【課題】原子炉の事故により高濃度の放射性物質は空気中、水、海水に飛散、浮遊した放射性物質を吸引する有効な手段がなく、又作業員は高濃度の放射線に被曝し、健康障害を生じ、復旧作業が困難で、作業ができない。
【解決手段】電気化学ポテンシャル列の金属で、異なった起電力レベルを持った金属を、２種類以上を組み込み、電極電位差をつけて布、樹脂又は炭クロスに固着、離間した電極の間は布、樹脂又は炭クロスを組み込んだ制御電極体は、プラス電極とマイナス電極を形成、マイナス電極からプラス電極に向けて電子が流れ、電位差より電気化学反応により直流の静電気を発生。制御電極体は空気中、又水、海水に浸漬することにより、電場形成、静電気発生により２４時間発電し、放射性物質はマイナス極（陰極）へ移動、吸引し汚染物質を除去することを特徴とし、物質の流れを制御する電極体。 （もっと読む）

【課題】従来のラシヒリングを規則充填した場合と同じような流体の流れの整流作用と気液接触作用を期待でき、しかも、その敷設作業を短時間のうちに確実に行うことのできる気液接触用充填物とその充填物を充填したガス洗浄塔の提供。
【解決手段】気体と液体との接触を促進するために使用される気液接触用充填物であって、複数の円筒形の筒状部２が、その軸心Ｃに直交する方向に並べられ、軸心Ｃに沿って延びる平板部６を介して一体化された充填物ユニット１からなり、その充填物ユニット１が、隣接する充填物ユニット１に対して連結可能なユニット用連結部３を備えて、同形状の充填物ユニットの複数を連結して複合ユニットを形成可能に構成され、さらに、充填物ユニットが、隣接する複合ユニットどうしを連結可能な複合用連結部を備えている。 （もっと読む）

【課題】気液接触時の流動状態を安定化できる、ハニカム構造体が収容された塔型容器内において気液を上向き流れで接触させるための塔型接触装置と、その運転方法を提供する。
【解決手段】塔型容器１１内において気液を上向き流れで接触させるための塔型接触装置１０であって、塔型容器内には、気液を接触させるためのハニカム構造体１２が収容され、ハニカム構造体が、多数の平行な細管流路からなり、細管流路が、幅方向の断面形状の水力直径が１ｍｍ未満であり、好ましくは、細管流路の幅方向の断面形状が三角形である塔型接触装置。 （もっと読む）

【課題】気液を接触させたときの液体の逆混合を抑制して、液体の滞留時間分布の分布幅を狭くすることができる塔型接触装置を提供する。
【解決手段】塔型容器１１内において気液を上向き流れで接触させるための塔型接触装置１０であって、塔型容器１１内に２段以上のハニカム構造体１２ａ〜１２ｈを縦方向に収容し、ハニカム構造体間の空間部１３ａ〜１３ｇに、逆流防止手段となる整流部１４ａ〜１４ｇをハニカム構造体に接触しない状態で設置し、整流部は、穴径０．５〜８ｍｍの多数の穴を有する。 （もっと読む）

【課題】塔内のハニカム構造体における気液の接触効率を高めることができる塔型接触装置を提供する。
【解決手段】塔型接触装置１０には、塔型容器１１内にハニカム構造体２２が収容された容器２０が設置されており、塔型容器１１と容器２０の間には、高さ方向に連続したクリアランス１９が存在している。クリアランス１９は、所望位置の高さ位置において、クリアランス１９を通過する気体と液体の圧力損失が、容器２０内のハニカム構造体２２を通過する気体と液体の圧力損失以上になるような流動制御手段３０を有している。 （もっと読む）

【課題】構成が簡易でしかも、長期間に亙っての運転でも濡れ性能が良好な気液接触板、気液接触積層ブロック体、気液接触積層構造体及びガス浄化装置を提供する。
【解決手段】本発明の気液接触板１０は、基板１１の上側から下側方向に処理液１２が流れ、処理液１２に接触したガス１３の一部が該処理液１２に吸収される気液接触板であって、基板１１の下端部側が所定間隔のピッチを有する下に凸状の鋸歯状部１４を有するものである。また、基板１１には、所定間隔を持って複数段の液分散用の孔群２０が設けられている。その配列は千鳥状配列としている。 （もっと読む）

【課題】高温で炭化したセルロース繊維の独特な構造を用いたメソ気孔を持つマイクロチューブルハニカム炭素体およびその製造方法、これを用いたマイクロチューブル反応器モジュールおよびその製造方法、並びにこれを用いた超小型システムに適用可能なマイクロ触媒反応装置の提供。
【解決手段】マイクロ触媒反応装置に用いられるマイクロチューブルハニカム炭素体の製造方法において、蒸留水溶液にセルロースマイクロ繊維を十分に濡らしながら洗浄し、常温で乾燥させる段階と、セルロースマイクロ繊維を高温の熱処理用反応装置に入れて装置内の残存酸素を真空ポンプで除去する段階と、反応装置の温度を制御しながら水素を供給して熱処理する段階とを含むことを特徴とする、セルロース繊維を熱処理して得られたマイクロチューブルハニカム炭素体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】紫外線ランプあるいは超音波発生装置が不要で装置のコンパクト化が可能な紫外線化学反応装置を提供する。
【解決手段】紫外線化学反応装置１は、炭酸ガスとマイクロ波との相互作用で発生する紫外線を利用する装置であって、被処理物質１１および炭酸（塩）を含有する水１２を導入する導入口２と、前記被処理物質１１を反応させて得られる生成物１３および水１２を排出する排出口３と、マイクロ波発生装置４と、該マイクロ波発生装置４から発生したマイクロ波を吸収するマイクロ波吸収体５とを備え、導入口２から導入した被処理物質１１および炭酸（塩）を含有する水１２を、炭酸ガス生成温度以上の温度でマイクロ波吸収体５と接触させ、生成した炭酸ガスとマイクロ波との相互作用で紫外線を発生させ、発生させた紫外線を、被処理物質１１の処理反応に利用する装置である。 （もっと読む）

【課題】紫外線ランプあるいは超音波発生装置が不要で装置のコンパクト化が可能な紫外線化学反応装置を提供する。
【解決手段】紫外線化学反応装置１は、被処理物質１１を含む有機溶媒１２を導入する導入口２と、該被処理物質１１を反応させた反応生成物１３を含む有機溶媒１２を排出する排出口３と、マイクロ波発生装置４と、該マイクロ波発生装置４から発生したマイクロ波を吸収するマイクロ波吸収体５の固定床とを備え、前記導入口２から導入した前記有機溶媒１２を、前記排出口３から排出させるまでの間に、前記マイクロ波吸収体５と接触させながらマイクロ波発生装置４よりマイクロ波を照射して、有機溶媒１２を分解もしくは気化させ、それにより生成する気体とマイクロ波との相互作用で紫外線を発生させ、発生させた紫外線を、被処理物質１１の処理反応に利用する装置である。 （もっと読む）

【課題】隣接するガス処理ユニット間の空間でもプラズマを発生させ、全体のガス処理能力を更に高める。部品点数を削減して製造・組立のコスト・時間を削減する
【解決手段】ガス処理ユニットＧＵ１，ＧＵ２のグランド電極９−１，９−２を一体化し共通電極９とする。ガス処理ユニットＧＵ１，ＧＵ２の高圧電極８−１の印加極性を正、高圧電極８−２の印加極性を負、高圧電極１０−１の印加極性を正、高圧電極１０−２の印加極性を負とする。これにより、対向する高圧電極間に大きな電位差が生じ、隣接するガス処理ユニット間の空間でもプラズマが発生し、ガス処理が行われるようになる。また、ガス処理ユニット間で、グランド電極が一体化（共通化）され、部品点数が削減される。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑えつつ、ガス処理能力の低下を補いながらガス処理を継続し、未処理のガスが残らないようにする。
【解決手段】異常放電検知部１６Ａおよび１６Ｂを設ける。制御部１７は、異常放電検知部１６Ａからガス処理ユニットＧＵ１での異常放電を知らせる検知信号Ｓ１Ａを受けて、ガス処理ユニットＧＵ２での異常放電が発生していないことを確認のうえ、ガス処理ユニットＧＵ１への高電圧Ｖ１の電圧値を下げ、ガス処理ユニットＧＵ２への高電圧Ｖ２の電圧値を上げる。異常放電検知部１６Ｂからガス処理ユニットＧＵ２での異常放電を知らせる検知信号Ｓ１Ｂを受けて、ガス処理ユニットＧＵ１での異常放電が発生していないことを確認のうえ、ガス処理ユニットＧＵ１への高電圧Ｖ１の電圧値を上げ、ガス処理ユニットＧＵ２への高電圧Ｖ２の電圧値を下げる。 （もっと読む）

【課題】隣接するガス処理ユニットのうち、下流側のガス処理ユニットでのガス処理能力を高め、全体のガス処理能力を更に高める。
【解決手段】上流側のガス処理ユニットＧＵ１のハニカム構造体４間の間隔（間隙）Ｇに対して下流側のガス処理ユニットＧＵ２のハニカム構造体４を対向させる。これにより、間隙Ｇを通ってきた処理対象ガスＧＳに含まれる水分が下流側のガス処理ユニットＧＵ１のハニカム構造体４に吸着され易くなる。また、間隙Ｇを通過した処理対象ガスＧＳは、下流側のガス処理ユニットＧＵ２のハニカム構造体４の上流側の面に当たって流速が弱められるとともに、流れ方向も変えられ、下流側のガス処理ユニットＧＵ２内を通過する時間が長くなる。 （もっと読む）

【課題】隣接するガス処理ユニット間の空間でもプラズマを発生させ、全体のガス処理能力を更に高める。
【解決手段】ガス処理ユニットＧＵ１の第１の電極８−１と第２の電極９−１との間に、電極８−１をグランド電極、電極９−１を高圧電極として、高電圧電源５からの高電圧を印加する。また、ガス処理ユニットＧＵ２の第１の電極８−２と第２の電極９−２との間に、電極８−２を高圧電極、電極９−２をグランド電極として、高電圧電源５からの高電圧を印加する。これにより、対向する電極間に電位差が生じ、隣接するガス処理ユニット間の空間でもプラズマが発生して（エリアＡＲ１，ＡＲ２でもプラズマが発生する）、ガス処理が行われるようになる。 （もっと読む）

【課題】コンパクトでありながら高い熱交換機能を有し、製造も容易な積層内部熱交換型反応器を提供する。
【解決手段】紙製の平板と波板とが積層され波板の山部と平板との間に往路を有する流入側ユニットと、波板の谷部と平板との間に復路を有する流出側ユニットと、が交互に積層されてなる積層前駆体から積層前駆体と同一形状の炭化ケイ素質の積層体を形成し、積層体を流入口と流出口をもつケーシングに封入する。流入口から往路に流入した流体は、積層体とケーシングとの間に形成された連通空間に入り、連通空間から復路を流れる。連通空間又は積層体には発熱手段が形成され、流体は発熱手段で加熱されて流出口から流出される。 （もっと読む）

本発明は、反応器１であって、モノリス４として形成されている不均一系触媒において、反応ガス混合物を得つつ、酸素を含むガス流３を用いて炭化水素を含むガス流２の自熱式の気相脱水素を実施するための横置き型のシリンダの形態の反応器１に関する。本発明では、‐反応器１の内室が、解離可能に反応器１の長手方向で配置される円柱形又は角柱形の、周方向でガス密の、両端面で開放されたハウジングＧによって、‐内側領域Ａであって、単数又は複数の触媒活性域５を備え、触媒活性域５内に、互いに上下に、互いに並んでかつ互いに前後に積層されるモノリス４からなるそれぞれ１つの充填物が設けられ、かつ各々の触媒活性域５の上流に、固定の組付け部材を備えるそれぞれ１つの混合域６が設けられている内側領域Ａと、‐内側領域Ａに対して同軸的に配置される外側領域Ｂと、に分割されているようにした。
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【課題】交差波形パッキングモジュールを用いる蒸留方法において、パッキング塔部の単位長さあたりの圧力低下が低減されたパッキングモジュールを提供する。
【解決手段】パッキングモジュールを構成するパッキングストリップ２は、第１主ピーク１０と、第１主ピークと反対方向に向いた第２主ピーク１２とを交互に形成した複数の波形を有しており、前記主ピーク間に延びる複数のチャネルが形成されるとともに、各ピーク上に切れ込みを有する複数の反転部２２が設けられ、これら反転部はパッキングストリップの上側エッジ４及び下側エッジ６に対して平行に配列した列を形成しており、前記チャネルの延びる方向が或るパッキングストリップから次のパッキングストリップへと反転するように複数のパッキングストリップを積層することによりパッキングモジュールを組み立てる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電に伴う電気的ノイズの発生、改質効率の低下及びハニカム電極の劣化を抑制することができるプラズマリアクタを提供する。
【解決手段】被改質ガス２の導入口４及び改質ガス６の排出口８が形成された反応容器１０と、反応容器１０の内部空間に相対向するように配置された、プラズマを発生させる一対の電極１２と、一対の電極１２に対して電圧を印加するパルス電源１４と、被改質ガス２の改質反応を促進する触媒とを備え、一対の電極１２の一方は導電性セラミックスからなり、ガスの流路となる複数のセルが区画形成されたハニカム電極１２ｂであり、一対の電極の他方はハニカム電極１２ｂの端面と対向するように配置された対向電極１２ａであり、触媒がハニカム電極１２ｂの隔壁に担持されているとともに、ハニカム電極１２ｂが対向電極１２ａに対向する端面の中央部に凹曲面３０Ａが形成されたものであるプラズマリアクタ１Ａ。 （もっと読む）

【課題】ガス流対向面の表面積を大とし、更なるガス処理能力の向上を図る。
【解決手段】各ハニカム構造体４に角穴４ｄを複数設ける。これにより、各ハニカム構造体４の処理対象ガスＧＳの通過方向に面する上流側の面（最上流の面）４ｂ１、各ハニカム構造体４の処理対象ガスＧＳの通過方向に面する角穴４ｄの下流側の面４ｂ２では、プラズマが発生せず、処理対象ガスＧＳの流れに接すると共に、処理対象ガスＧＳの通過方向への流体圧を受けることから、この面４ｂ１，４ｂ２がガス流対向面となって、処理対象ガスＧＳ中の水分がハニカム構造体４内に入り込み、ハニカム構造体４でのプラズマ発生を活性化させる。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑えつつ、処理対象ガスの処理を継続し、未処理のガスが残らないようにする。
【解決手段】高電圧印加部２０を設ける。ハニカム構造体４の第１の電極８を高電圧印加部２０の正電圧供給端子Ｔ１に接続する。ハニカム構造体４の第２の電極９を高電圧印加部２０の負電圧供給端子Ｔ２に接続する。制御部ＣＮＴよりスイッチング用集積回路ＩＣ１，ＩＣ２に対して駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２を出力し、第１の電極８に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧＋Ｖ１を、第２の電極９に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧−Ｖ２を、交互に切り換えて印加する。異常放電検知部２１を設け、第１の電極８と第２の電極９との間の異常放電の発生を検知した場合、その異常放電の発生量に応じて、第１の電極８と第２の電極９への高電圧の休止期間を自動調整する。 （もっと読む）

【課題】大容量の高電圧電源を用いることなく、高いガス処理能力を得る。
【解決手段】高電圧印加手段２０を設ける。ハニカム構造体４の第１の電極８を高電圧印加手段２０の正電圧供給端子Ｔ１に接続する。ハニカム構造体４の第２の電極９を高電圧印加手段２０の負電圧供給端子Ｔ２に接続する。制御部ＣＮＴよりスイッチング用集積回路ＩＣ１，ＩＣ２に対して駆動パルスＰＳ１，ＰＳ２を出力し、第１の電極８に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧＋Ｖ１を、第２の電極９に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧−Ｖ２を、交互に切り換えて印加する。この際、駆動パルスＰＳ１のオンタイミングに対して駆動パルスＰＳ２のオンタイミングをＴＣ時間遅延させることにより、この遅延時間ＴＣの間、第１の電極８と第２の電極９との間に、正電圧＋Ｖ１と負電圧−Ｖ２との差電圧Ｖ１＋Ｖ２（高電圧）を印加させる。 （もっと読む）