Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを主成分とするペロブスカイト構造を有する複合酸化物と、下記（ａ）成分及び／又は（ｂ）成分、又は、下記（Ａ）成分及び／又は（Ｂ）成分と、を含有する圧電磁器組成物。
（ａ）Ａｇ及び／又はＡｇ化合物、並びに、Ｍｏ及び／又はＭｏ化合物
（ｂ）モリブデン酸銀［Ａｇ_２ＭｏＯ_４］
（Ａ）Ａｇ及び／又はＡｇ化合物、Ｍｏ及び／又はＭｏ化合物、並びに、Ｗ及び／又はＷ化合物
（Ｂ）モリブデンタングステン酸銀［Ａｇ_２Ｍｏ_{（１−Ｘ）}Ｗ_ＸＯ_４］（但し、Ｘは０．３〜０．７の数である。）
（もっと読む）

【課題】誘電体層が薄い積層セラミックコンデンサであっても直流電圧による静電容量変化の少ない、即ち優れたＤＣバイアス特性を持つ積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】チタン酸カルシウムが主成分の結晶粒子から構成され、この結晶粒子の中央部分を半導体相、周辺部分を常誘電体相としたセラミック誘電体を用いることにより、静電容量が大きく、かつＤＣバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく（平均寿命が長く）、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層を構成する結晶粒子に第１の希土類元素（Ｒ１）および第２の希土類元素（Ｒ２）がそれぞれ拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、第１の希土類元素（Ｒ１）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ１が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ１（％）とし、第２の希土類元素（Ｒ２）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ２が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ２（％）とした場合、第２の希土類元素（Ｒ２）の拡散層深さｄ２が第１の希土類元素（Ｒ１）の拡散層深さｄ１よりも深部に及んでおり、Ｘ１＝１０〜３５％、かつＸ２＞Ｘ１（ｄ２＞ｄ１と同義）の関係が成立してなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 分極特性の向上したPZT膜を得、結晶異方性の向上および絶縁性の改善を図ることを目的とする。
【解決手段】 本発明のチタン酸ジルコン酸鉛膜は、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃）のＢサイト（Ｚｒ，Ｔｉ）の一部がイオン半径０．７４５〜０．９０１Åである希土類イオンで置換されてなる；チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃）のＡサイト（Ｐｂ）およびＢサイト（Ｚｒ，Ｔｉ）のそれぞれの一部が、Ｂｉイオンもしくはイオン半径０．７４５〜０．９７０Åである希土類イオンで置換されてなる；または、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃）のＢサイト（Ｚｒ，Ｔｉ）の一部が、イオン半径０．７４５〜０．９１２Åである希土類イオン、ならびにＮｂ、Ｖ、Ｍｏ、ＴａもしくはＷから選ばれる高原子価数イオン、の両方で置換されてなる。 （もっと読む）

【課題】 １０００℃以下の低温でも焼結することができ、かつ誘電特性に優れた誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】 組成式ａ・Ｌｉ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、Ｒは希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０≦ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表される誘電体成分とガラス成分とを含む混合物を焼成することにより得られ、誘電体成分は原料を仮焼成することにより調製され、ガラス成分として少なくともビスマス系ガラスが含まれており、焼成後のＸ線回折チャートにおいて、ペロブスカイト構造を有する主相である第１の相のピーク強度に対する、希土類元素を含む第２の相のピーク強度の比（第２の相／第１の相）が２０％以下であること特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく（平均寿命が長く）、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、およびＳｒのグループから選択される少なくとも１種からなる第１副成分と、酸化シリコンを主成分として含有する第２副成分と、Ｖ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃およびＷＯ₃のグループから選択される少なくとも１種からなる第３副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕのグループから選択される少なくとも１種の第１の希土類元素（Ｒ１）の酸化物からなる第４副成分と、ＣａＺｒＯ₃、またはＣａＯとＺｒＯ₂の混合体（ＣａＯ＋ＺｒＯ₂）からなる第５副成分とを有し、誘電体層を構成する結晶粒子にＺｒが拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、Ｚｒの拡散層深さが結晶粒子の径に対して１０〜３５％までの深さとなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、Ｔｃバイアス特性変化率が小さく、加速試験における抵抗変化率が小さく、信頼性に優れる誘電体磁器組成物および電子部品を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、酸化シリコンを主成分とする第１副成分と、ＣａＺｒＯ₃、またはＣａＯとＺｒＯ₂の混合体を含む第２副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される第１の希土類元素（Ｒ１）の酸化物からなる第３副成分と、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕのから選択される第２の希土類元素（Ｒ２）の酸化物からなる第４副成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯから選択される第５副成分と、Ｖ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃、ＷＯ₃から選択される第６副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物であって、第１副成分〜第４副成分の関係において、各副成分割合が所定の関係を満たすように構成する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも２つのセラミックスおよびこれらのセラミック素子の間に配置された銅を含有する電極が設けられている圧電トランスに関する。本発明によれば、Pb(Zr_ｘTi_１−ｘ)O_３ + y Pb(Mn_１／３ Nb_２／３)O_３ を含む組成から成るセラミックス素子が選ばれる。 （もっと読む）

【課題】 ランタンで修飾されたチタン酸ジルコニウム鉛（ＰＬＺＴ）の層を形成する方法等を提供する。
【解決手段】 ＰＬＺＴの層を形成する方法は、（ａ）材料の層を形成するために、鉛の原子、ランタンの原子、ジルコニウムの原子、チタンの原子、及び一つ以上のジオールの化合物を含む溶液で基体を被覆するステップ、（ｂ）第一の時間周期の間に室温より上の且つ４００℃以下の温度まで該材料の層を加熱するステップ、及び（ｃ）その後、続いて第二の時間周期の間に酸素が豊富な雰囲気で５００℃以上の温度まで該材料の層を加熱するステップを含む。 （もっと読む）

本発明は、微細な結晶性酸化物粒子の懸濁液を基板上に塗布し、懸濁媒を蒸発させ、基板上の塗膜を焼結することを特徴とする、基板の被覆方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】任意の場所に任意の形状で、誘電体組成物を形成すること。
【解決手段】現像液に少なくとも一部が溶解する無機フィラーと、樹脂を含む誘電体組成物であって、無機フィラーの量が、誘電体組成物中に含まれる固形分全量の６０体積％以上であり、膜状の該誘電体組成物を現像し、パターン化したときの膜断面のテーパーの角度が７０°以上１１０°以下であることを特徴とするパターン化された誘電体組成物および該誘電体組成物上にマスクパターンを形成し、酸と過酸化水素を含む混合溶液を用いて誘電体組成物中のフィラー成分を溶解してパターン化することを特徴とするパターン化された誘電体組成物の製造方法。 （もっと読む）

今後、更に小型大容量化が進行しても高電圧直流下あるいは高周波／高電圧交流下でも高い信頼性を有する誘電体セラミック組成物を提供する。
本発明の誘電体セラミック組成物は、組成式が１００Ｂａ_ｍＴｉＯ_３＋ｘＣｕＯ＋ａＲＯ_ｎ＋ｂＭｎＯ＋ｃＭｇＯ（但し、係数１００、ｘ、ａ、ｂ、ｃはそれぞれモル比を表し、ｍはＢａとＴｉとの比（Ｂａ／Ｔｉ）を表し、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも一種類の金属元素を表し、ｎはＲの価数で決まる電気的中性を保つために必要な正の数を表す。）で表される主成分を含有し、ｍ、ｘ、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０．９９０≦ｍ≦１．０５０、０．１≦ｘ≦５．０、９．０≦ａ≦２０．０、０．５≦ｂ≦３．５及び０＜ｃ≦４．０を満足し、且つ、主成分１００重量部に対して０．８〜５．０重量部の焼結助剤を含有する。 （もっと読む）

セラミック多層モジュール（１）のような積層型セラミック電子部品に備える多層セラミック基板（２）において積層される絶縁性セラミック層（３）のための絶縁体セラミック組成物であって、
フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３およびＴｉＯ_２より選ばれる少なくとも１種を主成分とする第２のセラミック粉末と、ホウケイ酸ガラス粉末とを含み、ホウケイ酸ガラス粉末は、リチウムをＬｉ_２Ｏ換算で３〜１５重量％、マグネシウムをＭｇＯ換算で３０〜５０重量％、ホウ素をＢ_２Ｏ_３換算で１５〜３０重量％、ケイ素をＳｉＯ_２換算で１０〜３５重量％、亜鉛をＺｎＯ換算で６〜２０重量％、および、アルミニウムをＡｌ_２Ｏ_３換算で０〜１５重量％含む。絶縁体セラミック組成物は、１０００℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Ｑ値が高い。 （もっと読む）

本発明は、鉛、ジルコニウムおよびチタンを含有するペロブスカイト構造を有する第一のセラミック材料と、クリオライト構造を有する第二のセラミック材料とからなるセラミック材料に関する。該セラミック材料は特に有利には圧電アクチュエータのために使用可能である。
（もっと読む）

酸化物の形としてＢａＯ、ＳｒＯ、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３を含み、それぞれの含有量を分子濃度比とするとき、ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＴｉＯ_２：０．２〜０．８、ＳｉＯ_２：０．１〜０．６、Ａｌ_２Ｏ_３：０．０５〜０．２５で、ＳｒＯおよびＢａＯの合計量を１とするとき、（１−ｘ）ＢａＯ＋ｘＳｒＯ＝１の式にてｘ：０．１〜０．７であり、キュリー温度が−１００℃から８０℃までの範囲にあることを特徴とするガラス組成物。また、ガラス組成物中でＡｌ_２Ｏ_３となる素材原料にＡｌＦ_３を用い、原料粉末を１３００〜１４００℃にて溶融した後、急冷して得たガラスの粉末を用いて９００〜１２００℃にて焼成する上記の強誘電性ガラス組成物の製造方法。このようにして、印加電圧による可変容量コンデンサ素子に用いるキュリー温度制御の容易な低温焼成可能強誘電性のガラス組成物とその製造方法が提供できる。 （もっと読む）

積層セラミックコンデンサを構成している積層誘電体素子本体内部での残留応力、又は積層誘電体素子本体の外表面での残留応力を所定の値以上にすることにより、誘電率が高く且つ取得静電容量の大きい信頼性の高い積層型セラミックコンデンサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】燃料電池での使用に適した無機電解質シートであって、固体酸化物燃料電池での使用に適した集合組織電解質シートを提供する。
【解決手段】本発明の１つの実施例によれば、電解質シートは各種厚さのボディを含み、この電解質シートは複数の突出形状部を有する集合組織表面を有している。突出形状部は、電解質シートの法線に関してアンダーカット角を形成する。アンダーカット角度は、０度よりも大且つ１５度未満である。 （もっと読む）

本発明は、Ｃｕ−カチオンを有する本発明による組成のＰＺＴ−セラミックの少なくとも１つの含分を有する一般組成ＡＢＯ_３の圧電セラミック材料に関する。Ｚｒ−及びＴｉ−カチオンの含分は、Ｃｕ−カチオンの含量に応じて、セラミック材料がモルフォトロピック相境界に調節されているように選択される。さらに本発明は、そのようなセラミック材料の製造方法を記載する。 （もっと読む）

本発明は、エアロゾルデポジション法等で形成された微結晶セラミックス膜に、セラミックス自体は吸収しやすく、逆に金属では反射するという赤外線のセラミックス材料に対する光学特性を利用したレーザー照射による加熱処理を行うことにより、微結晶セラミックス膜が基板から剥離することなく粒成長及び欠陥回復が可能なセラミックス膜構造体、その形成方法及び装置を提供することを目的とする。
本発明のセラミックス膜構造体の形成方法は、金属基板上に微結晶セラミックス膜を形成した後、該微結晶セラミックス膜に赤外線レーザーを照射することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ_３を１００モル部、ＭｎＯをｘ_１モル部、Ｃｒ_２Ｏ_３をｘ_２モル部、Ｙ_２Ｏ_３および／またはＨｏ_２Ｏ_３をｘ_３モル部、ＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯからなる群より選択される酸化物をｘ_４モル部、ＳｉＯ_２および／またはＧｅＯ_２をｘ_５モル部含み、０．５≦ｘ_１≦４．５、０．０５≦ｘ_２≦１．０、ｘ_１＋ｘ_２≦４．５５、０．２５≦ｘ_３≦１．５、０．５≦ｘ_４≦６、および０．５≦ｘ_５≦６を満たす。本発明の積層型セラミックコンデンサは、このような組成物により構成されるセラミック誘電体と、ＮｉまたはＮｉ合金により構成される電極とからなる、積層構造を有する。 （もっと読む）