【課題】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、基板がエッチングされることなく、また、基板の種類に依存せず、薄膜を基板上に成長させることができる薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、薄膜を基板上に成長させる薄膜製造方法であって、前記薄膜を成長させるとき、前記薄膜を構成する原料とともに、Ｇａ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから成る群から選ばれる１種以上を供給することを特徴とする薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、ＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．１ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４９Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、酸素雰囲気中でＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．２ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４３Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】有機酸塩法により、粒子径が小さく、しかも粒度が揃った酸化物微粒子粉末が得られる酸化物微粒子粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の酸化物微粒子粉末の製造方法は、金属錯体ゲルの乾燥粉を、第１の雰囲気下で熱処理して焼成粉を得る第１工程と、焼成粉を、第１の雰囲気よりも酸素濃度が高い第２の雰囲気下で熱処理して酸化物微粒子粉末を得る第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単独添加したＭｇＢ_２超電導体あるいはベンゼン等の芳香族炭化水素単独添加したＭｇＢ_２超電導体の臨界電流密度（Ｊｃ）よりも高い臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＭｇＢ_２超電導体の製造方法およびＭｇＢ_２超電導体を提供する。
【解決手段】Ｍｇ粉末またはＭｇＨ_２粉末とＢ粉末との混合物を加圧成形して熱処理するＭｇＢ_２超伝導体の製造方法において、混合物に芳香族炭化水素とＳｉＣを添加する。芳香族炭化水素は、エチルトルエンであり、ＳｉＣは平均粒径が10〜30ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型銅酸化物において、１００Ｋを超える高温超電導体が見出され
ているが、まだ、室温超伝導体は見出されていない。
【解決手段】化学式ＬａＦｅＯＰｈ（Ｐｈは、Ｐ、Ａｓ及びＳｂのうちの少なくとも１種
）で示され、ＺｒＣｕＳｉＡｓ型（空間群Ｐ４／ｎｍｍ）の結晶構造を有する化合物で超
伝導転移を見出した。ＬａＦｅＯＰｈは、一般化学式ＬｎＭＯＰｎ（Ｍは遷移金属）で示
される遷移金属イオンを骨格構造に有する層状構造化合物群の一員である。ここで、Ｌｎ
は、Ｙ及び希土類金属元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ、Ｙｂ，Ｌｕ）の少なくとも一種であり、Ｍは，遷移金属元素（Ｆｅ，
Ｒｕ，Ｏｓ）の少なくとも一種であり、Ｐｎは、プニクタイド元素（Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ
）の少なくとも一種である。この化合物はＦイオンの添加などにより、キャリア数を変化
させ、転移温度を制御できる。 （もっと読む）

【課題】電流がより流れやすいＢｉ２２２３超電導線材とし、臨界電流値を向上する超電導線材を提供する。
【解決手段】超電導線材１０は、Ｂｉ２２２３相よりなる超電導結晶を含む超電導線材であって、ａ−ｂ面に平行な断面におけるＢｉ２２２３相よりなる超電導結晶の平均粒径が２０μｍ以上であり、２１．１μｍ以上とすることが好ましい。また、Ｂｉ２２２３相よりなる超電導結晶のＸＲＤロッキングカーブで測定された（０．０．２４）ピークのＦＷＨＭが１８°以下である。また、Ｂｉ２２１２相よりなる超電導結晶をさらに含み、Ｘ線回折によりθ／２θスキャン法で測定されるＢｉ２２２３相およびＢｉ２２１２相のピーク強度において、Ｂｉ２２２３（０．０．１４）／（Ｂｉ２２２３（０．０．１４）＋Ｂｉ２２１２（０．０．１２））により求められる値が０．９５以上である。 （もっと読む）

前駆体フィルムを形成するために基材の上に前駆体溶液を堆積させる工程を含む厚膜フィルムの製造方法に関する。前駆体溶液は、１種以上の溶媒に希土類元素の塩、アルカリ土類金属の塩、遷移金属の塩を含む希土類−アルカリ土類金属−遷移金属酸化物の前駆体成分を含有する溶液であって、前記塩の少なくとも１種がフッ素含有塩であり、遷移金属のアルカリ土類金属に対する比率が１．５以上であることを特徴とする。前駆体溶液は、希土類−アルカリ土類金属−遷移金属酸化物超伝導体フィルムを形成するために処理される。
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【課題】複数のＬｎ系超電導体の原料溶液を混合することによって得られる混合超電導体膜の格子定数を調整することができ、基板上に厚膜を形成したときにｃ軸配向粒子を高い比率で含み、高い特性を示す酸化物超電導体を提供することにある。
【解決手段】主成分が一般式ＬｎＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-x（ここで、ＬｎはＧｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，ＴｍおよびＹからなる群より選択される２種以上であり、各々の元素の含有率は１０〜９０モル％である）で表され、モル比で銅の１０^-2〜１０^-6のフッ素を含む酸化物超電導体。 （もっと読む）

ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法であって、この方法は、
ａ）Ｘ−Ｂａ−Ｌ−Ｏ又はＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｌ−Ｏ材料をＸ−１−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料と混合するステップと、
ｂ）この混合物を結晶化するステップとを含み、
ただし、１各Ｘは希土類（ＩＩＩＢ族）元素、イットリウム、希土類元素の組み合わせ又はイットリウムと希土類元素との組み合わせから個別に選択され、各ＬはＵ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ及びＳｎから選択される、ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるドープされた材料を提供する。
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