【課題】ＳｉＣ単独添加したＭｇＢ_２超電導体あるいはベンゼン等の芳香族炭化水素単独添加したＭｇＢ_２超電導体の臨界電流密度（Ｊｃ）よりも高い臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＭｇＢ_２超電導体の製造方法およびＭｇＢ_２超電導体を提供する。
【解決手段】Ｍｇ粉末またはＭｇＨ_２粉末とＢ粉末との混合物を加圧成形して熱処理するＭｇＢ_２超伝導体の製造方法において、混合物に芳香族炭化水素とＳｉＣを添加する。芳香族炭化水素は、エチルトルエンであり、ＳｉＣは平均粒径が10〜30ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、実用的な超電導線材とするために必要な、長尺線材化，高Ｊｃ化を、同時に達成することのできるＭｇＢ₂超電導線材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明のＭｇＢ₂ 超電導線材の製造方法は、第１のＭｇ一次粒子とＢ一次粒子とを混合し、第１のＭｇ一次粒子の表面に、Ｂ一次粒子を付着・反応させ、第１のＭｇ一次粒子の表面にＭｇＢ₄又はＭｇＢ₇を生成させ、表面にＭｇＢ₄又はＭｇＢ₇が生成した第１のＭｇ一次粒子と、表面にＭｇＢ₄又はＭｇＢ₇が生成した第１のＭｇ一次粒子より粒子径が大きい第２のＭｇ一次粒子とを混合し、第２のＭｇ一次粒子の表面に、表面にＭｇＢ₄ 又は
ＭｇＢ₇ が生成した第１のＭｇ一次粒子を付着・反応させ、第２のＭｇ一次粒子の表面にＭｇＢ₂ を生成させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】二ホウ化マグネシウム（＝ＭｇＢ_２）を含有する超伝導素子を提供すること。
【解決手段】この超電導素子は、金属マトリックス（２）に密閉されかつ少なくとも１つの高導電性オーム素子（４）も有する５〜５００ミクロンの大きさの少なくとも１つの超伝導フィラメント（１）を備え、超伝導フィラメントは、マトリックス（２）及び導電性オーム素子（４）から保護金属層（３）によって分離され、超伝導フィラメントは、ホウ素（Ｂ）粉末及びマグネシウム（Ｍｇ）粉末と第１の添加剤としての炭化ホウ素（＝Ｂ_４Ｃ）粉末との間の反応によって形成され、１つ又は複数の追加の炭素含有粉末添加剤が、Ｍｇ、Ｂ及びＢ_４Ｃを含む粉末混合物の反応で存在することを特徴とする。ＭｇＢ_２に対する粉末混合物の反応は、５００〜７６０℃の温度で行われ、７６０℃以下の温度で臨界電流密度Ｊ_ｃが最大になる。 （もっと読む）

【課題】ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末及びその製作方法を提供する。
【解決手段】ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末（９８）を製作する方法を提供する。本方法は、２ホウ化マグネシウム粉末を含む第１相の複数の粒子のうちの少なくとも１つの上に高分子前駆体をコートする工程を含み、該高分子前駆体は第２相を産生させる化学元素を含む。この第２相は、ホウ化物、窒化物、炭化物、酸化物、オキシホウ化物、オキシ窒化物、オキシ炭化物、あるいはこれらの組み合わせのうちの１つまたは幾つかを含む。本方法はさらに、該２ホウ化マグネシウム粉末の複数の粒子の少なくとも１つの上に第２相コーティングを形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末からなるワイヤを提供する。
【解決手段】金属マトリックス（１０２）を有するワイヤ（９８）を提供する。ワイヤ（９８）はさらに、該金属マトリックス（１０２）内に配置された複数のフィラメント（１００）であって、そのうちの少なくとも１つがドープされた２ホウ化マグネシウム粉末を含む複数のフィラメント（１００）を含む。このドープされた２ホウ化マグネシウム粉末は、化学式ＭｇＢ_２−ｘＳ_ｘ（ここで、ｘは原子百分率を表し、またＳは炭素、ホウ素、窒素、酸素、あるいはこれらの組み合わせを表す）を有する複数の２ホウ化マグネシウム粒子を有する第１相を含む。この粉末はさらに、複数の２ホウ化マグネシウム粒子のそれぞれを囲繞する第２相であって、炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物、オキシ窒化物、オキシホウ化物、オキシ炭化物、あるいはこれらの組み合わせを含む第２相を含む。 （もっと読む）

本発明は、良好な相純度、微細構造および超伝導性質有する高品質のＭｇＢ₂ベースの超伝導体ワイヤ、テープ、バルク体およびパウダーの連続的な製造のための単純で、エネルギー効率が良く、費用効率が高い方法であって、革新的な工程、すなわち、排気し封止した金属チューブ中の反応物質を電気的な自己発熱下で、自己発熱兼熱間転造、続いて電気的な自己発熱によりアニーリングすることにより、従来技術に関する種々の欠点および短所を克服する方法を提供することである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、全く新しい原理に基づく高密度設計を可能とするＭｇＢ₂超伝導体
線材の作製方法を提供しようというものである。
【解決手段】 マグネシウム５−５０原子％、残部鉄からなる鉄―マグネシウム（Ｆｅ−Ｍｇ）合金層とボロン層とからなる層状複合体を作製し、この層状複合体を６００−８００℃の温度で熱処理し、合金層中のＭｇをボロン層に拡散させて、前記ボロン層とマグネシウムとを反応させて二硼化マグネシウムを生成し、ボロン層を二硼化マグネシウム（ＭｇＢ₂）超伝導層へと転換することによって上記課題を達成する。 （もっと読む）

【課題】 実用化に向け、十分大きな超電導電流を流せる、ＭｇＢ_２超電導体とその線材を提供する。
【解決手段】
超電導体ＭｇＢ_２の原料となるマグネシウム（Ｍｇ）あるいは水素化マグネシウム（ＭｇＨ_２）とホウ素（Ｂ）との混合体粉末にベンゼンなどの芳香族炭化水素を添加することにより、高い超電導臨界電流密度（Ｊ_ｃ）を得る。 （もっと読む）

【課題】 着磁性能に優れた酸化物超伝導磁石材料及び良好に着磁された酸化物超伝導磁石システムを提供する。
【解決手段】 補強リング１００の内周面の突起部１０１まで超伝導体２００をはめ込むことにより固定するとともに、沸騰した冷媒を速やかに超伝導体間の隙間から外へ放出するためには、補強リング１００の側面に円形の開口部(穴)１０２をギャップに対応する位置に多数設ける。 （もっと読む）

【課題】 超伝導素子を作成に際して、例えば超伝導トランジスター等にみられる超伝導−非超伝導体の接合における非超伝導体部分に用いる場合に有用である燐化合物からなる材料を提供する。
【解決手段】 Co₂Si型結晶構造をとり、化学組成が式MIrP（M=Ti,Zr,Nb又はMoから選択した１以上の元素）で表わされる化合物であることを特徴とする燐化合物。（但し、各成分M：Ir：Pの比率は基本的には1：1：1であるが、格子欠陥等により組成変動がある場合に、その組成変動範囲を含む） （もっと読む）