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Fターム[4G031GA15]の内容

酸化物セラミックスの組成 (18,827) | 製法 (3,951) | 焼結体の処理方法 (225)

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【課題】適正な添加物を適正な量添加することにより、単位体積当たりの発電量を向上させた圧電体を提供する。
【解決手段】圧電素子構造体において、1は添加物としてニオブが1モル%添加され、分極処理の過程で分極電界が1.5kV/mm印加されて作製された圧電体、2は電極、3,4は出力端子である。圧電体1の上下面に電極2が形成されて圧電素子が構成され、積層された各圧電素子の電極2は同極同士が接続されて出力端子3,4が形成される。圧電体の母材としては、圧電発電体であるチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)が好ましい。母材に0.1〜4モル%添加される添加物としては、ニオブ、タングステン、タンタル、ランタン、アンチモン、ビスマス、トリウムの酸化物等の、ペロブスカイト結晶構造のBサイトに導入され、低弾性率素子として母材にドナーを供給できる元素が好ましい。 (もっと読む)


【課題】衝撃吸収性と静音性を有し、強度にも優れる積層体と、これを利用した板状建材、天面材及びその設置構造を提供する。
【解決手段】本発明の積層体1は、実質的にAl及びTiOのみよりなる若しくは実質的にAl、TiO及びMgOのみよりなり、組成比が、Al26〜57質量%、TiO43〜63質量%、MgO11質量%以下であるセラミックス焼結板2と、貯蔵弾性率が0.05GPa以下の裏打層3とを有するものである。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率εrが高く、Q×f値が大きな誘電体磁器を実現でき、低温焼成が可能な誘電体磁器組成物及び誘電体磁器を提供すること。
【解決手段】 下記組成式(1)で表される酸化物誘電体を主成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも1種を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
a・CaO−b・LiO1/2−c・BiO3/2−d・REO3/2−e・TiO…(1)
[但し、上記式(1)中、REは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Dy、Yb及びYからなる群より選ばれる少なくとも1種を表す。また、a〜eは、各成分の比率(モル%)を表し、
26<a≦45、
0<b≦12、
0≦c≦(a+d)/4、
0≦d≦12.5、
50≦e≦60、
0.65≦b/(c+d)<1.0、
a+b+c+d+e=100
となる関係を満たす値である。] (もっと読む)


【課題】結晶の配向性を高めるに際して、シート部同士をできるだけ接しないようにし、体積効率を高めて焼成する。
【解決手段】無機粒子をシート厚さが10μm以下のシート状に形成した複数のシート部32に成形し、このシート部32の間に上部スペーサ34及び下部スペーサ35を入れて積層した積層体に貫通孔26を設け、この貫通孔26に吊棒28を挿入し吊した状態で焼成し、積層焼成体20を作製する。シート部32は、シート厚さ方向に存在する材料が限られているため、焼成などにより粒成長すると、シート面方向に結晶粒子が成長する。また、シート部32の間にはスペーサ34,35により空間が形成されているからシート部同士が接しにくい。また、シート部32を積層し吊した状態で焼成するから、強度が必要な載置部材を省略可能であり、より体積効率を高めた状態で焼成することができる。 (もっと読む)


【課題】液晶プロジェクターの透明基板などに用いられる多結晶透明セラミックス基板の安価な製造方法を提供する。
【解決手段】所定の形状に成形されたセラミックス体を焼結して、多結晶透明セラミックス焼結体を作製する工程、前記多結晶透明セラミックス焼結体を切断して、複数の多結晶透明セラミックス切断体を作製する工程、前記多結晶透明セラミックス切断体の切断面を研磨して、多結晶透明セラミックス研磨体を作製する工程、前記多結晶透明セラミックス研磨体にARコーティングを施し、多結晶透明セラミックスコーティング体を作製する工程を含むことを特徴とする多結晶透明セラミックス基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】IR寿命に優れ、定格電圧の高い(たとえば100V以上)中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】BaTiOと、BaZrOと、R酸化物(Rは希土類元素)とを有する誘電体磁器組成物であって、BaTiO 100モルに対して、BaZrOの含有量をAモル、R酸化物の含有量をCモルとした場合に、40≦A≦65モル、4≦C≦15モルで、かつ、式(1)および(2)を同時に満足する誘電体磁器組成物。式(1)…0.0038A−0.147≦B≦0.004A+0.04(Bは、BaTiOのX線最大ピーク強度に対するBaZrOのX線最大ピーク強度の比)、式(2)…0.0041C−0.0115≦D≦0.0046C+0.084(Dは、BaTiOのX線最大ピーク強度に対するR酸化物のX線最大ピーク強度の比) (もっと読む)


【課題】歯科用インプラントを口腔内に適用した際における金属の溶出が確実に防止されるとともに、装着時における不適合(がたつき等)の発生を確実に防止することができる歯科用インプラントを提供すること、また、前記歯科用インプラントを製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の歯科用インプラントの製造方法は、酸化物系セラミックスで構成された粉末と結合材とを含む組成物を成形してセラミックス成形体を得る工程と、チタンまたはチタン合金で構成された粉末と結合材とを含む組成物を成形してチタン成形体を得る工程と、チタン成形体とセラミックス成形体とを螺合により組み立て組立体を得る工程と、組立体に対して脱脂処理を施す工程と、脱脂処理が施された組立体に対して焼結処理を施す工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】減圧環境下で使用されるセラミックス部品において、処理物への汚染の少ないセラミックス部品の装着方法および有機物の汚染の少ない半導体製造装置用セラミックス部品の製造方法を提供する。
【解決手段】X線光電子分光法で表面の深さ方向の測定をし、表面から5nm以深の深さで検出される炭素量が5mass%以下である状態で半導体製造装置に装着することを特徴とする半導体製造装置用非汚染性セラミックス部品の装着方法である。 (もっと読む)


【課題】 圧電歪み特性の向上が図られた圧電磁器の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電磁器(圧電体層2)の製造方法は、TiO原料とZrO原料とPbO原料とを主成分として含む圧電材料を焼成して圧電磁器を作製する圧電磁器の製造方法であって、TiO原料及びZrO原料に含まれるPを40ppm以上350ppm以下の範囲で圧電材料に混入させることを特徴とする。発明者らは、圧電磁器に用いられる圧電材料にPが含有されており、そのPがPとして、圧電材料中のTiO原料及びZrO原料から上記範囲の量だけ混入する場合に、圧電歪み特性が有意に向上することを見い出した。 (もっと読む)


【課題】低温かつ低酸素還元性雰囲気中において焼成が可能で、かつ1kV/mm以上の高電圧下においても十分な変位が得られる圧電磁器組成物及び積層型圧電素子を提供する。
【解決手段】下記の組成式で示される複合酸化物を主成分とし、主成分に対し、第1副成分として、CuをCuO換算量αで0<α≦0.5質量%、第2副成分として、Liを炭酸物換算量βで0<β≦0.1質量%、第3副成分として、Ta、Nb、WおよびSbから選ばれる少なくとも1種を酸化物換算量γで0<γ≦0.6質量%を含む圧電磁器組成物。
組成式:Pb[(Zn1/3Nb2/3TiZr]O
ただし、a、x、y、zが、0.96≦a≦1.03、0.005≦x≦0.047、0.42≦y≦0.53、0.45≦z≦0.56、x+y+z=1を満足する。 (もっと読む)


【課題】 耐摩耗性が高く、長時間使用可能で、且つ極めて高精度で微細な構造を有するセラミック製ノズルを提供することを解決課題とする。
【解決手段】 ノズル本体と、該ノズル本体先端に取り付けられる貫通孔の設けられたノズルチップとからなり、少なくとも該ノズルチップが導電性セラミックスからなるとともに、該ノズルチップの貫通孔が、前記ノズル本体を通過した噴出物が導入される導入部と、該導入部と連続して形成された中間部と、該中間部と連続して形成された前記噴出物が噴出される噴出口からなり、該中間部が、円筒状で且つ先細りのテーパ形状であって、先端が半球状の曲面であり、該噴出口が、該中間部の該曲面を始端として形成され、且つ先広がりのテーパ形状からなることを特徴とするセラミックス製ノズルである。 (もっと読む)


【課題】良好な圧電特性を有する圧電膜を備えた圧電アクチュエータを提供すること。
【解決手段】圧電アクチュエータ100における圧電膜40を、Pb(Ni1/3Nb2/3)O−PbZrO−PbTiO系材料で構成され且つ0.2μm〜2.0μmの平均粒径を有する結晶からなるものとした。基板10が圧電膜40と反応する可能性のあるものの場合には、例えば、基板10の表面を酸化物膜や窒化物膜などの拡散バリア層20を基板10上に形成する。 (もっと読む)


【課題】Cuを内部電極層の導電材料とする積層型圧電素子であっても高い圧電定数を得ることのできる積層型圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Aサイト成分として少なくともPbを含み、Bサイト成分として少なくともTi及びZrを含み、一般式:ABOで表されるペロブスカイト型複合酸化物から構成される複数の圧電体層11と、複数の圧電体層11間に形成されCuを導電材料とする内部電極層12と、を備える積層型圧電素子1の製造方法であって、Aサイト成分の含有モル量を化学量論組成の95.5〜99.8mol%とし、かつBサイト成分の平均価数が3.965〜4.000(ただし、4.000を含まず)である圧電体層前駆体と、Cuを導電材料として含む内部電極層前駆体とが積層された積層体10を作製する工程と、酸素分圧が1×10−6〜1×10−10atmの雰囲気中で積層体10を焼成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 セラミック焼成体の特性変化を極めて抑制することが可能なセラミック焼成体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 積層型圧電素子は、Pbを含有する圧電体層を有する。積層型圧電素子の製造方法は、セッター12A,12Bを用意する第1工程と、セッター12Aとセッター12Bとが対向し且つセラミックグリーン体14がセッター12Aとは接触するがセッター12Bとは接触しないように、セッター12A,12B及びセラミックグリーン体14を配置する第2工程と、第2工程にて配置されたセラミックグリーン体14を焼成する工程とを備える。セッター12Aの載置面S1及びセッター12Bの対向面S2は、部分安定化ジルコニアによって形成されている。 (もっと読む)


【課題】低温での焼成が可能であり、Q値および絶縁抵抗に優れ、しかも高温加速寿命特性が改善された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】誘電体酸化物を含む主成分と、Liの酸化物を含む第1成分およびM1の酸化物(ただし、M1は、V族、VI族元素から選択される少なくとも1種の元素)を含む第2成分を有する焼結助剤と、を含有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物は、複数の誘電体粒子と、隣り合う前記誘電体粒子間に存在する結晶粒界と、を有しており、複数の前記誘電体粒子は、粒子表面から粒子内部に向かって、M1元素の濃度が低くなっているとともに、前記誘電体粒子の粒径をDとし、前記結晶粒界におけるM1元素の含有割合を100%とした場合に、粒子表面からの深さが前記粒径Dの50%である深さT50における、M1元素の含有割合が、3〜55%であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】圧電歪定数d33が大きく、高いキュリー温度を有し、リフロー加熱前後における圧電歪定数d33の低下の小さい圧電アクチュエータ素子を得るための圧電磁器組成物および圧電磁器、ならびに、その圧電アクチュエータ素子を実装した回路モジュールを提供する。
【解決手段】圧電磁器組成物がPb(Zr,Ti)OおよびPb(Yb1/21/2)O(但し、MはNbもしくはSbの少なくとも一種)を主成分とし、該主成分に、Sr(Zr,Ti)O、Ba(Zr,Ti)O、Pb(Ni1/2Te1/2)OおよびPb1/2NbOから選ばれる少なくとも3種の複合酸化物が固溶しているペロブスカイト型構造の複合酸化物とすることにより、圧電歪定数d33が大きく、高いキュリー温度を有し、リフロー耐熱性に優れた圧電磁器および圧電アクチュエータ素子、ならびに回路モジュールを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】電気機械結合係数が大きく、耐熱性、さらに共振周波数の温度特性が優れた圧電磁器組成物を提供する。
【解決手段】Pb、Zr及びTiを主成分とするペロブスカイト化合物を含む圧電磁器組成物であって、主成分が、Pbα[(Mg1/3Nb2/3Tiy[1−(x+y)]Zr]Oの組成式(ただし、0.985≦α≦1.02、0.025≦x≦0.07、0.42≦y≦0.52)で表され、副成分としてCr、Si、並びにGa及びInの1種又は2種を、CrをCr換算で0.05〜0.5wt%、SiをSiO換算で0.005〜0.07wt%、並びにGaをGa換算で0.005〜0.4wt%及びInをIn換算で0.005〜0.4wt%の1種又は2種を含有することを特徴とする圧電磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】高い耐熱性と大きな圧電歪定数とを有し、かつ、製造が容易な圧電磁器組成物を提供すること。
【解決手段】Na、Bi、TiおよびCoを含有する圧電磁器組成物であって、前記Na、Bi、TiおよびCoをそれらの酸化物に換算したときの含有比が下記組成範囲(1)内を満たす。
aNaO−bBi−cTiO−dCoO ・・・(1)
(但し、a、b、cおよびdはモル比を表し、0.030≦a≦0.042、0.330≦b≦0.370、0.580≦c≦0.620、0<d≦0.017、a+b+c+d=1である。) (もっと読む)


【課題】 絶縁寿命の低下が抑えられた信頼性の高い圧電磁気組成物及び圧電素子を提供する。
【解決手段】 Pb、Ti、及びZrを構成元素とする複合酸化物を含む圧電磁器組成物である。150℃での比抵抗値をIR(150℃)、50℃での比抵抗値をIR(50℃)としたときにIR(150℃)/IR(50℃)≧0.05である。還元焼成後、酸素分圧10−5atm以上の雰囲気中でアニール処理することにより作製される。 (もっと読む)


【課題】 良好な圧電性能を有するチタン酸ビスマスナトリウム系無鉛圧電セラミック及びその製造方法を提供し、併せて最適性能を有するセラミック体系の成分組成を得る。
【解決手段】 一般式(Bi0.5Na0.5)TiO−xBa(Ti1−yZr)Oで示されるチタン酸ビスマスナトリウム系無鉛圧電セラミック。ここで、xはセラミック体系におけるBZTのモル含量であり、yはBaTiO内におけるTiのZrにより置換された原子数であり、0≦x≦0.12、0≦y≦0.10である。 (もっと読む)


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