【課題】シーメンス法により多結晶シリコンを製造する際のシリコン芯線の効率的な加熱を実現し、シリコン芯線へのダメージを軽減するとともに、カーボンヒータの寿命を延ばし得る技術を提供すること。
【解決手段】水素ガス気密テスト完了後に一旦炉内圧力を所定の値にまで下げ、多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低い炉内圧力下でシリコン芯線を通電加熱する。シリコン芯線１２のバルク温度は、カーボンヒータ１４からの輻射熱量、シリコン芯線１２から雰囲気ガスへの対流伝熱量、シリコン芯線ホルダへの伝導伝熱量、ベルジャ１やベースプレート５への輻射熱量等のバランスによって決まり、入熱量が不変でも出熱量が低下すればシリコン芯線１２のバルク温度は上昇する。本発明においては、シリコン芯線１２の表面から対流により奪われる熱量を抑えるため、初期加熱工程時の炉内圧力を多結晶シリコンの析出反応工程時の圧力よりも低く設定する。 （もっと読む）

【課題】ベルジャ型反応炉の内壁面への胴部の内壁面を流下したポリマーの付着を最小限に抑え、炉内の洗浄を簡略化することができる多結晶シリコン反応炉を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン反応炉１０は、シリコン芯棒２０が立設される炉底４０の外周部に、その炉底４０の上面４０ａを隆起させてなる環状段部４０ｅが設けられ、環状段部４０ｅの上面４０ｆと、その上面４０ｆに重ねられて設置される胴部３０の下端部３０ｅの下面３０ｆとの間に、これらを気密に接合するガスケット７０が設けられ、胴部３０の下端部３０ｅの内周部に、環状段部４０ｅの上面４０ｆより下方に延びる突出部３３が周方向に沿って設けられ、突出部３３の半径方向外方に、環状段部４０ｅの上面４０ｆが配置されている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの製造に用いられる反応炉内の電極回りに付着した微粒子の除去作業を簡略化すること。
【解決手段】シリコン芯線１１が炭素製の芯線ホルダ１５に保持され、この芯線ホルダ１５が金属性の電極１０の頂部に保持されている。電極１０はシリコン芯線１１に通電するための電極であって、反応炉の底板部５に設けられた貫通孔を介して反応炉内に挿入されている。カバー１８は、反応炉内に挿入された電極１０の表面のうち、少なくとも、底板部５の近傍部の表面を被覆している。カバー１８は、原料として供給される反応ガスが多結晶シリコンとしてシリコン芯線の上に析出する際に発生する微粒子が、反応炉内において比較的温度の低い部材表面に直接付着するのを防止するためのものである。つまり、微粒子をカバー１８の表面に付着させ、電極１０、絶縁部材１３、或いは、アダプタ１４の表面に直接付着するのを防止している。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応器の電極保持部の封止部の保護を改善すること。
【解決手段】ＣＶＤ反応器の電極保持部と底板との間のスペースを封止する封止材料が、電極を環状に包囲するように配置され一体形であるかまたは複数の部分から成る保護体によって保護され、該保護体の高さが少なくとも局所的に、該電極保持部に向かうほど増大していく構成によって解決される。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン析出後の回収に於いて、電極ユニットなどの材質からの汚染を防ぎ、回収するシリコンの収量を十分に確保できる多結晶シリコン製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉内で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒に原料ガスを接触させることにより前記シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造方法であって、導電材からなる芯棒保持部の上端部に形成された保持孔に、前記シリコン芯棒の下端部を挿入し、挿入された前記シリコン芯棒を前記保持孔の内面に対して押圧して固定する固定手段を、その一部が前記芯棒保持部の前記外面から突出するように設けておき、前記シリコン芯棒の表面に前記多結晶シリコンを析出させ、前記固定手段の形状に応じて形成される前記多結晶シリコンの凸部よりも上方で、前記シリコン芯棒とともに前記多結晶シリコンを切断する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンロッドの製造に用いるシリコンシード等の棒状芯材について、立設部分の芯材の断面を多角形に加工して通電状態および原料ガスの炉内での流れを良好にしたシリコンシードとその加工方法および加工装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンの製造に用いられ、炉内に逆Ｕ字形に立設されるシリコンシードの製造方法であって、シリコンシードを形成する棒状芯材の外径に対応する溝幅の多角形の溝を外周面に有す回転砥石を用い、断面が角形の棒状芯材の側面に該回転砥石の多角形の溝を押し当てて長手方向に移動させて研削することによって該芯材を多角形断面に加工し、基端部および上端部を除く立設部分の断面が多角形であって、該基端部と該上端部および連結部分の断面が角形であるシリコンシードを製造する方法、およびシリコンシード。 （もっと読む）

【課題】表面形状不良やソリがないように多結晶シリコンを析出することが容易な多結晶シリコン還元炉を提供すること。
【解決手段】密閉された反応炉の炉台１１に、立設された複数のシリコン芯棒１３と、原料ガスを供給する導入口１５と、反応後のガスを排気する排気口１６を有し、シリコン芯棒が、下記の条件（１）から（３）のうちの少なくとも１つを満たすように配置されている。（１）シリコン芯棒と隣接配置された導入口が２箇所である場合、該２箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、１３５°以上。（２）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、１６０°以上。（３）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの互いに隣り合う２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、すべての組み合わせで２４０／Ｎ°以上４８０／Ｎ°以下。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン棒の気相成長工程中にあらゆる方位に伸縮しうるＵロッドのひびや割れの発生に対する抑制効果の高い技術を提供すること。
【解決手段】炭素電極３０の上部電極３１の上面側には、シリコン芯線５ａを保持する芯線ホルダ２０の固定部が設けられている。上部電極３１には、上面３３から下面３４に貫通する孔部（貫通孔）３５が設けられており、棒状の締結部材であるボルト３６がワッシャ３７を介して上部電極３１の上面３３から該孔部３５に挿入され、下部電極３２でネジ止めされて固定されている。孔部３５内におけるボルト３６の直胴部との間の間隙５１は、上部電極３１が下部電極３２の上面との接触面である載置面（図２では上部電極３１の下面３４と接する下部電極３２の上面）の面内での全方位の摺動を可能とするため、気相成長工程中にあらゆる方位に伸縮しうるＵロッドのひびや割れの発生に対する抑制効果を奏することとなる。 （もっと読む）

キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極。製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口を画定する。少なくとも１つの電極がハウジングを貫通して配設され、該電極は少なくとも部分的にハウジング内に配設される。電極は外面を有する。外面は、ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を有する。電極のコンタクト領域上には、電極とソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングが配設される。コンタクト領域コーティングは、室温下で少なくとも７×１０^６ジーメンス／メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性（測定単位：ｍｍ^３／Ｎ・ｍ）を有する。
（もっと読む）

多結晶ケイ素を生成するための反応器（１０）が開示され、この反応器は、そこに形成された多数のノズル（４）を有する反応器のベースプレート（２）を提供されている。ケイ素含有ガスは、ノズル（４）を通って流れる。複数のフィラメントロッド（６）は、同じように反応器のベースプレート（２）上に取り付けられている。さらに、使用済みのケイ素含有ガスを、濃縮および／または処理ステージに供給するためのガスの出口開口（８）が提供されている。ガスの出口開口（８）は、内部管（２０）の自由終端（２１）に形成され、内部管（２０）が反応器のベースプレート（２）を通って導入されている。 （もっと読む）

【課題】表面形状不良やソリがないように多結晶シリコンを析出することが容易な多結晶シリコンロッドを提供すること。
【解決手段】密閉された反応炉の炉台１１に、立設された複数のシリコン芯棒１３と、原料ガスを供給する導入口１５と、反応後のガスを排気する排気口１６を有し、シリコン芯棒が、下記の条件（１）から（３）のうちの少なくとも１つを満たすように配置されている。（１）シリコン芯棒と隣接配置された導入口が２箇所である場合、該２箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、１３５°以上。（２）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、１６０°以上。（３）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの互いに隣り合う２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、すべての組み合わせで２４０／Ｎ°以上４８０／Ｎ°以下。 （もっと読む）

クロロシラン（主に：トリクロロシラン）の製造のためおよびこれらのクロロシランからの高純度ポリシリコンの堆積のための方法および関係する材料。クロロシラン製造のためのソースは共晶または亜共晶の銅−シリコンであり、前記銅−シリコンの濃度範囲は１０ないし１６ｗｔ％シリコンである。共晶または亜共晶の銅−シリコンは、塩素処理反応器に好適な形状に鋳造され、そこで、少なくとも部分的にＨＣｌからなるプロセスガスに曝される。このガスは共晶または亜共晶の銅−シリコンの表面で反応してシリコンを揮発性クロロシランの形態で抽出する。貧化した共晶または亜共晶の材料はその後リサイクルすることができ、抽出された量のシリコンが補充され、この材料は所望の形状へ再鋳造される。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯棒と連結部材との接続を簡便にすることで、シリコン芯棒と連結部材との接触面積を確保し、その結果、シリコン芯棒および連結部材の組立ての際の接触状態を改善し、シリコン芯棒組立体への通電時に接触不良により発生する溶断をなくし、シリコン析出反応のスタート作業の中断をなくすことで、反応の生産性を向上する。
【解決手段】気相成長法による多結晶シリコンの製造に用いられるシリコン芯棒組立体１であって、前記シリコン芯棒組立体１は、二本の棒状のシリコン芯棒２と、これらシリコン芯棒２間に架設される連結部材３とを備えており、前記連結部材３には、この連結部材３を貫通しない有底穴で形成される挿入口４が設けられており、前記挿入口４の底面４ａに、前記シリコン芯棒２の先端面２ａが当接されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応炉の底板部と電極との熱膨張差を吸収できるとともに、良好な絶縁性を維持する。
【解決手段】反応炉の底板部２に、シリコン芯棒４を上下方向に沿って立設する複数の電極５が配設されており、その電極５は、底板部２に形成した貫通孔２１内に挿入状態に設けられ内部に冷却媒体が流通する電極ホルダ２２と、電極ホルダ２２の上端部に設けられシリコン芯棒４を保持する芯棒保持部２３とを有し、貫通孔２１の内周面と電極ホルダ２２との間に貫通孔２１内で電極ホルダ２２の周りを囲む環状絶縁材３４が設けられ、反応炉の底板部２上に、環状絶縁材３４の上端部よりも大径の遮熱リング４１が電極ホルダ２２を囲むように設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯棒と連結部材との接触面積を良好に確保させるとともに、品質の安定した生産を行う。
【解決手段】シリコン芯棒２の先端部２ｂと本体部分２ａとの間に形成される段部に、シリコン芯棒２の延在する向きと直交する支持面２ｃが形成されており、連結部材３には、前記先端部２ｂを挿入するための貫通孔４が該連結部材３を貫通して設けられており、前記連結部材３における前記貫通孔４の一方側３ｂの開口端周縁が、他方側３ａの開口端周縁よりも鋭利に形成されるとともに、前記一方側の開口端の周囲の表面が、前記貫通孔４の貫通方向に直交する当接面３ｃとされており、前記当接面３ｃが、シリコン芯棒２の前記支持面２ｂに当接されるようにして、前記先端部２ａが前記貫通孔４に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】高品質の多結晶シリコンを効率よく生産する。
【解決手段】複数のシリコン芯棒４が立設される反応炉１の内底部に、該反応炉１内に原料ガスを上方に向けて噴出する複数のガス供給口６ａと、反応後の排ガスを排出するガス排出口７とが配設され、シリコン芯棒４を加熱し、その表面に原料ガスによって多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、ガス供給口６ａには、各ガス供給口６ａに原料ガスを供給するガス分配管９がそれぞれ接続されるとともに、少なくとも反応炉１の中心部付近のガス供給口６ａに接続されているガス分配管９に、その管路を開閉する弁２１が設けられ、該弁２１に、反応炉１の運転初期に管路を所定時間閉じた状態とする弁制御手段２２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】反応炉以降の配管が反応炉からの排ガス中のシリコン粉末やポリマー化合物によって閉塞する現象を抑制し、オーバーホールの周期を長くして生産性を高める。
【解決手段】反応炉内で複数のシリコン芯棒を加熱し、その表面に原料ガスの反応により多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造装置において、反応炉の底部に、反応後の排ガスを排出するガス排出口７が設けられるとともに、該ガス排出口７から外部に通じる排ガス管２１が接続され、該排ガス管２１内に、ガス排出口７から排ガス管２１に至る内周面を覆うスリーブ２２が抜き差し可能に設けられている。 （もっと読む）