルミニウム(Al)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、タンタル(Ta)からなる群から選択される1種以上であり、前記rとrは、互いに独立して0より大きく0.05以下の実数であり、前記rとrは、互いに独立して0より大きく0.1以下の実数であり、(x+r+r)/(y+r+r)は、0.85以上1.15以下である実数である。) (もっと読む)


従来技術によれば、圧電セラミック多層エレメントは空気中で約1100℃以上の温度で焼結される。したがって、内部電極としては高い溶融温度を有する貴金属しか使用することができない。卑金属では酸化する虞がある。したがって通常の場合は、40%迄のパラジウムを有する銀パラジウム合金が使用される。しかしながら、これは高い材料コストに繋がる。しかしながら内部電極材料の低い溶融温度は相応に低い焼結温度を有するセラミック材料も必要とする。したがって本発明によれば、基本材料に非導電性の焼結助剤を添加し、内部電極が主材料成分として銀、有利には純銀、また非導電性材料成分および/または金属合金または金属酸化物混合物を含有する。
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【課題】 焼成時における歪みの緩和及び結晶粒成長の安定化を図りつつ、圧電歪み特性の劣化を抑えることができる圧電磁器の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電磁器(圧電体層2)の製造方法は、主成分としてTiO原料とZrO原料とPbO原料とを含み、且つ、副成分としてPが添加された圧電材料を焼成して、圧電磁器を作製する圧電磁器の製造方法であって、圧電材料には、TiO原料及びZrO原料に含まれるPが40ppm以上350ppm以下の範囲で混入され、圧電材料に含まれるPのうち、副成分として添加されるPの割合が30%以下であることを特徴とする。このような製造方法によれば、焼成時における歪みの緩和及び結晶粒成長の安定化が実現し、圧電歪み特性の劣化が抑えられることを発明者らは見い出した。 (もっと読む)


【課題】 圧電歪み特性の向上が図られた圧電磁器の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電磁器(圧電体層2)の製造方法は、TiO原料とZrO原料とPbO原料とを主成分として含む圧電材料を焼成して圧電磁器を作製する圧電磁器の製造方法であって、TiO原料及びZrO原料に含まれるPを40ppm以上350ppm以下の範囲で圧電材料に混入させることを特徴とする。発明者らは、圧電磁器に用いられる圧電材料にPが含有されており、そのPがPとして、圧電材料中のTiO原料及びZrO原料から上記範囲の量だけ混入する場合に、圧電歪み特性が有意に向上することを見い出した。 (もっと読む)


酸化物重量パーセントに基づいて、a(Al2TiO5)+ b(ZrTiO4)+ c(Y2O3)+ d(YPO4)として表記され、ここで、「a、b、c、およびd」が(a + b + c + d)= 1.00である各成分の重量画分を表し、且つ0.5 < a ≦ 0.95、0 ≦ b ≦ 0.5、0.0 ≦ c ≦ 0.10、および0 ≦ d ≦ 0.5であるものを含む、焼結相セラミック組成物から構成されるセラミック物品が開示されている。また、前駆体バッチ組成物および本明細書に開示されるセラミック物品の製造に関する方法も開示されている。
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【課題】 変位に対する電界依存性を低くすることができる圧電素子を提供する。
【解決手段】 圧電素子1は、圧電体3を介して内部電極4A,4Bを交互に積層してなる構造を有している。圧電体3は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を主成分とする圧電磁器で形成されている。圧電磁器(PZT)には、P及びKが含有されている。圧電磁器中におけるPの含有量は、Pに換算して、0<P≦250ppmである。圧電磁器中におけるKの含有量は、KOに換算して、30ppm≦KO≦250ppmである。 (もっと読む)


【課題】ポリマー電解質に添加する場合においてポリマー電解質との密着性が高く、焼結によって固体電解質を作製する場合においても、充填率が高くなり、焼成後も緻密となるリチウムイオン伝導性の無機粉体とその製造方法を提供する。
高出力・高容量のリチウム二次電池、およびリチウム一次電池を提供することを課題とする。
【解決手段】個々の粒子投影像の面積とそれぞれ同じ面積の円の周長をl、粒子投影像の周長をLとしてl/Lを円形度とした場合に、円形度が0.8以上の粒子が75%以上であることを特徴としたリチウムイオン伝導性無機粒子。
平均粒径5μm以下の一次粒子に溶媒を加えてスラリーとする工程と、前記スラリーを造粒し二次粒子を得る工程と、前記二次粒子を熱処理する工程とを含み、熱処理後の二次粒子の平均粒径が30μm以下のリチウムイオン伝導性の無機物球状粒子を得ることを特徴としたリチウムイオン伝導性無機粒子の製造方法。 (もっと読む)


75から99%のジルコンを含み、及び酸化物に基づく重量パーセントで、重量あたり以下の平均化学組成を有する初期分量から製造された焼成生成物。60%≦ZrO+HfO≦75%;27%≦SiO≦34%;0≦TiO;0≦Y≦3.5%0.1%≦Nb+Ta≦5%;及び他の酸化物:≦1.5%;全体として100%。及びガラス炉での利用。 (もっと読む)


【課題】誘電体層を多層化・薄層化しても所望の寿命を有し、小型大容量化が可能な積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】BaCO、SrO、TiO及びSc,Y,Gd,Dy,Ho,Er,Yb,Tm,Luから選択された1種又は2種以上の希土類元素の酸化物の混合物を仮焼してなる第1基本成分とBaCO及びZrOの混合物を仮焼してなる第2基本成分との混合物である基本成分を生成する工程を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


本発明の特徴は、表面抵抗率が1×105〜1×1012Ω/□である安定化ジルコニアと、少なくとも2容積%の散乱材料とを含む静電散逸セラミック素子に見いだすことができる。安定化ジルコニアは、60〜95重量%の量で存在できる。本発明のさらに別の特徴は、安定化ジルコニアと、抵抗率変更剤と、散乱材料とを含む静電散逸セラミック材料に見いだすことができる。安定化ジルコニアは、セラミック材料の60〜95重量%の量で存在できる。抵抗率変更剤は、5〜30重量%の量で存在できる。散乱材料は、静電散逸セラミック材料の少なくとも2容積%を占めることができる。この素子は、ハード・ドライブなどのエレクトロニクス素子の製造に使用することができる。 (もっと読む)


【課題】焼結体の内部に焼結助剤が均一に分散させて熱処理することができるセラミックス体の製造方法の提供。
【解決手段】成所定の真空度に保った成膜室の内部で、セラミックス粉体をガスによって分散させることにより生成されたエアロゾルをノズルから基板上に噴射させることにより成膜する(S1)。基板を所定の成膜温度に保ち、焼結助剤の成分を含む気体雰囲気において焼結を行う(S2)。セラミックスはPZT等の圧電セラミックスを含み、焼結助剤はPbO,LiBiO2,LiF,Li3PO4,Li2CO3,Li2SO4,Li2O3,Bi2O3,Li2CO3−Bi2O3−B2O3,BiF3−LiF,PbO−B2O3,PbF2−PbBr2,ZrF4−LiF,PbO−Bi2O3−V2O5,Pb複合酸化物、Bi複合酸化物の内のいずれかの成分を含む。セラミックス体を用いて液体吐出ヘッドを製造することができる。 (もっと読む)


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