【課題】分子線エピタキシー（ＭＢＥ）による成膜に先立って、原料蒸発源セルの周辺に存する不純物を、原料を浪費することなく除去して所期の高真空度を達成し、容易且つ確実に信頼性の高い成膜を実現する成膜装置、成膜方法、及び化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ装置は、原料１０が充填される坩堝１１と、坩堝１１を覆うように配置された第１のヒータ１３と、第１のヒータ１３を覆うように配置された熱反射板１４と、熱反射板を覆うように配置された第２のヒータ１５とを備えた原料蒸発源セル２と、原料蒸発源セル２の少なくとも一部を囲み、その壁面を液体窒素温度に冷却することができるシュラウド４とを含み構成される。 （もっと読む）

【課題】 サファイアＣ面基板上に成長するＧａＮ系III族窒化物薄膜の極性を（０００１）に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。
【解決手段】 サファイアＣ面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてＧａを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりＧａＮ系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、金属Ｇａとして、その強度（フラックス）が１×１０¹³コ／ｃｍ²ｓ〜１×１０¹⁵コ／ｃｍ²ｓであるものを用い、該ＧａＮ系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Ｉｎを、照射する金属Ｇａの強度より１〜２桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を（０００１）に制御する。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ粒子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くした薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】中空の放電管１の外側周囲を高周波コイル２で巻き回されており、高周波コイル２の端子は、高周波電源に接続されている。また、放電管１の上部には放出孔４が、下部にはガス導入孔５が形成されている。ガス導入孔５にはガス供給管１２が接続され、ここから薄膜構成元素となる気体が供給される。放出孔４と所定の距離を隔てて阻止体３が、放出孔４を遮るように設けられている。薄膜形成時には、中空の放電管１内部からプラズマ粒子が放出されるが、気体元素以外の粒子が阻止体３に阻止され基板へ到達できない。 （もっと読む）

【課題】成膜時間に関係なく一定の成膜レートを維持することのできるＭＢＥ装置等を提供する。
【解決手段】本発明のＭＢＥ装置１００は、分子線発生部１０ａ・１０ｂと、真空計１４ａ・１４ｂと、光源ユニット６と受光ユニット７とを有する原子吸光式成膜モニタ８と、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する温度制御演算器１３とを備えている。温度制御演算器１３は、原子吸光式成膜モニタ８の測定結果が、真空計１４ａ・１４ｂの測定結果から算出した分子線源の残量より算出した原子吸光式成膜モニタ８の制御目標値となるように、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】同一の分子線材料を有する分子線セルを複数有する分子線エピタキシャル装置の稼動率を向上させ、かつ、成膜において高い再現性を実現する、分子線エピタキシャル装置の制御装置を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル装置１００の制御装置１１８は、同一の分子線材料１０５を有する複数の分子線セル１０７について、各分子線セル１０７内の分子線材料１０５の残量を求める残量算出部４０５と、次回の成膜における各層での同一の分子線材料１０５の合計の消費量を等しくしたまま、上記各分子線セル１０７における設定を変更したものについて、次回の成膜後の当該各分子線セル１０７に残存する分子線材料１０５の予測消費時間を算出する予測消費時間算出部４０６と、上記予測消費時間の差が小さくなるように、次回の成膜での上記各分子線セル１０７における設定を決定するセル設定決定部４０７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に形成する薄膜に混入する還元作用を有するガスの量を抑制するとともに、基板の表面または基板の表面に形成する薄膜に与える損傷を抑制して基板の表面に結晶性の高い薄膜を形成することができる分子線エピタキシャル成長装置および分子線エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 成長室１３の収容空間１２には、ウエハ１８を保持するマニピュレータ２１、分子線を発生する分子線源２２および液体窒素によって冷却されるシュラウド２３が設けられる。収容空間１２には、ウエハ１８が直接見込めない位置から、分子状態の水素ガスが導入される。収容空間１２に導入された水素ガスの分子は、シュラウド２３の表面に衝突しながら拡散する。収容空間１２に拡散された水素ガスを含む雰囲気において、分子線エピタキシャル成長を行い、ウエハ１８の表面に高品質な薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シングルナノサイズのクラスター生成、小さなクラスターサイズ分散性、高いビームフラックスおよび高いクラスタービームエネルギーの達成を可能とする。
【解決手段】レーザアブレーション法によってナノサイズクラスターを生成するクラスター生成装置は、クラスターを生成するクラスターセル11の取出口21に、ラバールノズル13のスロート口31が接続されているものである。 （もっと読む）

【課題】
DLC薄膜とターゲット基板との密着性を向上し、また、レーザーアブレーション法で問題となる溶融再凝固粒子（ドロップレット）や固体ターゲットのかけらなどの粗大粒子の混入によるなどによるDLC薄膜の品質低下の回避できるダイヤモンドライクカーボン薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】
原料ガス導入口に、炭酸ガスレーザーを照射することで，原料ガス分子を原子状に解離させ，基板構成原子の原子間結合エネルギーに相当する5eV程度の並進エネルギーを有する原子ビームを発生させる。原料ガスには、メタン、エチレン、アセチレンなどの直鎖炭化水素ガスを用いることで、炭素原子ビームを発生させ、シリコン基板などの固体ターゲット表面に共有結合によりダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する。シリコン基板上に炭素系薄膜の堆積を確認し、ラマン分光法による分析結果からDLC薄膜であるとことを確認した。 （もっと読む）