【課題】大きな面積及び厚さを有する単結晶窒化アルミニウム板状体が、大きな速度で形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】希土類元素及びアルカリ土類金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素とアルミニウムとを含む複合酸化物又は複合酸窒化物と、窒化アルミニウムと、を含んでなる原料又は複合酸化物或いは複合酸窒化物の原料物質（但し、窒化アルミニウムを除く）と、窒化アルミニウムと、を含んでなる原料を準備し、原料の近傍に、突起２４、２６が形成された無機単結晶基板２２を配置する準備工程、及び１０〜１００００Ｐａの非酸化性ガス雰囲気中で、原料及び無機単結晶基板２２を加熱し、原料の温度を１６００〜２０００℃とすると共に無機単結晶基板２２の温度を１５８０℃以上であって原料より低い温度として、突起２４、２６の上に単結晶窒化アルミニウムからなる板状体２８を形成する単結晶窒化アルミニウム形成工程からなる。 （もっと読む）

発明は、光電池の作製に有用であり得る半導体材料のような、半導体材料品の作製方法及びこの方法で形成される半導体材料品に関する。
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【課題】充分な電子デバイス特性が得ることのできる高品質な基板用ＧａＮ系半導体自立基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなる自立基板であって、前記自立基板の表面に直接Ｎｉを金属電極としてショットキーダイオードを形成した場合、電流−電圧特性における理想因子ｎ値が１以上１．３以下となることを特徴とする自立基板。好ましくは、前記ショットキーダイオードを形成した場合、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値が、熱電界放出モデルおよび熱電子放出モデルの計算値の和として計算した理論電流値の５０倍以下となることを特徴とする自立基板。 （もっと読む）

【課題】種結晶の結晶成長面における表面温度を更に均一化することにより、表面が平坦化された高品質の炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の少なくとも側面を覆う石英管２０と、石英管２０の外周に配置された誘電加熱コイル３０とを有する。黒鉛製坩堝１０は、反応容器本体１１と該反応容器本体１１の上部開口１１ｂを覆う蓋体１２とを備え、該蓋体１２には、均熱部材１４が一体に設けられている。また、均熱部材１４における均熱部１７は、種結晶６０と昇華用原料５０との間の高さ位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０を、反応性マグネトロンスパッタに導入し、厚さ７５〜１２５ÅのＡｌＮ膜１２を形成する（図１（ｂ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｃ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｄ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｂ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｃ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの収率を向上させられるようにする。
【解決手段】第１〜第３反応容器９〜１１を多段に配置すると共に、第２、第３反応容器１０、１１の底面にガス流動孔１０ｂ、１１ｂを設けることにより、多段にわたって原料ガス３が供給されるようにし、多段それぞれに配置された複数の種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶６を成長させられるようにする。これにより、原料ガス３をより効率良く再結晶化させることが可能となり、原料ガス３の収率を高めることが可能となる。 （もっと読む）

単結晶ダイヤモンドを合成するための高圧高温（ＨＰＨＴ）方法であって、アスペスト比が少なくとも１であり、成長表面が｛１１０｝結晶面と実質的に平行である単結晶ダイヤモンド種子を利用することが記載される。１２８０℃から１３９０℃の温度範囲で成長する。 （もっと読む）

【課題】酸素不純物が少なく高純度で良質なＧａＮを提供する。
【解決手段】ガリウムを主成分とする１３族元素窒素化合物結晶の製造方法であって、少なくともガリウムを含む１３族元素の金属及び／又は該金属の窒素化合物１２を、アンモニア雰囲気下、酸素除去添加剤１４の存在下で、加熱処理して結晶を得るステップを含み、ここで、該酸素除去添加剤１４は、その中心部がチタン金属、ジルコニウム金属、チタン合金、及びジルコニウム合金から成る群から選ばれる金属又は合金から構成され、かつ、その表層部が該金属又は合金の水素化物で覆われた複合構造を有する前記製造方法。 （もっと読む）

【課題】各チャンバに異常な水圧が働かないよう制御し、適切な流量で冷却水を供給し、異常検知時間を改善することができる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チャンバが個別の冷却水経路を有し、該それぞれの冷却水経路上に、圧力調整弁と、流量調整弁と、流量計と、圧力開放弁と、デジタル流量計とを有し、分割されたそれぞれのチャンバに供給する冷却水の流量及び圧力をそれぞれの冷却水経路毎の前記圧力調整弁及び流量調整弁に設定し、分割されたそれぞれのチャンバから排出される冷却水の流量をデジタル流量計で定期的に測定して記録し、該記録した流量が所定の値より小さい場合に警報を発し、それぞれの冷却水経路毎の冷却水の供給圧力を測定して該圧力が所定の値を越えた場合にその冷却水経路の圧力開放弁により冷却水の供給圧力を開放するものであることを特徴とする単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム単結晶の成長速度の向上を図った窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】原料を収納する原料容器とサセプタとを備える成長容器と、該成長容器の内部空間の圧力を調整するためのガス導入部およびガス排出部と、を少なくとも備えた窒化物単結晶の製造装置を用い、昇華法によりサセプタ上に配置された種子基板上に窒化物単結晶を堆積させる窒化物単結晶の製造方法において、１００μｍ／ｈ以下の成長速度で窒化物単結晶を成長させる第１段階と、成長容器の内部空間の圧力を減少させた状態で、１００μｍ／ｈ以上の成長速度で窒化物単結晶を成長させる第２段階とを有したこと。 （もっと読む）

【課題】シリコン結晶育成時にリンのような電気抵抗率降下用ドーパントとゲルマニウムが一緒に高濃度にドープされた低電気抵抗率のシリコン結晶基板をベースにしたエピタキシャルシリコンウェーハにおいて、ミスフィット転位とスタッキングフォルト（ＳＦ）の双方を抑制する。
【解決手段】シリコン結晶育成時に例えばリンとゲルマニウムが一緒に高濃度ドープされたシリコン結晶基板上に、シリコンエピタキシャル層をＣＶＤ法で成長させるプロセスにおいて、そのプロセス温度を１０００〜１０９０℃の範囲内（より望ましくは、１０５０〜１０８０℃）の範囲内にする。これにより、ＳＦに起因してエピタキシャルシリコンウェーハの表面に生じるＬＰＤ（ＳＦに起因して生じる）の個数が大幅に減る。 （もっと読む）

本発明は、成長面（１０５）を含む支持体（１００）上でのエピタキシャル成長により窒化物単結晶を製造するための方法において、− 支持体（１００）上に犠牲床（１０１）を形成するステップと；− 前記犠牲床上にピラー（１０２）を形成するステップであって、前記ピラーがＧａＮエピタキシャル成長と相容性のある材料で作られているステップと；− 窒化物結晶層（１０３）がピラーの間に形成されたホール（１０７）内を支持体に至るまで延在しないような成長条件の下で、ピラー上に窒化物結晶層（１０３）を成長させるステップと；− 支持体から窒化物結晶層を除去するステップと、を含む方法に関する。
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【課題】直径及び厚さの大きな単結晶窒化アルミニウムを製造する方法を提供。
【解決手段】［Ａ］希土類及びアルカリ土類金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素とアルミニウムとを含む複合酸化物又は複合酸窒化物、並びに窒化アルミニウムを含んでなる原料、或いは該複合酸化物又は該複合酸窒化物の原料物質（但し、窒化アルミニウムを除く）、並びに窒化アルミニウムを含む原料の近傍に無機単結晶基板を配置する工程；［Ｂ］０．９×１０⁵Ｐａ以上の非酸化性ガス雰囲気中で、前記原料温度を１６００〜２０００℃とすると共に前記無機単結晶基板の温度を１５８０℃以上で当該原料より低い温度とする工程；［Ｃ］０．９×１０⁵Ｐａ以上の非酸化性ガス雰囲気中で、前記原料温度を１６００〜２０００℃に維持すると共に、前記無機単結晶基板の温度を１５８０℃以上で該原料より低温度に維持し、前記無機単結晶基板上に単結晶窒化アルミニウムを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度の領域でキャリア補償の影響を低減可能なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板Ｅは、窒化ガリウム基板１１及び窒化ガリウムエピタキシャル膜１３を備える。窒化ガリウム基板１１の主面１１ａにおいて、転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以下であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３中の電子トラップの密度が低減される。窒化ガリウム基板主面１１ａのオフ角が０．３度以上であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３は低い電子トラップの密度を有する。窒化ガリウムエピタキシャル膜１３が１×１０^１６ｃｍ^−３以下のドナー濃度及び３×１０^１５ｃｍ^−３以下のアクセプタ濃度を有するので、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３における補償が低く、窒化ガリウムエピタキシャル膜に１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度が提供される。 （もっと読む）

【課題】溶液法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いたＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法による大型のＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属元素の濃度が１．０×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を準備する工程と、ＨＶＰＥ法により、１１００℃より高い雰囲気温度で、第１のＩＩＩ族窒結晶１０の主面１０ｍ上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質の窒化物半導体基板を簡易な方法で製造する方法を提供する。
【解決手段】格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板１の一方の面上に、第１の窒化物半導体層４を温度Ｔ₁でエピタキシャル成長させ、次いで、温度Ｔ₁より高い温度Ｔ₂において、第１の窒化物半導体層４の形成時に使用されるガスと元基板１とを反応させて元基板１を除去する。 （もっと読む）

【課題】４Ｈ型の炭化珪素単結晶を種結晶から成長させる場合、通常、種結晶の（０００−１）カーボン面に炭化珪素を成長するが、この場合、種結晶の接着面は（０００−１）カーボン面の反対側の（０００１）シリコン面となり、カーボン接着剤を用いて種結晶と支持部材との密着性を接着面全面にわたり均一に高めることが難しい。
【解決手段】炭化珪素種結晶の（０００１）シリコン面表層に炭化膜層を形成し、前記炭化膜層を形成した前記種結晶を前記炭化膜層の面側を支持部材に接着し、炭化珪素単結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】高品質な結晶シリコン粒子を提供する。
【解決手段】シリコン融液にＹｂ、Ｌｕ、またはＹの単体あるいはＹｂ、Ｌｕ、またはＹ元素を含む化合物のうち少なくとも１つを添加する工程と、シリコン融液を一方向に排出し、粒状４に凝固させる凝固工程と、を備える。シリコン融液は、窒化珪素を含んで成る坩堝１で溶融される。また、凝固工程は、シリコン融液の過冷却度を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度でシリコン融液を凝固させてシリコン粒子５を形成した後、シリコン融液の凝固開始温度領域でシリコン粒子５を保温し、シリコン粒子５を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】坩堝の割れを抑制し、かつ意図しない不純物の混入を抑制した結晶を製造する結晶製造方法を提供する。
【解決手段】結晶製造方法は、坩堝１０１内壁１０１ａと原料１７との間に緩衝層１１０を配置した結晶製造装置を準備する工程と、結晶製造装置内で結晶を成長する工程とを備えている。準備する工程では、成長する工程において結晶を成長する温度よりも高い融点を有し、かつ坩堝１０１を構成する材料よりも高い空孔率、高い延性、および高い脆性の少なくとも一方を有する緩衝層１１０を配置する。 （もっと読む）