【課題】クラックの発生を抑制するとともに、加工性の容易なＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材１０ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、Ｓｉ基板１１が準備される。そして、Ｓｉ基板上にＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層（０＜ｖ＜１、０＜ｗ＜１、０＜ｘ＜１、０＜ｖ＋ｗ＋ｘ＜１）１２を５５０℃未満の温度で成長される。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好なＡｌＮを成長させるＡｌＮ結晶の成長方法およびＡｌＮ積層体を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ結晶の成長方法は、以下の工程を備えている。まず、ＡｌＮを含む原料１７が準備される。主表面１１ａを有する異種基板１１が準備される。原料１７を昇華させて、異種基板１１の主表面１１ａを覆うように、ＡｌＮ結晶を成長させることにより、表面１２ａが平坦な第１の層１２が形成される。原料１７を昇華させて、第１の層１２の表面１２ａ上に、ＡｌＮよりなる第２の層１３が形成される。第２の層１３は、第１の層１２よりも高い温度で形成される。 （もっと読む）

【課題】より高い熱伝導率を有するＧａＮ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、Ｈ_２ガスを含むキャリアガスＧ１と、ＧａＣｌガスＧ２と、ＮＨ_３ガスＧ３とを反応室１０に供給し、成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、成長圧力を８．０８×１０^４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０^５（Ｐａ）以下とし、ＧａＣｌガスＧ２の分圧を１．０×１０^２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０^４（Ｐａ）以下とし、ＮＨ_３ガスＧ３の分圧を９．１×１０^２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０^４（Ｐａ）以下として実施する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約２２ＭＰａ ｍ^１／２の靭性を有する単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドに関する。本発明はさらに、単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明のダイヤモンドの成長速度は約２０μｍ／ｈ〜１００μｍ／ｈであり得る。 （もっと読む）

【課題】実用レベルの発光素子を与えるに十分な低い抵抗率で且つｎ型ＺｎＯと接合したとき優れたダイオード特性を示すｐ型ＺｎＯ単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】ドーパントとして窒素とＩＢ族元素とを含有し，ＩＢ族元素がＣｕ及びＡｇより選ばれる少なくとも１種であり，温度２０℃における抵抗率が０．１〜２０Ω・ｃｍである，ｐ型単結晶ＺｎＯ，並びに，化学気相成長法によるｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法であって，（ａ）（０００１）面を表面とする単結晶ＺｎＯ基板を加熱しつつ，基板の表面にＺｎ源ガス，Ｏ源ガス，アンモニア並びに，Ｃｕ及びＡｇより選ばれるＩＢ族元素源ガスを供給して基板上に，窒素及びＩＢ族元素をｐ型ドーパントとして含んだ単結晶ＺｎＯを成長させるステップと，（ｂ）ｐ型ドーパントを含んだ単結晶ＺｎＯをＯ源ガスの存在下にアニールするステップを含んでなる，ｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法。 （もっと読む）

【課題】オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】オフ角度が4°以下の炭化珪素単結晶基板上に、三角形状の欠陥密度及び表面荒れの小さい炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、炭化珪素単結晶薄膜上の三角形状のエピタキシャル欠陥密度が3個/cm²以下、表面荒さのRa値が2.5nm以下であり、その炭化珪素単結晶薄膜は欠陥及び表面荒れを低減する層(欠陥低減層)とデバイスとして動作する層(活性層)を持ち、欠陥低減層をエピタキシャル成長する際の材料ガス中に含まれる、炭素と珪素の原子数比(C/Si比)は0.5以上1.0未満、活性層をエピタキシャル成長する際のC/Si比は1.0以上1.5以下で、各層の成長温度は1600℃以上1650℃以下である。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いLED構造の作製可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用基板2は、凹凸形状の主表面3aを有する単結晶基板3と、単結晶基板3上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第１表面4aを有する第１のIII族窒化物結晶からなる下地層4と、下地層4上に、エピタキシャル成長により形成された、第２のIII族窒化物結晶からなる中間層5とを少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面モルフォロジと光学特性がともに良好で、しかも発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。
【解決手段】ｍ面のような非極性面の窒化物基体上に窒化物半導体を結晶成長させるに際し、窒化物半導体層を成長させる前の比較的高温領域での昇温過程におけるメインフローを構成するガス（基体の窒化物主面が暴露される雰囲気）、第１および第２の窒化物半導体層成長完了までのメインフローを構成するガス（基体の窒化物主面が暴露される雰囲気）を、窒化物に対してエッチング効果のないものを主とし、かつ、窒化物半導体層の成長開始時にはＳｉ源を供給しないこととした。このため、エピタキシャル基体の窒化物表面近傍からの窒素原子の脱離が生じず、エピタキシャル膜への欠陥導入が抑制される。また、平坦性に優れた表面モルフォロジを有するエピタキシャル成長が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子、その製造方法及び用途を提供する。
【解決手段】ストロンチウム、ランタン及びマンガン化合物の混合水溶液をアルカリ水溶液でｐＨ６程度に調製し、亜臨界ないし超臨界状態の水を媒体として、３８０〜４５０℃で水熱反応させて、一次粒子径が５０ｎｍ以下であり、結晶化度が高いストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子を製造する。
【効果】固体酸化物燃料電池等で使用される電極材料等として利用可能な、高温処理を必要としない、高結晶性で、かつ粒子径が５０ｎｍ以下のストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子、その製造方法及びその応用製品を提供することができる。 （もっと読む）

単結晶ＳｉＣ基板上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させるための方法が記載される。この方法は、チャンバ内において単結晶ＳｉＣ基板を少なくとも１４００℃の第１温度まで加熱する工程と、キャリアガス、シリコン含有ガス、及び、炭素含有ガスをチャンバに取り入れる工程と、及び、ＳｉＣ基板の表面上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程とを備える。ＳｉＣ基板は少なくとも３０℃／分の速度で第１温度まで加熱される。ＳｉＣ基板の表面は、基板材料の底面に対して１°から３°の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】簡易に転位密度の小さな結晶薄膜を製造することができる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】基板１８に供給された金属原料および融剤からなる液体原料に気体原料を反応させ、金属原料および気体原料のうち、それぞれ少なくとも１元素同士から構成される結晶原料を液体原料および気体原料からなる混合物から結晶化することによって、結晶薄膜を得る結晶成長方法であり、基板１８上における結晶原料の結晶化が開始される成長開始部から、その周囲に亘って、結晶原料の温度を変化させるよう上記結晶原料の温度分布を制御し、生じた結晶薄膜の周囲に亘る結晶原料の溶解濃度が結晶成長可能な過飽和度となるよう、上記結晶原料の溶解濃度を制御する。 （もっと読む）

本開示は、スパッタリング技術を用いた高純度６Ｈ ＳｉＣ単結晶の成長のための方法および装置に関する。一実施形態において、本開示は、高純度６Ｈ−ＳｉＣ単結晶フィルムを基板に堆積させる方法に関し、この方法は、エッチングされた表面を有するケイ素基板を提供することと、基板およびＳｉＣ供給源を堆積チャンバーの中に置くことと、堆積チャンバーの中で第一の減圧レベルを達成することと、チャンバーをガスで加圧することと、ＳｉＣフィルムをスパッタリング供給源から直接、エッチングされたケイ素基板に堆積させることとを包含し、ＳｉＣフィルムをスパッタリング供給源から直接、エッチングされたケイ素基板に堆積させることは、基板をケイ素の融点未満の温度に加熱することと、堆積チャンバーの中で低エネルギープラズマを用いることと、六方ＳｉＣフィルムの層を基板のエッチングされた表面に堆積させることとによる。 （もっと読む）

【課題】80torr程度を超えるような高圧下におけるプラズマＣＶＤ法による単結晶ダイヤモンドの製造においても、基板温度の上昇を抑制して、良質な単結晶ダイヤモンドを速い成長速度で合成することを可能とする。
【解決手段】合成室内の圧力を80torr以上とするプラズマCVD法による単結晶ダイヤモン
ドの製造方法において、ヘリウムガスを添加した原料ガスを用いることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】高品質のMg_aZn_1-aO単結晶薄膜を確実に形成することができる単結晶薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】プラズマアシスト付き反応性蒸着法によって成膜する反応性蒸装置を使用し、蒸着源であるルツボ６をヒータ８により加熱し、その内部に入れた合金材料（Mg_xZn_1-x）を蒸発させ、高周波酸素プラズマ中を通して、ベルジャ１０内の上部に置かれた基板の表面に付着させて、Mg_aZn_1-aO単結晶薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 紫外発光素子などの半導体素子を形成するために好適に使用できるＡｌNなどのIII族窒化物単結晶自立基板であって、結晶面の曲率半径が大きなＡｌ系III族窒化物単結晶自立基板を提供する。
【解決手段】 サファイアなどの不活性ガス中８００℃において実質的に分解しない無機物質であって、８００〜１６００℃で水素ガスなどの還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板上に、厚さ３〜２００ｎｍのＡｌ系III族窒化物単結晶薄膜層を形成した後に、アンモニアガスを含む還元性ガス雰囲気中８００〜１６００℃で加熱処理することにより、得られた積層基板のベース基板とＡｌ系III族窒化物単結晶薄膜層との界面に空隙を形成し、次いで上記Ａｌ系III族窒化物単結晶薄膜層上にIII族窒化物単結晶厚膜を形成し、これを分離することにより自立基板を得る。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】光照射によりパターン化シード層を形成するとともに、パターン化シード層上に形成されたＺｎＯウィスカーパターン、それらの作製方法及び用途を提供する。
【解決手段】ＺｎＯウィスカーパターンを作製する方法であって、基板上に酢酸亜鉛水和物又は硝酸亜鉛水和物の層の領域と無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層の領域を形成し、これを酸化亜鉛が析出する所定の温度の反応系に浸漬してシード層の無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層をＺｎＯナノ粒子又は単結晶の結晶層に変えるとともに、該ＺｎＯ結晶層の上にＺｎＯウィスカーを結晶成長させることによりＺｎＯウィスカーパターンを作製することからなるＺｎＯウィスカーパターンの作製方法、ＺｎＯウィスカーパターン及びその高伝導性部材。
【効果】デバイス作製に有用なＺｎＯウィスカーパターンを提供できる。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物結晶を成長させる際にフラックスとして用いるアルカリ金属やアルカリ土類金属の酸化を抑えて、結晶性、結晶成長の再現性を向上できるIII 族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】結晶成長容器10内でIII 族窒化物結晶を製造する際に、予め、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とIII 族元素との合金、たとえばＮａＧａ26を形成し、合金表面をＧａ22などの不活性物質で被覆し、この被覆された合金を用いて窒素を含む溶液を形成して結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置するとともに、反応ガス供給手段５０によってチャンバ４１内に窒素原子含有ガス及び不活性ガスを供給し、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体をプラズマによる反応性スパッタ法で形成する方法であり、チャンバ４１内の圧力を圧力モニタ５１によって検知し、該圧力モニタ５１の検知信号Ａに基づき、反応ガス供給手段５０からチャンバ４１内に供給する窒素原子含有ガスの流通量を流量制御手段５２によって制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の劣化を引き起こすＡｕ等の材料を必要とせず、先端が極めて鋭い針状結晶を製造することができる針状結晶の製造方法と、被観察物表面の極めて微細な凹凸に対応することが可能な走査型プローブ顕微鏡のカンチレバーとを提供する。
【解決手段】ガリウム砒素基板２０上に所定パターンの絶縁膜２６を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜２６が形成されたガリウム砒素基板２０上にＭＯＣＶＤ法によりＧａＩｎＰを堆積する半導体堆積工程とを備え、堆積工程の際に、絶縁膜２６が形成された領域を除くガリウム砒素基板２０上の領域にＧａＩｎＰの層２８を成長させつつ、絶縁膜２６上にＧａＩｎＰからなる粒状物３０を発生させ、該粒状物３０を種結晶としてガリウム砒素基板２０の板面の法線方向に沿ってＧａＩｎＰを結晶成長させることにより、針状結晶１０を形成する。 （もっと読む）