【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．６〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、１．２≦α／β≦５．０、０．５≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】広範囲な温度領域（例えば、−５５〜３５０℃）において比誘電率の変化率（例えば、ΔＣ／Ｃ＝±２２％以内）が小さく、３５０℃付近の高温領域に至るまでの諸特性に優れ、比誘電率が大きく、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】一般式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるニオブ酸化合物と、ＢａＴｉＯ３表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物中に、ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがそれぞれコンポジット構造を形成し、 [（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_αＢａ_β]（Ｎｂ_αＴｉ_β）Ｏ_１２で表される固溶体の固溶体領域面積をＡ１、全体の領域面積をＡ２としたときに、Ａ１／Ａ２≦０．３５とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックスとセラミックスとの接合体およびその製造方法を提供する。さらには、セラミックスと透光性を有するセラミックスとの接合体、特にジルコニア焼結体と透光性セラミックスとの接合体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ジルコニア焼結体が接合材を介さずに透光性セラミックスに接合してなるセラミックス接合体である。このようなセラミックス接合体は、透光性セラミックスとジルコニア焼結体を焼成することにより、ジルコニア焼結体を収縮させて透光性セラミックスとジルコニア焼結体とを接合させる。 （もっと読む）

【課題】 高屈折率低分散の光学特性を有する透光性セラミックスの製造方法およびその製造方法により得られた透光性セラミックスからなる光学素子を提供する。
【解決手段】 Ｌａ_ｘＡｌ_{（２−ｘ）}Ｏ_３（ｘは０．７５≦ｘ≦０．８０を表す。）から成る結晶粒子の成形体を１６５０℃以上１８００℃以下で焼結する工程を有する透光性セラミックスの製造方法。前記製造方法により得られた透光性セラミックスからなる光学素子。前記透光性セラミックスの屈折率が２．００以上、アッべ数が３５以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 透光性が良好なＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＬａＡｌＯ３の粉末を４０℃／分以上の昇温速度で１６００℃以上１８００℃以下の焼結温度に加熱した後、前記焼結温度に３分以上４５分以下の時間保持して焼結する焼結工程をＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法。ＬａＡｌＯ３の粉末を１６００℃以上１８００℃以下の焼結温度に加熱して焼結して焼結体を得る焼結工程、前記焼結体を９００℃以上１３００℃以下の温度でアニールするアニール工程を有するＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
遷移金属元素を着色剤として明確な色調及び高い透明性を有し、意匠性および審美性が共に優れる着色透光性ジルコニア焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
イットリアを６ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下含有し、鉄、ニッケル、マンガン、コバルト、クロム、銅及びバナジウムからなる群から選ばれる少なくとも１種以上を酸化物換算で０．０２ｍｏｌ％以上０．５ｍｏｌ％以下含有し、気孔率が高くとも１０００ｐｐｍであることを特徴とする着色透光性ジルコニア焼結体。平均結晶粒径が大きくとも６０μｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
微細な部材としても明確な色調及び高い透明性を有し、意匠性および審美性が共に優れる着色透光性ジルコニア焼結体であり、なおかつ、容易に任意の形状が得られる着色透光性ジルコニア焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
イットリアを６ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％以下、チタニアを３ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、ランタノイド系希土類元素を酸化物換算で少なくとも４ｍｏｌ％含有し、気孔率が高くとも１０００ｐｐｍであることを特徴とする着色透光性ジルコニア焼結体。平均結晶粒径が大きくとも６０μｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金等の溶融金属に対する耐食性に優れる溶融金属接触材及びコーティング膜を提供する。
【解決手段】本発明の溶融金属接触材は、溶融金属に接触する物に用いられるものであって、ＲＥ_２Ｔｉ_２Ｏ_７（但し、ＲＥは希土類元素を示す。）で表されるチタン酸希土類（例えば、チタン酸イットリウム等）を含む。また、本発明のコーティング膜は、溶融金属に接触する部分にコーティングされるものであって、ＲＥ_２Ｔｉ_２Ｏ_７（但し、ＲＥは希土類元素を示す。）で表されるチタン酸希土類（例えば、チタン酸イットリウム等）を含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、赤色を呈し、かつ、高い透光性を有する着色透光性ジルコニア焼結体を提供することに係る。
【解決手段】
本発明は、６ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％のイットリア及びＣｅＯ_２換算で０．１ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％のセリウム酸化物を含有し、該セリウム酸化物が３価セリウムの酸化物を含有することを特徴とするジルコニア焼結体に係る。本発明のジルコニア焼結体は、高い硬度に加えて、ジルコニア特有の高屈折率に基づくダイヤモンド光沢、深みのある赤色及び透明性を有している。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗および加速寿命の向上が可能な誘電体磁器組成物、およびこの誘電体磁器組成物を誘電体層として有する電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、第１副成分と、第２副成分と、第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選択される少なくとも１種の元素の酸化物を含む第４副成分と、第５副成分と、を有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物を構成する誘電体粒子が、主成分で実質的に構成される主成分相と、前記主成分相の周囲に、前記副成分のうち少なくとも１種が拡散した拡散相と、を有し、前記主成分相における前記第４副成分の含有割合が、前記拡散相における第４副成分の含有割合に比べ高いことを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】破壊靱性のより高いジルコニア焼結体、並びに該ジルコニア焼結体の前駆体となる焼結用組成物及び仮焼体を提供すること。
【解決手段】ジルコニア焼結体は、安定化剤を含有する部分安定化ジルコニアをマトリックス相として有し、ジルコニア焼結体の試料表面において、１０μｍ×１０μｍの領域を２５６マス×２５６マスの格子状に区分した各マスにおける安定化剤の濃度を質量％で表記した場合に、安定化剤の表面濃度の標準偏差が０．８以上である。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きい場合であっても、広い温度範囲において、容量変化率を該絶対値に対し所定の範囲にすることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３で表される主成分と、Ｍｇ酸化物と、Ｍｎ（Ｃｒ）酸化物と、希土類酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、Ｂａ、ＳｒおよびＺｒを含む複合酸化物と、を有し、０.２０≦ｘ≦０．４０、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、かつ０．９５０≦ｍ≦１．０５０であり、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、２５℃を基準とした静電容量変化率が−１５〜＋５％の範囲内にあり、傾きａが−５５００〜−１８００ｐｐｍ／℃である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きくても、広い温度範囲において容量変化率を該絶対値に対し所定範囲にある誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ}Ｓｒ_ｘＣａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ ）Ｏ_３で表される主成分を有する誘電体磁器組成物の製造方法であり、（Ｂａ_{１−ｘ１−ｙ}Ｓｒ_ｘ１Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第１主成分原料と、（Ｂａ_{１−ｘ２−ｙ}Ｓｒ_ｘ２Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第２主成分原料とを準備する工程と、第１主成分および第２主成分の原料を混合、焼成する工程とを有し、第１主成分のモル数をａ、第２主成分のモル数をｂとし、ａ＋ｂ＝１、ａ：ｂ＝２０：８０〜８０：２０、０．２０≦ｘ≦０．４０、ｘ＝ａｘ１＋ｂｘ２、ｘ１／ｘ２≧１．０５、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、０．９５０≦ｍ≦１．０５０である。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウム１００モルに対して、バナジウムを０〜０．１モル、マグネシウムを０．５〜１．２モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素を０．５〜１．０モルおよびマンガンを０〜０．２モル含有する誘電体磁器からなるとともに、結晶構造が正方晶系のコア部９ａと、該コア部９ａを取り囲み前記バナジウム、前記マグネシウム、前記希土類元素および前記マンガンのうち少なくとも１種の添加成分が固溶しており結晶構造が立方晶系のシェル部９ｂとからなり、該シェル部９ｂの平均厚みｔが５〜１５ｎｍであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が０．１５〜０．４μｍである。 （もっと読む）

【課題】より強度の高い、透明基板などの透光性構造体を形成する材料としての透光性スピネルセラミックス、および当該透光性スピネルセラミックスを用いた透光性スピネルセラミックス構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】透光性スピネルセラミックス構造体を形成するための透光性スピネルセラミックス２０は、スピネル粒子と、α型アルミナ粒子２２とを備えており、スピネル粒子中に、ＴｉＯ_２、Ｐ_２Ｏ_５からなる群から選択される少なくとも１種をさらに含む。透光性スピネルセラミックス２０におけるα型アルミナ粒子は、スピネル粒子とα型アルミナ粒子２２との質量の和の３ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い強度を有する透光性スピネルセラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】カラー液晶プロジェクターに含まれる防塵窓は、スピネルからなる母相２１と、母相２１中に分散したアルミナ粒子２２とを備えた透光性スピネルセラミックス２０からなっている。これにより、透光性スピネルセラミックス２０は、母相２１中に強度の高いアルミナ粒子２２が分散した構造を有する粒子分散型複合材料となる。その結果、防塵窓をカラー液晶プロジェクターにセットする際における機械的な応力等による欠けや傷などの損傷の発生が抑制される。 （もっと読む）

本発明は、（ａ）式Ｚｒ_１−ｘＭ_ｘＯ_２またはＣｅ_１−ｘＭ’_ｘＯ_２（ただし、Ｍはイットリウム、スカンジウム、および、セリウムから選択され、Ｍ’はガドリニウム、スカンジウム、サマリウム、および、イットリウムから選択され、ｘは０〜０．２の範囲にある）で表わされるセラミックの微結晶および微結晶集合体を含有するナノ結晶性粉末を、フラッシュ焼結（ｆｌａｓｈ ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）装置に挿入するステップと、（ｂ）５０ＭＰａ〜１５０ＭＰａの圧力を８５０℃〜１４００℃の温度で５分間〜３０分間印加することによって、上記粉末をフラッシュ焼結するステップとを上記の順に含む、金属酸化物系セラミックを製造する方法に関する。なお、上記粉末は、５ｎｍ〜５０ｎｍの平均微結晶サイズと、０．５μｍ〜２０μｍの平均微結晶集合体サイズと、２０ｍ^２／ｇ〜１００ｍ^２／ｇの比表面積とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来の透明セラミックよりも光学特性に優れ、かつ、単結晶には達成困難な造形や構造を提供できる透明ジルコニア又はハフニア系セラミックを提供する。
【解決手段】Ｙ_２Ｏ_３、Ｓｃ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＣａＯ及びランタニド希土類酸化物の少なくとも１種の安定化材により安定化されたジルコニア系又はハフニア系セラミックであって、（１）前記ジルコニア系又はハフニア系セラミックの結晶構造が立方晶であり、（２）平均結晶粒子径が５〜３００μｍの範囲にあり、（３）フッ素元素を含有する、ことを特徴とする透明セラミックとその製造方法に係る。 （もっと読む）

【課題】誘電体磁器組成物において所定の材料組成をとることにより、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした静電容量変化率が、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、−１５〜＋５％の範囲内にある誘電体磁器組成物であって、前記傾きａが−７０００〜−３０００ｐｐｍ／℃であることを特徴とする誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３ の一般式で表される主成分と、Ｍｇの酸化物から成る第１副成分と、ＭｎまたはＣｒから選択される少なくとも１種の酸化物から成る第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹｂから選択される１種以上）から成る第３副成分と、Ｓｉを含む酸化物から成る第４副成分とを、有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 本発明は発明者らによって提案されたＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換され、結晶粒界にＰ型半導体を有する半導体磁器組成物に関して、室温抵抗率が１００Ω・ｃｍ以下と低く、通電による経時変化を小さくした半導体磁器組成物−電極接合体を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換され、結晶粒界にＰ型半導体を有する半導体磁器組成物に電極を接合した半導体磁器組成物−電極接合体であって、電極接合後に１００℃以上６００℃以下で０．５時間以上２４時間以下の熱処理を施す半導体磁器組成物−電極接合体の製造方法。 （もっと読む）