【課題】シリコン方向凝固物におけるアルミニウム濃度を調べることなく、粗シリコン領域を切除して、精製シリコンを製造しうる方法を提供する。
【解決手段】目標最大アルミニウム濃度Ｃ_10max、温度勾配Ｔおよび凝固速度Ｒから、下式（１）を満足する基準凝固率ｆ₀を求め、凝固させる過程での凝固率ｆがｆ₀に相当する部分でシリコン方向凝固物4を切断する。ｋ＝｛Ｋ₁×Ｌｎ（Ｒ）＋Ｋ₂｝×｛Ｋ₃×ｅｘｐ［Ｋ₄×Ｒ×（Ｋ₅×Ｃ₂＋Ｋ₆）］｝×｛Ｋ₇×Ｔ＋Ｋ₈｝−Ｋ₉（１）〔式中、ｋは、式（２）Ｃ_10max＝ｋ'×Ｃ₂×（１−ｆ₀）^k'-1（２）（ｋ'はアルミニウム実効分配係数、Ｃ₂は原料シリコン融液のアルミニウム濃度）を満足するように求めたアルミニウム実効分配係数ｋ'の０．９倍〜１．１倍の範囲から選ばれる係数。〕 （もっと読む）

【課題】晶出物である固体シリコンの大きさによらず、従来よりも高速な回収が可能なシリコン精製装置および精製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン精製装置は、溶融シリコンを保持する坩堝と、略鉛直方向に延びる軸を回転中心軸として回転駆動可能かつ前記溶融シリコン内外へ移動可能に構成された回転冷却体３と、回転冷却体３の周面に晶出した固体シリコン５の側面に向かって前進してその先端が固体シリコン５の側面に衝突可能な棒状部材４１を有する剥離装置４０とを備えている。 （もっと読む）

粒状多結晶シリコンの充填物により搬送される不溶性ガスの量を制御するプロセスを提供する。当該プロセスは、（ｉ）供給コンテナを粒状多結晶シリコンで充填する工程と、（ii）シリコンの融点付近の温度、約１バール（約１００ｋＰａ）の圧力で、溶融シリコンに対する溶解度少なくとも約５×１０^１３原子／ｃｍ^３を有する、モル分率少なくとも０．９のガスを含む雰囲気を上記供給コンテナ内で形成する工程と、（iii）上記充填された供給コンテナ内の圧力を低減する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを含む原料シリコン融液(2)から、いわゆる方向凝固法により、シ
リコン方向凝固物(4)を得、これ(4)から粗シリコン領域(45)を切除して、歩留率の目標値
(Ｙ₀)で、目標最大アルミニウム濃度(Ｃ_10max)以下の精製シリコン(1)を得ることのでき
る方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、Ｃ_10maxと、Ｙ₀とから、あらかじめ、下式（１）を満
足する基準温度勾配(Ｔ₀)および基準凝固速度(Ｒ₀)を求める。
ｋ＝｛Ｋ₁×Ｌｎ（Ｒ₀）＋Ｋ₂｝
×｛Ｋ₃×ｅｘｐ［Ｋ₄×Ｒ₀×（Ｋ₅×Ｃ₂＋Ｋ₆）］｝
×｛Ｋ₇×Ｔ₀＋Ｋ₈｝−Ｋ₉…（１）
〔ｋは、式（２）
Ｃ_10max＝ｋ'×Ｃ₂×（１−Ｙ₀）^k'-1…（２）
（ｋ'はアルミニウム実効分配係数、Ｃ₂は原料シリコン融液のアルミニウム濃度）
を満足するように求めたアルミニウム実効分配係数ｋ'の０．９倍〜１．１倍の範囲から選ばれる係数。〕 （もっと読む）

【課題】中空回転冷却体を用いるシリコン精製方法であって、大気雰囲気中で連続的にシリコン精製を行なうことを可能とするシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】原料シリコンを加熱して溶融シリコンとする溶融工程と、前記溶融シリコンを添加剤と接触させて、溶融状態において前記溶融シリコンよりも小さな比重を持つスラグを形成させる第１精製工程と、前記溶融シリコンの溶湯面の少なくとも一部が前記スラグにより覆われた被覆状態において、前記溶融シリコンに中空回転冷却体を浸漬する浸漬工程と、前記中空回転冷却体を回転させた状態において、前記中空回転冷却体の中空部に冷却流体を流すことにより前記中空回転冷却体の外周面に固体シリコンを晶出させる第２精製工程とを含むシリコン精製方法。 （もっと読む）

【課題】無毒性のシリコン量子ドット及びそれを用いた生体物質標識剤を提供する。
【解決手段】シリコン量子ドットの熱水処理により遊離するフッ化物イオン濃度が、ランタン−アリザリンコンプレキソン吸光光度法により１００ｐｐｍ以下であることを特徴とするシリコン量子ドット。 （もっと読む）

【課題】高純度シリコンの新規で安価な製造方法、特に太陽電池用原料として好適に用いられる高純度シリコンの新規で安価な製造方法を提供する。
【解決手段】下式（１）で表されるハロゲン化珪素を下式（２）で表されるアルミニウムサブハライドで還元することを特徴とするシリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n： （１）
ＡｌＨ_mＸ_3-p-m： （２）
（式中、ｎは、０または１〜３の整数であり、ｍは０または１であり、ｍが０のときｐは１または２、ｍが１のときｐは１であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子である。） （もっと読む）

【課題】廃スラリーから簡易に多くのシリコンを回収することができるシリコン再生装置を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン再生装置は、砥粒とクーラントを含むスラリーを使用してシリコンを切断する切断装置又は研磨する研磨装置から排出された廃スラリー、又は前記廃スラリーが濃縮された廃スラリー濃縮分を固液分離してシリコン回収用固形分を取得する固液分離部と、第１洗浄部からの前記シリコン回収用固形分を溶融及び固化してシリコン含有塊を得る溶融部と、前記シリコン含有塊を破砕してシリコン含有破砕体を取得する破砕部と、前記シリコン含有破砕体を酸水溶液で洗浄しその後に水で洗浄する第２洗浄部を備える。 （もっと読む）

本発明は、無機シラン及び少なくとも１種の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を有する組成物を処理する方法において、前記組成物を、少なくとも１種の吸着剤と接触させ、異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物の含有量が低減された組成物を得る方法、並びに低減された異種金属含有量を有する相応する組成物、並びに無機シランの組成物中の異種金属及び／又は異種金属を含有する化合物を低減させるための有機樹脂、活性炭、ケイ酸塩及び／又はゼオライトの使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 低コストの原料シリコンを用いたとしても純度の高い結晶シリコン粒子を製造可能な結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】 （１）バインダーを用いて前記原料シリコンを造粒し、原料シリコンの集合体を形成する工程と、（２）前記原料シリコンの集合体を坩堝内に入れて加熱溶融させることでシリコン融液を形成する工程と、（３）シリコン融液を凝固させて結晶シリコンを得る工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】金属、合金、半導体などの材料を電子ビームの照射により溶融することにより、その材料に含まれる不純物元素を除去し、不純物元素の対流攪拌や拡散を抑制し、十分に精製された高純度の材料を得ることができる材料の精製方法を提供する。
【解決手段】減圧下にて、耐熱容器１１に材料１３を連続的に供給し、材料１３に電子ビーム１６，１７を照射して、溶融するとともに不純物元素を蒸発させて精製し、耐熱容器１１から精製済みの材料１３をオーバーフローさせて精製品を得る方法であって、材料１３への電子ビーム１６，１７の照射を制御して、耐熱容器１１の長手方向に沿って未溶融部分を１箇所以上形成し、かつ未溶融部分の幅を超える範囲で、未溶融部分を往復移動させることにより、互いに仕切られた溶融部分間の対流、拡散による均一化を抑制し精錬効果を高めたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、四フッ化ケイ素原料ガスを１つ以上の精製工程にさらすことにより、四フッ化ケイ素原料ガスを精製する方法であって、精製工程が、四フッ化ケイ素原料ガスをイオン交換樹脂に接触させて酸性の汚染物質を除去する工程と、吸収液体を用いた二酸化炭素の除去と低温蒸留による不活性化合物の除去とにより、四フッ化ケイ素原料ガスを触媒に接触させて一酸化炭素を除去する工程と、を含む精製方法と、四フッ化ケイ素原料ガスから一酸化炭素を除去するのに適した触媒と、そのような触媒を製造する方法とに関する。
（もっと読む）

【課題】 太陽電池級の高純度ケイ素を効率良く得る。太陽電池材料用のケイ素を安価に製造する。
【解決手段】処理槽２内にケイ素溶湯Ｓを入れる。ローレンツ力によりケイ素溶湯Ｓを攪拌しつつ、処理ガス吹込み管22を通してケイ素溶湯Ｓ中に処理ガスを吹込む。 （もっと読む）

【課題】高純度のＴＣＳを得ること、特に、多結晶シリコンの析出反応に伴って生成した副生物から高純度のＴＣＳを得ることを可能とすること。
【解決手段】本発明では、テトラクロロシラン（ＳＴＣ）と水素を反応させてトリクロロシラン（ＴＣＳ）とする水素化工程で得られた留出物を炭化水素含有クロロシラン留分とＴＣＳ留分とに分離し、この炭化水素含有クロロシラン留分を塩素と反応させてＳＴＣ及び塩素化炭化水素含有物を生成させる塩素化工程とを備えることとし、塩素化工程で得られたＳＴＣ含有留出物を水素化工程に循環させる。塩素化工程において、ＴＣＳと近沸点の炭化水素含有クロロシラン留分（高次水素化クロロシラン類を含み得る）が高次塩素化されて高沸点化がなされるので、高次塩素化クロロシラン類および高次塩素化炭化水素類の高濃度濃縮分離が容易なものとなり、最終的に得られるＴＣＳへの高純度化が図られる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの洗浄時において可能な限り洗浄液を残留させず、多結晶シリコンに酸化しみを発生させることを防止するシリコン材料用洗浄籠の提供する。
【解決手段】シリコン材料を収納した状態で洗浄するための箱状の洗浄籠であって、その底板部及び周壁部３に多数の貫通孔６が形成されるとともに、前記周壁部３に形成された貫通孔６の内周面のうち、その底部は、内方から外方に向けて漸次下方に傾斜する傾斜面８とされ、周壁部３の貫通孔６内に付着した洗浄液が、該貫通孔６の傾斜面８を通じて外方側に流れ落ちる。 （もっと読む）

【課題】硼素不純物及び燐不純物を含有するクロロシラン類から上記不純物の同時除去を可能としてクロロシラン類の高純度化を図ること。
【解決手段】硼素不純物及び燐不純物を含有するクロロシラン類を、芳香族アルデヒドの存在下で酸素（Ｏ_２）を導入して処理して上記不純物を同時に高沸点化合物に転化させ、当該処理後のクロロシラン類を蒸留等して硼素及び燐の高沸点化合物とクロロシラン類とを分離することとした。上記処理で生成する高沸点化合物は、生成後に受ける熱によって低沸点化合物に分解することがないため、蒸留等の処理によって容易にクロロシラン類と分離することが可能である。このため、単一のプロセスによる硼素不純物と燐不純物の除去が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＣを水素化する工程で発生する排ガスを再利用してＴＣＳ製造プロセスの高効率化を可能とすること。
【解決手段】水素化反応器１０１は、ＳＴＣ含有物を水素と反応させてＴＣＳとする。また、低沸除去塔１０２は、水素化反応器１０１から排出されたクロロシラン留出物をＴＣＳと高次水素化クロロシラン混合留出物とに分離して該高次水素化クロロシラン混合留出物を水素化反応器１０１に循環させる。低沸除去塔１０２によって分割分離された高次水素化クロロシラン混合留出分は、水素化反応器１０１へと循環供給される。従って、排ガスがプロセス内で循環・再利用されることとなってＴＣＳ製造の高効率化が図られる。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むシリコンと、不純物除去用添加剤として炭酸カルシウム及び酸化カルシウムのいずれか一方又は両方を含む固体とをそれぞれが溶融するよう加熱し、上記シリコン及び上記添加剤の融液を上層及び下層の二層に分離させた後、これら上層及び下層のいずれか一方又は両方の融液中に水素ガスを含むガスを吹き込むことにより、シリコン中の不純物を除去することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【効果】本発明によれば、Ｓｉ中の不純物、特にＢとＰを１つの工程で同時に除去することができる。また、一般的な大気開放炉を使用するため、高真空雰囲気も必要とせず、さらに、電子ビームやプラズマトーチ等の高価な設備も不要であるため、設備投資額を大幅に低減できる。この結果、極めて安価にＢ及びＰが低減されたＳｉを得ることができる。 （もっと読む）

少なくとも1つの不純物を含む低純度の冶金グレードシリコンを精製し、高純度の固体多結晶シリコンを得るためのプロセスが提供される。前記プロセスは、断熱底壁、断熱側壁、および開いた上面を持つ鋳型中に低純度の冶金グレードシリコンの溶融物を入れ、前記溶融物を電磁的に攪拌しながら前記鋳型の前記開いた上面から前記断熱底壁の方に向けた一方向凝固によって前記溶融物を凝固させ、前記一方向凝固の速度を制御し、前記溶融物が部分的に凝固した時点で前記一方向凝固を停止し、前記高純度の固体多結晶シリコンを含む外側シェル、および不純物が富化された液体シリコンを含む中央部を有するインゴットを作り、前記インゴットの前記外側シェルに開口を形成し、前記不純物が富化された液体シリコンを流出させ、前記高純度の固体多結晶シリコンを有する前記外側シェルを残すことを含む。
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【課題】結晶欠陥が少なく拡散不純物のない、高品質かつ高均質なＳｉバルク多結晶インゴットを高歩留まりで製造できる、Ｓｉバルク多結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液２を入れたルツボ１内において、ルツボ１の上部から冷媒をＳｉ融液２の表面に近づける、または冷媒をＳｉ融液２中に挿入することにより、Ｓi融液２の上面を局所的に冷却して、Ｓｉ融液２の表面近傍にデンドライト結晶３を生成させ、その後適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、デンドライト結晶３の下面を新たな成長面として上部から下部へＳｉバルク結晶を成長させる。デンドライト結晶を融液上部に発現させ、デンドライト結晶の下面を新たな成長面として結晶成長を行うため、Ｓｉバルク多結晶の面方位を、特定の面方位に限定できる。 （もっと読む）